科學(xué)研究：
研究方向：
研究方向?yàn)樯漕l(RF)/微波(MW)器件與射頻(RF)/微波(MW)集成電路，微電子器件與集成電路可靠性。
承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：
國(guó)家自然科學(xué)基金課題，北京市自然科學(xué)基金，北京市教委科技發(fā)展項(xiàng)目，北京市屬市管高等學(xué)校人才強(qiáng)教計(jì)劃項(xiàng)目，武器裝備部基金課題，北京市跨世紀(jì)優(yōu)秀人才基金等課題。
科研成果：
榮獲省部級(jí)獎(jiǎng)兩項(xiàng)，國(guó)防科工委鑒定項(xiàng)目1項(xiàng)，出版譯著3部，在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文百余篇，SCI、EI、ISTP收錄近75余篇次，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，被國(guó)內(nèi)外學(xué)者引用八十多篇次。
發(fā)明公開：
[1]那偉聰, 白太琦, 劉文旭, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種基于電磁靈敏度分析與伴隨人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的微波器件自適應(yīng)建模方法[P]. 北京市: CN118278281A, 2024-07-02.
[2]金冬月, 陳斌, 王智勇, 代京京, 張萬榮, 那偉聰, 洪福臨. 一種半導(dǎo)體激光器液體噴流控溫系統(tǒng)[P]. 北京市: CN118073958A, 2024-05-24.
[3]金冬月, 周鈺鑫, 張萬榮, 那偉聰, 雷鑫, 劉圓圓, 韓趙會(huì). 一種結(jié)溫可調(diào)的垂直腔面發(fā)射激光器[P]. 北京市: CN116207605A, 2023-06-02.
[4]張萬榮, 任衍貴, 那偉聰, 吳銀烽, 王曉雪, 高文靜, 李楠星. 一種電壓調(diào)諧有源電感[P]. 北京市: CN115347879A, 2022-11-15.
[5]張萬榮, 吳銀烽, 那偉聰, 任衍貴, 王曉雪, 高文靜, 李楠星. 一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管合成的等效電感電路[P]. 北京市: CN115296660A, 2022-11-04.
[6]那偉聰, 劉文旭, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種基于多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型結(jié)構(gòu)自適應(yīng)的微波器件建模方法[P]. 北京市: CN114462232A, 2022-05-10.
[7]張萬榮, 王曉雪, 李祎康, 金冬月, 那偉聰, 謝紅云, 李白. 一種寬頻帶壓控有源電感[P]. 北京市: CN114448388A, 2022-05-06.
[8]張萬榮, 王曉雪, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李白. 一種高線性高頻有源電感[P]. 北京市: CN114373614A, 2022-04-19.
[9]金冬月, 雷鑫, 關(guān)寶璐, 張萬榮, 潘永安, 周鈺鑫, 劉圓圓. 一種運(yùn)用粒子群算法優(yōu)化VCSEL陣列排布的方法[P]. 北京市: CN113868905A, 2021-12-31.
[10]金冬月, 劉圓圓, 張萬榮, 賈曉雪, 潘永安, 曹路明, 雷鑫. 一種具有高壓和高增益模式的高頻橫向雙極晶體管電路[P]. 北京市: CN113838926A, 2021-12-24.
[11]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 曹路明, 劉圓圓. 一種電荷等離子體SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN113838927A, 2021-12-24.
[12]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的結(jié)合并行局部采樣和貝葉斯優(yōu)化的微波器件設(shè)計(jì)方法[P]. 北京市: CN113449423A, 2021-09-28.
[13]金冬月, 潘永安, 張萬榮, 楊紹萌, 賈曉雪, 周鈺鑫, 雷鑫, 楊瀅齊. 高均勻結(jié)溫分布的垂直腔面發(fā)射激光器陣列[P]. 北京市: CN112688162A, 2021-04-20.
[14]張萬榮, 李白, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種能對(duì)性能進(jìn)行多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN112583356A, 2021-03-30.
[15]謝紅云, 劉先程, 向洋, 郭敏, 沙印, 張萬榮. 一種具有光子晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制備方法[P]. 北京市: CN112531073A, 2021-03-19.
[16]金冬月, 楊紹萌, 張萬榮, 那偉聰, 吳玲, 楊瀅齊. 出光功率均勻的垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法[P]. 北京市: CN112448267A, 2021-03-05.
[17]謝紅云, 沙印, 向洋, 朱富, 紀(jì)瑞朗, 張萬榮. 光子晶體SiGe/Si光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN112420857A, 2021-02-26.
[18]謝紅云, 向洋, 沙印, 朱富, 紀(jì)瑞朗, 張萬榮. 一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN112420858A, 2021-02-26.
[19]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的基于貝葉斯理論的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)微波器件建模方法[P]. 北京市: CN112347704A, 2021-02-09.
[20]張萬榮, 李祎康, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰. 高頻下大電感值高Q值且在同一頻率下Q峰值可獨(dú)立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN111988016A, 2020-11-24.
[21]張萬榮, 萬禾湛, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張思佳, 張昭. 一種寬頻帶工作的差分有源電感[P]. 北京市: CN111884622A, 2020-11-03.
[22]張萬榮, 張昭, 謝紅云, 金冬月, 張思佳, 萬禾湛, 王飛虎. 一種射頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN111478680A, 2020-07-31.
[23]那偉聰, 孫語棠, 羅琪, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種結(jié)合先進(jìn)自適應(yīng)采樣和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的微波器件自動(dòng)建模方法[P]. 北京市: CN111460734A, 2020-07-28.
[24]張萬榮, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 萬禾湛, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN111446930A, 2020-07-24.
[25]孫晟, 金冬月, 張萬榮, 吳玲, 曹路明, 賈曉雪. 一種等溫分布的介質(zhì)槽隔離結(jié)構(gòu)SiGeHBT陣列[P]. 北京市: CN111081702A, 2020-04-28.
[26]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種應(yīng)用于微波器件的新型深層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)建模方法[P]. 北京市: CN110765704A, 2020-02-07.
[27]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 孫晟, 楊紹萌. 一種摻雜濃度可調(diào)的橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110556420A, 2019-12-10.
[28]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 那偉聰, 陳蕊, 楊邵萌. 等溫共發(fā)射區(qū)橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110310984A, 2019-10-08.
[29]謝紅云, 劉先程, 沙印, 郭敏, 馬佩, 張萬榮. 一種SOI基SiGe雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN110047969A, 2019-07-23.
[30]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 陳蕊, 王利凡, 陳虎, 賈曉雪. 具有低溫度敏感性的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN109742138A, 2019-05-10.
[31]張萬榮, 徐曙, 謝紅云, 金冬月, 張崟, 楊鑫. 一種可工作在Ku波段的有源電感[P]. 北京市: CN109450404A, 2019-03-08.
[32]張萬榮, 張崟, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 楊鑫, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN109412553A, 2019-03-01.
[33]張萬榮, 楊鑫, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 張崟, 張昭. 一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨(dú)立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN108900175A, 2018-11-27.
[34]張萬榮, 黃建程, 謝紅云, 金冬月, 董小喬, 王家寧, 張昭. 一種射頻集成有源電感[P]. 北京: CN108768342A, 2018-11-06.
[35]金冬月, 王利凡, 張萬榮, 陳蕊, 郭燕玲, 郭斌, 陳虎. 具有高特征頻率-擊穿電壓優(yōu)值的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN108010962A, 2018-05-08.
[36]謝紅云, 劉芮, 高杰, 吳佳輝, 馬佩, 張萬榮. 一種具有行波電極的硅基波導(dǎo)型光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京: CN107946383A, 2018-04-20.
[37]謝紅云, 吳佳輝, 劉芮, 孫丹, 馬佩, 高杰, 張萬榮. 基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京: CN107302037A, 2017-10-27.
[38]謝紅云, 馬佩, 劉碩, 高杰, 吳佳輝, 劉芮, 張萬榮. 具有本征層結(jié)構(gòu)的InGaAs/InP光敏晶體管紅外探測(cè)器[P]. 北京: CN107240616A, 2017-10-10.
[39]張萬榮, 楊坤, 謝紅云, 金冬月, 呂曉強(qiáng), 王娜, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 陳吉添, 黃鑫. 一種高Q值、電感值可粗調(diào)細(xì)調(diào)的寬頻帶有源電感[P]. 北京: CN107124157A, 2017-09-01.
[40]張萬榮, 溫曉偉, 謝紅云, 金冬月, 陳鵬輝, 黃鑫, 陳吉添, 劉亞澤, 呂曉強(qiáng), 王娜, 楊坤, 孫丹, 郭燕玲. 低功耗三頻帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN106301237A, 2017-01-04.
[41]謝紅云, 孫丹, 張良浩, 劉碩, 張萬榮. 超寬帶雙重增益控制電路[P]. 北京: CN106208997A, 2016-12-07.
[42]金冬月, 趙馨儀, 張萬榮, 郭燕玲, 陳蕊, 王利凡. 高熱穩(wěn)定性超結(jié)應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN106169498A, 2016-11-30.
[43]張萬榮, 劉亞澤, 謝紅云, 金冬月, 陳吉添, 黃鑫, 鄧薔薇, 王忠俊, 趙彥曉, 劉碩, 趙馨儀. 一種高Q值、電感值與工作頻率范圍可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京: CN105680822A, 2016-06-15.
[44]謝紅云, 劉碩, 張良浩, 孫丹, 張萬榮. 一種SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京: CN105226129A, 2016-01-06.
[45]張萬榮, 劉鵬, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉. 三個(gè)負(fù)跨導(dǎo)放大器構(gòu)成的大電感值、高Q值可調(diào)節(jié)有源電感[P]. 北京: CN105207664A, 2015-12-30.
[46]張萬榮, 王忠俊, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 黃鑫, 鄧薔薇. 一種寬頻帶、高Q值有源電感[P]. 北京: CN105071784A, 2015-11-18.
[47]張萬榮, 陳吉添, 謝紅云, 金冬月, 鄧薔薇, 黃鑫, 趙彥曉, 劉亞澤, 劉碩, 金子超, 趙馨儀. 采用負(fù)阻結(jié)構(gòu)的寬頻帶、高Q值、可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京: CN104980125A, 2015-10-14.
[48]趙彥曉, 張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 鄧薔薇, 金冬月. 線性化的晶體管合成電感[P]. 北京: CN104953984A, 2015-09-30.
[49]張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 金子超, 陳吉添, 劉亞澤, 劉碩, 趙馨儀. 一種射頻有源電感[P]. 北京: CN104917488A, 2015-09-16.
[50]趙彥曉, 張萬榮, 張良浩, 謝紅云, 黃鑫, 鄧薔薇, 金冬月. 晶體管合成電感[P]. 北京: CN104898761A, 2015-09-09.
[51]張萬榮, 陳鵬輝, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義, 鄧薔薇. 一種低功耗超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN104660185A, 2015-05-27.
[52]謝紅云, 張良浩, 劉碩, 張萬榮, 趙飛義, 鄧薔薇, 江之韻. 超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鱗P]. 北京: CN104362987A, 2015-02-18.
[53]張萬榮, 鄧薔薇, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義. 基于有源電感的可重配置超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN104242830A, 2014-12-24.
[54]金冬月, 王肖, 張萬榮, 付強(qiáng), 陳亮, 胡瑞心, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN104091825A, 2014-10-08.
[55]張萬榮, 趙飛義, 陳昌麟, 江之韻, 胡瑞心, 趙彥曉. 全差分式浮地有源電感[P]. 北京: CN104009722A, 2014-08-27.
[56]張萬榮, 陳昌麟, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊. 高Q值可調(diào)諧差分式有源電感[P]. 北京: CN103956986A, 2014-07-30.
[57]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 王肖, 付強(qiáng), 魯東. 超結(jié)集電區(qū)應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN103943670A, 2014-07-23.
[58]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 可小型化設(shè)計(jì)的電感[P]. 北京: CN103905012A, 2014-07-02.
[59]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN103888083A, 2014-06-25.
[60]霍文娟, 謝紅云, 江之韻, 張良浩, 張萬榮. 基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京: CN103545398A, 2014-01-29.
[61]江之韻, 謝紅云, 張良浩, 霍文娟, 張萬榮. 行波電極漸變耦合脊波導(dǎo)InP雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管[P]. 北京: CN103545399A, 2014-01-29.
[62]張萬榮, 丁春寶, 謝紅云, 金冬月, 陳亮, 付強(qiáng), 趙彥曉, 高棟, 魯東, 周孟龍, 張卿遠(yuǎn), 邵翔鵬, 霍文娟. 小面積、線性度可調(diào)諧的高線性低噪聲放大器[P]. 北京: CN103546104A, 2014-01-29.
[63]張萬榮, 周孟龍, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強(qiáng), 高棟, 魯東, 張卿遠(yuǎn), 邵翔鵬, 霍文娟. 高Q值超寬帶可調(diào)諧有源電感[P]. 北京: CN103546119A, 2014-01-29.
[64]張萬榮, 高棟, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強(qiáng), 魯東, 周孟龍, 張卿遠(yuǎn), 邵翔鵬, 霍文娟. 具有大電感值、高Q值的新型可調(diào)有源電感[P]. 北京: CN103532517A, 2014-01-22.
[65]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 魯東, 付強(qiáng), 王肖. 超寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性微波功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN103441141A, 2013-12-11.
[66]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN101656267, 2010-02-24.
發(fā)明授權(quán)：
[1]金冬月, 雷鑫, 關(guān)寶璐, 張萬榮, 潘永安, 周鈺鑫, 劉圓圓. 一種運(yùn)用粒子群算法優(yōu)化VCSEL陣列排布的方法[P]. 北京市: CN113868905B, 2024-03-29.
[2]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種應(yīng)用于微波器件的新型深層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)建模方法[P]. 北京市: CN110765704B, 2024-02-06.
[3]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的結(jié)合并行局部采樣和貝葉斯優(yōu)化的微波器件設(shè)計(jì)方法[P]. 北京市: CN113449423B, 2023-11-24.
[4]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的基于貝葉斯理論的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)微波器件建模方法[P]. 北京市: CN112347704B, 2023-10-20.
[5]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 曹路明, 劉圓圓. 一種電荷等離子體SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN113838927B, 2023-09-19.
[6]金冬月, 劉圓圓, 張萬榮, 賈曉雪, 潘永安, 曹路明, 雷鑫. 一種具有高壓和高增益模式的高頻橫向雙極晶體管電路[P]. 北京市: CN113838926B, 2023-09-12.
[7]張萬榮, 張昭, 謝紅云, 金冬月, 張思佳, 萬禾湛, 王飛虎. 一種射頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN111478680B, 2022-12-23.
[8]張萬榮, 萬禾湛, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張思佳, 張昭. 一種寬頻帶工作的差分有源電感[P]. 北京市: CN111884622B, 2022-12-23.
[9]張萬榮, 李祎康, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰. 高頻下大電感值高Q值且在同一頻率下Q峰值可獨(dú)立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN111988016B, 2022-12-23.
[10]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 陳蕊, 王利凡, 陳虎, 賈曉雪. 具有低溫度敏感性的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN109742138B, 2022-12-16.
[11]張萬榮, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 萬禾湛, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN111446930B, 2022-12-16.
[12]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 孫晟, 楊紹萌. 一種摻雜濃度可調(diào)的橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110556420B, 2022-11-04.
[13]謝紅云, 劉先程, 向洋, 郭敏, 沙印, 張萬榮. 一種具有光子晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制備方法[P]. 北京市: CN112531073B, 2022-09-20.
[14]謝紅云, 向洋, 沙印, 朱富, 紀(jì)瑞朗, 張萬榮. 一種硅基脊波導(dǎo)光電晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN112420858B, 2022-09-09.
[15]張萬榮, 徐曙, 謝紅云, 金冬月, 張崟, 楊鑫. 一種可工作在Ku波段的有源電感[P]. 北京市: CN109450404B, 2022-08-02.
[16]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 那偉聰, 陳蕊, 楊邵萌. 等溫共發(fā)射區(qū)橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110310984B, 2022-07-15.
[17]張萬榮, 張崟, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 楊鑫, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN109412553B, 2022-07-01.
[18]孫晟, 金冬月, 張萬榮, 吳玲, 曹路明, 賈曉雪. 一種等溫分布的介質(zhì)槽隔離結(jié)構(gòu)SiGeHBT陣列[P]. 北京市: CN111081702B, 2022-05-31.
[19]張萬榮, 李白, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種能對(duì)性能進(jìn)行多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN112583356B, 2022-05-24.
[20]金冬月, 潘永安, 張萬榮, 楊紹萌, 賈曉雪, 周鈺鑫, 雷鑫, 楊瀅齊. 高均勻結(jié)溫分布的垂直腔面發(fā)射激光器陣列[P]. 北京市: CN112688162B, 2022-03-29.
[21]金冬月, 楊紹萌, 張萬榮, 那偉聰, 吳玲, 楊瀅齊. 出光功率均勻的垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法[P]. 北京市: CN112448267B, 2022-02-11.
[22]張萬榮, 楊鑫, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 張崟, 張昭. 一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨(dú)立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN108900175B, 2021-09-07.
[23]張萬榮, 黃建程, 謝紅云, 金冬月, 董小喬, 王家寧, 張昭. 一種射頻集成有源電感[P]. 北京市: CN108768342B, 2021-09-03.
[24]金冬月, 王利凡, 張萬榮, 陳蕊, 郭燕玲, 郭斌, 陳虎. 具有高特征頻率-擊穿電壓優(yōu)值的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN108010962B, 2020-06-19.
[25]張萬榮, 楊坤, 謝紅云, 金冬月, 呂曉強(qiáng), 王娜, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 陳吉添, 黃鑫. 一種高Q值、電感值可粗調(diào)細(xì)調(diào)的寬頻帶有源電感[P]. 北京市: CN107124157B, 2020-05-08.
[26]謝紅云, 劉芮, 高杰, 吳佳輝, 馬佩, 張萬榮. 一種具有行波電極的硅基波導(dǎo)型光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN107946383B, 2019-09-03.
[27]謝紅云, 吳佳輝, 劉芮, 孫丹, 馬佩, 高杰, 張萬榮. 基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN107302037B, 2019-05-17.
[28]謝紅云, 孫丹, 張良浩, 劉碩, 張萬榮. 超寬帶雙重增益控制電路[P]. 北京市: CN106208997B, 2019-04-12.
[29]金冬月, 趙馨儀, 張萬榮, 郭燕玲, 陳蕊, 王利凡. 高熱穩(wěn)定性超結(jié)應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN106169498B, 2019-03-05.
[30]張萬榮, 溫曉偉, 謝紅云, 金冬月, 陳鵬輝, 黃鑫, 陳吉添, 劉亞澤, 呂曉強(qiáng), 王娜, 楊坤, 孫丹, 郭燕玲. 低功耗三頻帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN106301237B, 2019-02-15.
[31]謝紅云, 馬佩, 劉碩, 高杰, 吳佳輝, 劉芮, 張萬榮. 具有本征層結(jié)構(gòu)的InGaAs/InP光敏晶體管紅外探測(cè)器[P]. 北京市: CN107240616B, 2018-11-13.
[32]張萬榮, 劉亞澤, 謝紅云, 金冬月, 陳吉添, 黃鑫, 鄧薔薇, 王忠俊, 趙彥曉, 劉碩, 趙馨儀. 一種高Q值、電感值與工作頻率范圍可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京市: CN105680822B, 2018-09-04.
[33]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN103888083B, 2018-06-19.
[34]張萬榮, 王忠俊, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 黃鑫, 鄧薔薇. 一種寬頻帶、高Q值有源電感[P]. 北京市: CN105071784B, 2018-02-16.
[35]張萬榮, 劉鵬, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉. 三個(gè)負(fù)跨導(dǎo)放大器構(gòu)成的大電感值、高Q值可調(diào)節(jié)有源電感[P]. 北京市: CN105207664B, 2017-12-01.
[36]趙彥曉, 張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 鄧薔薇, 金冬月. 線性化的晶體管合成電感[P]. 北京市: CN104953984B, 2017-11-03.
[37]張萬榮, 陳吉添, 謝紅云, 金冬月, 鄧薔薇, 黃鑫, 趙彥曉, 劉亞澤, 劉碩, 金子超, 趙馨儀. 采用負(fù)阻結(jié)構(gòu)的寬頻帶、高Q值、可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京市: CN104980125B, 2017-10-13.
[38]張萬榮, 陳鵬輝, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義, 鄧薔薇. 一種低功耗超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN104660185B, 2017-07-14.
[39]張萬榮, 鄧薔薇, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義. 基于有源電感的可重配置超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN104242830B, 2017-06-27.
[40]張萬榮, 趙飛義, 陳昌麟, 江之韻, 胡瑞心, 趙彥曉. 全差分式浮地有源電感[P]. 北京市: CN104009722B, 2017-06-16.
[41]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 可小型化設(shè)計(jì)的電感[P]. 北京市: CN103905012B, 2017-06-06.
[42]趙彥曉, 張萬榮, 張良浩, 謝紅云, 黃鑫, 鄧薔薇, 金冬月. 晶體管合成電感[P]. 北京市: CN104898761B, 2017-05-10.
[43]金冬月, 王肖, 張萬榮, 付強(qiáng), 陳亮, 胡瑞心, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN104091825B, 2017-04-19.
[44]謝紅云, 張良浩, 劉碩, 張萬榮, 趙飛義, 鄧薔薇, 江之韻. 超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鱗P]. 北京市: CN104362987B, 2017-04-19.
[45]張萬榮, 陳昌麟, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊. 高Q值可調(diào)諧差分式有源電感[P]. 北京市: CN103956986B, 2017-02-15.
[46]謝紅云, 劉碩, 張良浩, 孫丹, 張萬榮. 一種SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN105226129B, 2017-02-01.
[47]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 王肖, 付強(qiáng), 魯東. 超結(jié)集電區(qū)應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN103943670B, 2016-10-05.
[48]張萬榮, 周孟龍, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強(qiáng), 高棟, 魯東, 張卿遠(yuǎn), 邵翔鵬, 霍文娟. 高Q值超寬帶可調(diào)諧有源電感[P]. 北京市: CN103546119B, 2016-09-21.
[49]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 魯東, 付強(qiáng), 王肖. 超寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性微波功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN103441141B, 2016-08-10.
[50]江之韻, 謝紅云, 張良浩, 霍文娟, 張萬榮. 行波電極漸變耦合脊波導(dǎo)InP雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管[P]. 北京市: CN103545399B, 2016-06-29.
[51]霍文娟, 謝紅云, 江之韻, 張良浩, 張萬榮. 基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器[P]. 北京市: CN103545398B, 2016-06-08.
[52]張萬榮, 丁春寶, 謝紅云, 金冬月, 陳亮, 付強(qiáng), 趙彥曉, 高棟, 魯東, 周孟龍, 張卿遠(yuǎn), 邵翔鵬, 霍文娟. 小面積、線性度可調(diào)諧的高線性低噪聲放大器[P]. 北京市: CN103546104B, 2016-06-01.
[53]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN101656267B, 2011-08-17.
實(shí)用新型：
[1]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN201508838U, 2010-06-16.
[2]甘軍寧, 魯俊杰, 張萬榮, 賈寶敦. 智能安全鍵盤[P]. 北京: CN201111222, 2008-09-03.
論文專著：
發(fā)表英文期刊論文：
[1]Xie, Hongyun*; Liu, Shuo; Zhang, Lianghao; Jiang, Zhiyun; Zhao, Yanxiao; Chen, Liang; Zhang, Wanrong.Low power dissipation SiGe HBT dual-band variable gain amplifier.Microelectronics Journal, 2015, 46(7): 626-631.
[2]Jiang Zhi-Yun; Xie Hong-Yun*; Zhang Liang-Hao; Zhang Wan-Rong; Hu Rui-Xin; Huo Wen-Juan.Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor.Chinese Physics B, 2015, 24(4): 048504.
[3]Zhao, Yanxiao; Zhang, Wanrong*.An Improved Active Inductor with Tunable Active Resistor Feedback and Multi-regulated Cascode Circuit.Sensors & Transducers Journal, 2014, 172(6): 191-195.
[4]Huo Wen-Juan*; Xie Hong-Yun; Liang Song; Zhang Wan-Rong; Jiang Zhi-Yun; Chen Xiang; Lu Dong.Uni-traveling-carrier double heterojunction phototransistor photodetector.Acta Physica Sinica, 2013, 62(22): 228501.
[5]Hu R.X.; Jin D.Y.; Zhang W.R.Simultaneous optimization of Ge doping profile and layout in multi-finger power SiGe HBTs.Advanced Materials Research, 2013, 816(3): 80-83.
[6]FuQiang(付強(qiáng)),ZhangWanrong（張萬榮）,JinDongyue（金冬).Design and Optimization of Ge Profile for Improved Thermal Stability of SiGe HBTs.Journal of Semiconductor, 2013, 34(6).
[7]Chunbao Ding, Wanrong Zhang, Dongyue Jin, Hongyun.A novel low power UWB cascode SiGe BiCMOS LNA with current reuse and zero-pole cancellation.International Journal of Electronics and Communications(AEU), 2013, 67(04): 323-328.
[8]Chunbao Ding,Wanrong Zhang, Dongyue Jin, Hongyun.An inductorless high linear UWB Cascode LNA with tunable active resistance feedback and post-linearization technique.Microelectronics journal, 2013, 44(4): 315-320.
[9]LuZhiyi(路志義),XieHongyun(謝紅云),HuoWenjuan(霍文娟); ZhangWanrong(張萬榮).The Design Of 0.9GHz And 2.4GHz Dual Band SiGe HBT LNA.Journal of Semiconductors(半導(dǎo)體學(xué)報(bào)), 2013, 34(2).
[10]Zhang Yu-Jie*; Zhang Wan-Rong; Jin Dong-Yue; Chen Liang; Fu Qiang; Guo Zhen-Jie; Xing Guang-Hui; Lu Zhi-Yi.Effects of Ge profile on thermal characteristics of SiGe heteroj unction bipolar transistor with non-uniform doping profile in base region.ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 62(3): 034401.
[11]Lu Dong*; Jin Dong-Yue; Zhang Wan-Rong; Zhang Yu-Jie; Fu Qiang; Hu Rui-Xin; Gao Dong; Zhang Qing-Yuan; Huo Wen-Juan; Zhou Meng-Long; Shao Xiang-Peng.Novel microwave power sige heterojunction bipolar transistor with high thermal stability over a wide temperature range.ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 62(10): 104401.
[12]Jin D. Y.; Hu R. X.; Zhang W. R.Novel Emitter-Segmented Power HBT with 2-D Non-Uniform Segment Spacing.Applied Mechanics and Materials, 2012, 232(2): 737-741.
[13]Zhao Xin; Zhang Wan-Rong; Jin Dong-Yue; Fu Qiang; Chen Liang; Xie Hong-Yun; Zhang Yu-Jie.Effects of Ge profile in base region on thermal characteristics of SiGe HBTs.Acta Physica Sinica, 2012, 61(13): 134401.
[14]Jin D. Y.; Lu D.; Zhang W. R.Novel multi-finger power HBTs with non-uniform segmented emitter for thermal stability enhancement.Applied Mechanics and Materials, 2012, 229(1): 832-836.
[15]Chen Liang*; Zhang Wan-Rong; Xie Hong-Yun; Jin Dong-Yue; Ding Chun-Bao; Fu Qiang; Wang Ren-Qing; Xiao Ying; Zhao Xin.Restabilizing Mechanisms after the Onset of Thermal Instability in Bipolar Transistors.Chinese Physics Letters, 2011, 28(7): 078501.
[16]Jin Dong-Yue*; Zhang Wan-Rong; Fu Qiang; Chen Liang; Xiao Ying; Wang Ren-Qing; Zhao Xin.Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achieve high thermal stability.Chinese Physics B, 2011, 20(7): 074401.
[17]Chen Liang*; Zhang Wan-Rong; Jin Dong-Yue; Xie Hong-Yun; Xiao Ying; Wang Ren-Qing; Ding Chun-Bao.Improvement on thermal stability of power heterojunction bipolar transistor using non-uniform finger spacing.Acta Physica Sinica, 2011, 60(7): 078501.
[18]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Chen Liang; Fu Qiang; Xiao Ying; Wan Renqing; Zhao Xin.Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors.Chinese Physics B, 2011, 20(6).
[19]Xiao Ying*; Zhang Wan-Rong; Jin Dong-Yue; Chen Liang; Wang Ren-Qing; Xie Hong-Yun.Effect of bandgap engineering on thermal characteristic of radio frequency power SiGe heterojunction bipolar transistor.Acta Physica Sinica, 2011, 60(4): 044402.
[20]ChenLiang(陳亮),ZhangWan-Rong(張萬榮),JinDong-Yue*.Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing.Chinese Physics B, 2011, 20(1)
[21]Xie Hong-Yun;Zhang Wan-Rong*.Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method.Journal of Semiconductors, 2010, 31(06).
[22]Jin Dong-Yue;Zhang Wan-Rong.Structure optimization of multi-finger power SiGe HBTs for thermal stability improvement.Microelectronics Reliability, 2009, 49(4): 382-386.
[23]Xie Hong-Yun; Jin Dong-Yue; He Li-Jian; Zhang Wei; Wang Lu; Zhang Wan-Rong; Wang Wei.Optical microwave generation based on DFB lasers.Acta Physica Sinica, 2008, 57(7): 4558-4563.
[24]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Shen Pei; Xie Hongyun; Wang Yang; Zhang Wei; He Lijian; Sha Yongping; Li Jia; Gan Junning.Multi-finger power SiGeHBTs for thermal stability enhancement over a wide biasing range.Solid-State Electronics, 2008, 52(6): 937-940.
發(fā)表中文期刊論文：
[1]李楠星, 張萬榮, 王曉雪, 高文靜, 任衍貴, 吳銀烽. 一款基于雙回轉(zhuǎn)環(huán)路和噪聲抑制支路的新型有源電感[J]. 電子器件, 2024, 47 (02): 301-306.
[2]金冬月, 洪福臨, 張萬榮, 張洪源, 王毅華, 王煥哲, 王楷堯, 關(guān)寶璐. 垂直腔面發(fā)射激光器陣列熱設(shè)計(jì)研究進(jìn)展[J]. 激光技術(shù), 1-22.
[3]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及其微波應(yīng)用課程設(shè)計(jì)與教學(xué)改革研究[J]. 電腦知識(shí)與技術(shù), 2024, 20 (08): 28-31.
[4]王曉雪, 張萬榮, 那偉聰, 任衍貴, 李楠星, 高文靜, 吳銀烽. 一種Q-f特性和對(duì)工作電壓波動(dòng)魯棒性增強(qiáng)的有源電感[J]. 電子器件, 2024, 47 (01): 10-14.
[5]李楠星, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 高文靜, 任衍貴, 吳銀烽. 一種新型的Q值與L值可相互獨(dú)立調(diào)諧的低噪聲有源電感[J]. 微電子學(xué), 2024, 54 (01): 92-97.
[6]宋金達(dá), 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 王雪, 張輝, 楚尚勛, 曹健. 一種Q-頻率特性增強(qiáng)的低噪聲壓控有源電感[J]. 微電子學(xué), 2024, 54 (01): 98-103.
[7]任衍貴, 張萬榮, 那偉聰, 謝紅云, 金冬月, 王曉雪, 吳銀烽, 高文靜, 李楠星. 一種電感值和Q峰值可相互獨(dú)立調(diào)諧的高線性有源電感[J]. 微電子學(xué), 2023, 53 (06): 1091-1097.
[8]金冬月, 曹路明, 王佑, 張萬榮, 賈曉雪, 潘永安, 邱翱. 軟擊穿對(duì)壓控磁各向異性磁隧道結(jié)及其讀電路性能影響[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2024, 50 (01): 10-17.
[9]梁巖, 張萬榮, 那偉聰, 金冬月, 謝紅云, 許雅妹, 蔡梓騰. 一種電感值線性度高和Q值在多頻點(diǎn)下保持恒定的新型寬帶有源電感[J]. 電子器件, 2023, 46 (05): 1169-1173.
[10]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 那偉聰, 曹路明, 潘永安, 劉圓圓, 范廣祥. 兼具高電流增益和高擊穿性能的電荷等離子體雙極晶體管[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2023, 49 (11): 1141-1149.
[11]許雅妹, 張萬榮, 那偉聰, 金冬月, 謝紅云, 梁巖, 蔡梓騰. 一種低壓低功耗有源電感[J]. 微電子學(xué), 2023, 53 (03): 419-424.
[12]高文靜, 張萬榮, 王曉雪, 李楠星, 任衍貴, 吳銀烽. 一種Q-f與L-f特性增強(qiáng)的高線性有源電感[J]. 微電子學(xué), 2023, 53 (03): 425-430.
[13]邱宗玉, 張萬榮. 一種改進(jìn)型共源-共柵-共漏有源電感[J]. 微電子學(xué), 2023, 53 (02): 344-349.
[14]康翼麟, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 李白. 一款多種優(yōu)異性能集于一體的高頻壓控有源電感[J]. 電子器件, 2023, 46 (01): 10-15.
[15]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 楊紹萌, 賈曉雪, 劉圓圓, 楊瀅齊. SOI基橫向SiGe HBT高頻功率性能改善技術(shù)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2022, 48 (12): 1280-1288.
[16]李祎康, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李白, 康翼麟. 一種同時(shí)具有優(yōu)秀電感值和Q值特性的壓控有源電感[J]. 電子器件, 2022, 45 (02): 251-255.
[17]李白, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種性能多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[J]. 微電子學(xué), 2022, 52 (01): 22-27.
[18]金冬月, 曹路明, 王佑, 賈曉雪, 潘永安, 周鈺鑫, 雷鑫, 劉圓圓, 楊瀅齊, 張萬榮. 基于工藝偏差的自旋轉(zhuǎn)移矩輔助壓控磁各向異性磁隧道結(jié)電學(xué)模型及其應(yīng)用研究[J]. 物理學(xué)報(bào), 2022, 71 (10): 400-412.
[19]張思佳, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 萬禾湛, 張昭. 一種新型高線性高頻有源電感[J]. 電子器件, 2021, 44 (06): 1309-1313.
[20]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 《微波電路設(shè)計(jì)的智能學(xué)習(xí)技術(shù)》課程內(nèi)容設(shè)計(jì)與教學(xué)方法[J]. 電子世界, 2021, (21): 73-74.
[21]張萬榮, 王飛虎. 新型PD協(xié)議芯片BMC解碼電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用, 2021, 47 (11): 29-32+38.
[22]李雨佳, 唐建石, 高濱, 許峰, 李辛毅, 張萬榮, 吳華強(qiáng), 錢鶴. 一種抑制選通器耐受性退化的兩步寫入方法[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2021, 46 (06): 434-439.
[23]萬禾湛, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張思佳, 張昭. 一種采用LC諧振電路的高頻差分有源電感[J]. 微電子學(xué), 2021, 51 (02): 179-182.
[24]金冬月, 陳虎, 王佑, 張萬榮, 那偉聰, 郭斌, 吳玲, 楊紹萌, 孫晟. 基于工藝偏差的電壓調(diào)控磁各向異性磁隧道結(jié)電學(xué)模型及其在讀寫電路中的應(yīng)用[J]. 物理學(xué)報(bào), 2020, 69 (19): 354-364.
[25]馬佩, 謝紅云, 沙印, 向洋, 陳亮, 郭敏, 劉先程, 張萬榮. 光窗口對(duì)SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光電晶體管光響應(yīng)的影響[J]. 光子學(xué)報(bào), 2020, 49 (08): 129-138.
[26]楊鑫, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 張崟, 徐曙, 那偉聰. 采用全差分有源電感的高優(yōu)值VCO[J]. 微電子學(xué), 2020, 50 (01): 27-31.
[27]劉先程, 馬佳俊, 謝紅云, 馬佩, 陳亮, 郭敏, 張萬榮. Effects of buried oxide layer on working speed of SiGe heterojunction photo-transistor[J]. Chinese Physics B, 2020, 29 (02): 529-533.
[28]謝紅云, 郭敏, 馬佳俊, 高杰, 陳亮, 馬佩, 劉先程, 張萬榮. 漸變耦合脊波導(dǎo)晶體管探測(cè)器光響應(yīng)分析[J]. 光子學(xué)報(bào), 2019, 48 (12): 14-20.
[29]胡冬青, 張萬榮. 基于解決“復(fù)雜工程問題”能力培養(yǎng)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)課程教學(xué)反思[J]. 電子世界, 2019, (23): 67-68.
[30]謝紅云, 張萬榮. 微電子工藝多元混合教學(xué)模式探究[J]. 電子世界, 2019, (23): 37-38.
[31]徐曙, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張崟, 楊鑫. 一種電感值可獨(dú)立調(diào)節(jié)的低噪聲有源電感[J]. 微電子學(xué), 2020, 50 (02): 272-275+280.
[32]張崟, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 徐曙, 楊鑫. 一種高Q值且頻帶可獨(dú)立調(diào)諧的差分有源電感[J]. 微電子學(xué), 2020, 50 (02): 248-252.
[33]陳蕊, 金冬月, 張萬榮, 王利凡, 郭斌, 陳虎, 殷凌寒, 賈曉雪. Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design of microwave power HBTs with two-dimensional array layout[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (09): 383-390.
[34]崔碧峰, 張萬榮, 胡冬青, 劉榿, 馮士維. 工程教育背景下畢業(yè)設(shè)計(jì)評(píng)價(jià)體系研究[J]. 電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào), 2019, 41 (04): 4-6.
[35]謝紅云, 劉芮, 陳泉秀, 吳佳輝, 陳亮, 馬佩, 高杰, 張萬榮. 基于雙重增益控制技術(shù)的超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑O(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2019, 45 (07): 646-653.
[36]唐彥, 封志宏, 王忠俊, 王璞, 海寧, 張萬榮. 一種增益可調(diào)節(jié)的MB-LPC-LNA[J]. 微電子學(xué), 2019, 49 (02): 188-192.
[37]黃建程, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 董小喬, 王家寧. 一種Q值高且可獨(dú)立調(diào)節(jié)的新型寬帶有源電感[J]. 微電子學(xué), 2018, 48 (06): 825-829.
[38]李雨佳, 吳華強(qiáng), 高濱, 化麒麟, 張昭, 張萬榮, 錢鶴. Impact of variations of threshold voltage and hold voltage of threshold switching selectors in 1S1R crossbar array[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (11): 634-637.
[39]謝紅云, 吳佳輝, 劉芮, 高杰, 馬佩, 張萬榮. 基于PIN二極管的動(dòng)態(tài)信號(hào)反饋增益調(diào)控電路[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2018, 44 (11): 1391-1395.
[40]謝紅云, 張萬榮, 金冬月, 崔碧峰. 基于OBE理念的開放交互實(shí)時(shí)地微電子工藝教學(xué)改進(jìn)[J]. 電子世界, 2018, (21): 65-66.
[41]趙彥曉, 王亞飛, 李振松, 張萬榮, 丁紅. 一種高Q值高線性度SiGe HBT有源電感[J]. 微電子學(xué), 2018, 48 (03): 344-347.
[42]溫曉偉, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 黃鑫, 楊坤, 呂曉強(qiáng), 王娜, 孫丹, 郭燕玲, 杜成孝. 一種采用噪聲抵消及多重功耗優(yōu)化技術(shù)的UWB-LNA[J]. 電子器件, 2018, 41 (03): 689-694.
[43]王娜, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 陳吉添, 呂曉強(qiáng), 楊坤, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 董小喬, 杜成孝. 一種雙回轉(zhuǎn)器有源電感[J]. 電子器件, 2017, 40 (06): 1378-1382.
[44]楊坤, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 呂曉強(qiáng), 王娜, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 杜成孝. 采用調(diào)制晶體管和雙反饋回路的有源電感[J]. 微電子學(xué), 2017, 47 (05): 630-634.
[45]劉碩, 謝紅云, 孫丹, 劉芮, 吳佳輝, 張萬榮. 雙異質(zhì)結(jié)單載流子傳輸光敏晶體管輸出電流[J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2017, 36 (05): 594-598.
[46]孫丹, 謝紅云, 劉芮, 劉碩, 吳佳輝, 張萬榮. 單載流子傳輸光敏晶體管小信號(hào)等效電路模型的建立與分析[J]. 光子學(xué)報(bào), 2017, 46 (11): 55-61.
[47]劉亞澤, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 陳吉添, 黃鑫, 劉碩, 趙馨儀. 一種高增益且可調(diào)諧的1～3GHz寬帶LNA[J]. 微電子學(xué), 2017, 47 (03): 341-346.
[48]呂曉強(qiáng), 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 楊坤, 王娜, 溫曉偉, 杜成孝. 基于有源網(wǎng)絡(luò)和受控輔助電阻支路的有源電感[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2017, 42 (06): 436-440+447.
[49]陳吉添, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 杜成孝, 黃鑫, 劉亞澤, 劉碩, 趙馨儀. 一款增益可調(diào)且平坦的超寬帶低噪聲放大器[J]. 電子器件, 2017, 40 (02): 326-332.
[50]張萬榮, 黃鑫, 金冬月, 謝紅云, 陳吉添, 劉亞澤, 劉碩, 趙馨儀, 杜成孝. 一種增益可多重調(diào)節(jié)的低功耗雙頻段低噪聲放大器[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2017, 43 (04): 566-573.
[51]王忠俊, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 趙彥曉, 鄧薔薇, 黃鑫, 劉鵬. 一種采用有源電感的可調(diào)增益小面積超寬帶低噪聲放大器[J]. 電子器件, 2017, 40 (01): 55-60.
[52]劉鵬, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 王忠俊, 鄧薔薇, 陳鵬輝, 張良浩, 王肖. 一種電流舵結(jié)構(gòu)大范圍連續(xù)可變?cè)鲆鍸NA[J]. 微電子學(xué), 2017, 47 (01): 45-49.
[53]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 趙彥曉, 王肖. A technique for simultaneously improving the product of cutoff frequency–breakdown voltage and thermal stability of SOI SiGe HBT[J]. Chinese Physics B, 2016, 25 (12): 312-317.
[54]陳鵬輝, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 鄧薔薇, 劉鵬, 王忠俊, 張良浩, 王肖, 趙彥曉. 一種低功耗雙頻段低噪聲放大器[J]. 微電子學(xué), 2016, 46 (04): 437-440+444.
[55]金冬月, 王肖, 張萬榮, 高光渤, 趙馨儀, 郭燕玲, 付強(qiáng). 具有高頻高壓大電流優(yōu)值的超結(jié)集電區(qū)SiGe HBT[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2016, 42 (07): 994-1000.
[56]鄧薔薇, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 劉鵬, 王忠俊, 陳鵬輝, 王肖, 張良浩. 采用有源電感的小面積寬可調(diào)范圍VCO[J]. 微電子學(xué), 2016, 46 (03): 364-368.
[57]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 黃鑫, 張良浩, 金子超, 付強(qiáng). 橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)SiGe HBT小信號(hào)模型參量的影響[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2016, 42 (04): 508-512.
[58]趙彥曉, 張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 金冬月, 付強(qiáng). Effect of lateral structure parameters of SiGe HBTs on synthesized active inductors[J]. Chinese Physics B, 2016, 25 (03): 438-443.
[59]張良浩, 謝紅云, 趙彥曉, 張萬榮, 江之韻, 劉碩. 采用PIN二極管反饋的射頻可變?cè)鲆娣糯笃鱗J]. 電子學(xué)報(bào), 2016, 44 (01): 206-210.
[60]祝雪菲, 張萬榮, 萬培元, 王成龍, 靳佳偉, 史巖, 馬威, 薛寶華. 基于門控結(jié)構(gòu)的低功耗掃描測(cè)試方案[J]. 電子器件, 2015, 38 (06): 1316-1320.
[61]謝紅云, 孫丹, 張良浩, 江之韻, 劉碩, 張萬榮. 單載流子傳輸雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管頻率特性分析(邀請(qǐng)論文)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2015, 41 (12): 1878-1883.
[62]謝紅云, 張萬榮, 侯立剛, 金冬月. 集成電路設(shè)計(jì)大賽與實(shí)踐能力培養(yǎng)[J]. 電子世界, 2015, (23): 50-51.
[63]劉鵬, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 王忠俊, 鄧薔薇, 張良浩, 王肖, 陳亮. 用于5G-WiFi的可變?cè)鲆嬗性窗蛡怢NA[J]. 微電子學(xué), 2015, 45 (05): 585-589.
[64]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 高光渤, 王肖, 付強(qiáng), 趙馨儀, 江之韻. 具有高電流增益-擊穿電壓優(yōu)值的新型應(yīng)變Si/SiGe HBT[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2015, 41 (09): 1321-1325.
[65]祝雪菲, 張萬榮, 萬培元, 林平分, 王成龍, 劉文斌. 一種有效實(shí)現(xiàn)IC時(shí)序收斂的方法[J]. 微電子學(xué), 2015, 45 (04): 474-478+483.
[66]王成龍, 張萬榮, 萬培元, 祝雪菲, 王樹甫. 一種UHF RFID標(biāo)簽低功耗物理設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2015, 35 (03): 253-258.
[67]鄧薔薇, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 王忠俊, 劉鵬, 陳鵬輝, 王肖, 張良浩. 兼有高Q值、高電感值、高線性度的新型全差分有源電感[J]. 電子器件, 2015, 38 (03): 489-494.
[68]白楊, 張萬榮, 江之韻, 胡瑞心, 卓匯涵, 陳昌麟, 趙飛義. 一種低抖動(dòng)電荷泵鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2015, 38 (03): 516-520.
[69]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 趙彥曉, 張良浩. 寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性SiGe HBT的基區(qū)優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2015, 41 (05): 686-692.
[70]卓匯涵, 張萬榮, 靳佳偉, 周永旺. 一種低功耗寬頻率調(diào)諧范圍的偽差分環(huán)形VCO[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2015, 40 (05): 343-347.
[71]王成龍, 張萬榮, 林平分, 萬培元, 祝雪菲. 深亞微米SOC電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2015, 35 (02): 171-175.
[72]陳昌麟, 張萬榮, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊, 江之韻, 胡瑞心, 陳亮. 一種輸出匹配可調(diào)的、高線性度寬帶功率放大器[J]. 電子器件, 2015, 38 (02): 321-326.
[73]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 趙彥曉, 張良浩. Collector optimization for improving the product of the breakdown voltage–cutoff frequency in SiGe HBT[J]. Journal of Semiconductors, 2015, 36 (04): 61-64.
[74]江之韻, 謝紅云, 張良浩, 張萬榮, 胡瑞心, 霍文娟. Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor[J]. Chinese Physics B, 2015, 24 (04): 539-543.
[75]邵翔鵬, 張萬榮, 丁春寶, 張卿遠(yuǎn), 高棟, 霍文娟, 周孟龍, 魯東. 基于噪聲抵消技術(shù)的超寬帶低噪聲放大器[J]. 電子器件, 2015, 38 (01): 74-77.
[76]陳昌麟, 張萬榮, 丁春寶, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊, 江之韻, 胡瑞心, 陳亮. 采用Cascode拓?fù)浜蚏C反饋網(wǎng)絡(luò)的高Q差分有源電感[J]. 微電子學(xué), 2015, 45 (01): 67-71.
[77]白楊, 張萬榮, 陳昌麟, 趙飛義, 卓匯涵, 江之韻, 胡瑞心. 基于常數(shù)跨導(dǎo)軌到軌運(yùn)算放大器的新型電荷泵[J]. 微電子學(xué), 2015, 45 (01): 41-45.
[78]趙飛義, 張萬榮, 丁春寶, 陳昌麟, 胡瑞心, 卓匯涵, 江之韻, 白楊, 陳亮. 3.1~10.6 GHz低功耗超寬帶低噪聲放大器[J]. 微電子學(xué), 2014, 44 (06): 737-740+745.
[79]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 趙飛義. 基于電流復(fù)用與有源電感的UWB LNA[J]. 華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版), 2014, 42 (12): 87-90.
[80]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 魯東. Collector optimization for tradeoff between breakdown voltage and cut-off frequency in SiGe HBT[J]. Chinese Physics B, 2014, 23 (11): 358-362.
[81]邵翔鵬, 張萬榮, 丁春寶, 張卿遠(yuǎn), 高棟, 周孟龍, 魯東, 霍文娟. 低功耗寬帶CMOS低噪聲放大器[J]. 電子器件, 2014, 37 (05): 908-911.
[82]趙飛義, 張萬榮, 丁春寶, 陳昌麟, 胡瑞心, 卓匯涵, 江之韻, 白楊, 陳亮. 基于噪聲抵消技術(shù)的低功耗C頻段差分低噪聲放大器[J]. 電訊技術(shù), 2014, 54 (08): 1140-1145.
[83]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 郭振杰, 高棟. 無螺旋電感的小面積SiGe HBT寬帶低噪聲放大器[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2014, 40 (05): 690-695.
[84]周孟龍, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 高棟, 張卿遠(yuǎn), 魯東, 霍文娟. 有源電感復(fù)用型2.4GHz/5.2GHz雙頻段LNA[J]. 微電子學(xué), 2014, 44 (01): 23-27+33.
[85]周孟龍, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 高棟, 張卿遠(yuǎn), 魯東, 霍文娟. 負(fù)阻補(bǔ)償型CMOS高Q值超寬帶可調(diào)諧有源電感[J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (06): 751-755.
[86]高棟, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 周孟龍, 張卿遠(yuǎn), 邵祥鵬, 魯東, 霍文娟. 基于有源電阻反饋和分流支路的新型有源電感[J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (06): 760-763+772.
[87]張卿遠(yuǎn), 張萬榮, 邢光輝, 高棟, 周孟龍, 邵翔鵬, 魯東, 霍文娟. 一種基于SiGe HBT的寬動(dòng)態(tài)范圍可變?cè)鲆娣糯笃鱗J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (06): 773-776.
[88]高棟, 張萬榮, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 卓匯涵. 一款應(yīng)用于多頻帶的基于新型Cascode有源電感的高Q帶通濾波器[J]. 電子器件, 2013, 36 (05): 667-671.
[89]霍文娟, 謝紅云, 梁松, 張萬榮, 江之韻, 陳翔, 魯東. 單載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器的研究[J]. 物理學(xué)報(bào), 2013, 62 (22): 422-431.
[90]邢光輝, 張萬榮, 謝紅云, 丁春寶, 郭振杰, 路志義, 張瑜潔, 張卿遠(yuǎn). 一種利用衰減器實(shí)現(xiàn)的超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鱗J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (04): 468-471+479.
[91]張卿遠(yuǎn), 張萬榮, 丁春寶, 邢光輝, 周孟龍, 高棟, 魯東, 霍文娟, 邵翔鵬. 采用新型電流舵結(jié)構(gòu)的增益可調(diào)UWBLNA[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用, 2013, 39 (08): 33-36.
[92]郭振杰, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 丁春寶, 邢光輝, 路志義, 張瑜潔. 基于有源電感的全集成超寬帶低噪聲放大器[J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (03): 316-320.
[93]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 張瑜潔. Design and optimization of Ge profiles for improved thermal stability of SiGe HBTs[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 34 (06): 44-48.
[94]魯東, 金冬月, 張萬榮, 張瑜潔, 付強(qiáng), 胡瑞心, 高棟, 張卿遠(yuǎn), 霍文娟, 周孟龍, 邵翔鵬. 新型寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性微波功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[J]. 物理學(xué)報(bào), 2013, 62 (10): 278-283.
[95]邢光輝, 張萬榮, 謝紅云, 丁春寶, 陳亮, 郭振杰, 路志義, 張瑜潔, 周永強(qiáng). 一種采用SiGe HBT的新型超寬帶有源可調(diào)衰減器[J]. 微電子學(xué), 2013, 43 (01): 10-13.
[96]路志義, 謝紅云, 霍文娟, 張萬榮. 0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 34 (02): 67-71.
[97]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 郭振杰, 丁春寶, 付強(qiáng). 應(yīng)用于射頻前端的高Q值SiGe HBT有源電感[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2013, 38 (02): 101-104.
[98]張瑜潔, 張萬榮, 金冬月, 陳亮, 付強(qiáng), 郭振杰, 邢光輝, 路志義. Ge組分分布對(duì)基區(qū)雜質(zhì)非均勻分布的SiGe HBT溫度特性的影響[J]. 物理學(xué)報(bào), 2013, 62 (03): 200-206.
[99]丁春寶, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 趙彥曉. 基于噪聲抵消的有源匹配SiGe HBT低噪聲放大器設(shè)計(jì)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2012, 38 (12): 1822-1827.
[100]丁春寶; 張萬榮; 金冬月; 謝紅云; 陳亮; 沈佩; 張東暉; 劉波宇; 周永強(qiáng); 郭振杰.基于Darlington Cascode結(jié)構(gòu)的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管UWB低噪聲放大器的設(shè)計(jì).高技術(shù)通訊, 2012, 22(10): 1070-1076.
[101]郭振杰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 陳亮, 邢光輝, 路志義, 張瑜潔. 射頻前端寬帶高Q值可調(diào)節(jié)集成有源電感[J]. 微電子學(xué), 2012, 42 (05): 676-679.
[102]路志義, 謝紅云, 張萬榮, 霍文娟, 郭振杰, 邢光輝, 張瑜潔, 丁春寶, 金冬月. SiGe HBT雙頻段可變?cè)鲆娣糯笃髟O(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2012, 42 (05): 617-621.
[103]謝紅云, 霍文娟, 江之韻, 路志義, 張萬榮. 非統(tǒng)一多量子阱波長(zhǎng)可選DFB激光器[J]. 中國(guó)激光, 2012, 39 (10): 12-16.
[104]沈珮, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 黃璐. 改善放大器噪聲性能的SiGe HBT幾何參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2012, 38 (08): 1158-1161.
[105]丁春寶, 張萬榮, 謝紅云, 沈珮, 陳亮, 尤云霞, 孫博韜, 王任卿. 3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2012, 38 (08): 1162-1166.
[106]趙昕, 張萬榮, 金冬月, 付強(qiáng), 陳亮, 謝紅云, 張瑜潔. 基區(qū)Ge組分分布對(duì)SiGe HBTs熱學(xué)特性的影響[J]. 物理學(xué)報(bào), 2012, 61 (13): 259-265.
[107]張瑜潔, 張萬榮, 金冬月, 陳亮, 付強(qiáng), 趙昕. 基區(qū)不同Ge組分分布的多指SiGe HBT熱學(xué)特性[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2012, 37 (06): 437-441.
[108]張東暉, 張萬榮, 謝紅云, 丁春寶, 趙昕, 劉波宇. 用于SiGe HBT LNA的新型雙有源偏置電路的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2012, 42 (02): 224-228.
[109]趙昕, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 付強(qiáng), 張東暉. 基區(qū)Ge組分分布對(duì)SiGe HBT熱學(xué)特性的影響[J]. 微電子學(xué), 2012, 42 (02): 289-292+296.
[110]謝紅云, 路志義, 霍文娟, 丁春寶, 劉波宇, 張東暉, 張萬榮. 適于超寬帶放大器的增益平坦化反饋技術(shù)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2011, 37 (11): 1638-1643.
[111]趙昕, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 付強(qiáng), 張東暉, 劉波宇, 周永強(qiáng). 改善多指HBT熱穩(wěn)定性的非均勻指間距技術(shù)[J]. 微電子學(xué), 2011, 41 (04): 577-581.
[112]周永強(qiáng), 王立新, 張萬榮, 夏洋, 謝紅云, 丁春寶. 射頻功率晶體管內(nèi)匹配技術(shù)中鍵合線的建模仿真與參數(shù)提取[J]. 電子器件, 2011, 34 (04): 363-366.
[113]肖盈, 張萬榮, 金冬月, 陳亮, 王任卿, 丁春寶. 用于改善多指SiGe HBT熱特性的變指間距設(shè)計(jì)方法研究[J]. 電子器件, 2011, 34 (04): 374-378.
[114]陳亮, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 肖盈, 王任卿, 丁春寶. 采用發(fā)射極非均勻指間距技術(shù)改善功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管熱穩(wěn)定性的研究[J]. 物理學(xué)報(bào), 2011, 60 (07): 801-805.
[115]金冬月, 張萬榮, 付強(qiáng), 陳亮, 肖盈, 王任卿, 趙昕. Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achieve high thermal stability[J]. Chinese Physics B, 2011, 20 (07): 263-269.
[116]劉波宇, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶. 雙頻帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2011, 34 (03): 278-281.
[117]沈珮, 張萬榮, 黃璐, 金冬月, 謝紅云. Improving the quality factor of an RF spiral inductor with non-uniform metal width and non-uniform coil spacing[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2011, 32 (06): 64-68.
[118]金冬月, 張萬榮, 陳亮, 付強(qiáng), 肖盈, 王任卿, 趙昕. Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors[J]. Chinese Physics B, 2011, 20 (06): 281-286.
[119]陳亮, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 胡寧, 肖盈, 王揚(yáng). 發(fā)射極指分段與非均勻指間距組合的SiGe HBT設(shè)計(jì)及熱分析[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2011, 37 (05): 697-700.
[120]肖盈, 張萬榮, 金冬月, 陳亮, 王任卿, 謝紅云*. 能帶工程對(duì)射頻功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管熱性能的改善[J]. 物理學(xué)報(bào), 2011, 60 (04): 317-322.
[121]付強(qiáng), 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 趙昕, 王任卿. 基區(qū)重?fù)诫s對(duì)SiGe HBT熱學(xué)性能的影響[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2011, 36 (04): 261-264.
[122]張東暉, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 丁春寶, 趙昕. UWB LNA的增益平坦化及穩(wěn)定性的反饋技術(shù)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2011, 36 (03): 218-222.
[123]尤云霞, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 沈珮, 丁春寶, 孫博韜. Cascode射頻有源電感的設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2011, 34 (01): 40-43.
[124]陳亮, 張萬榮, 金冬月, 肖盈, 王任卿, 尤云霞. 改善不同環(huán)境溫度下SiGe HBT熱穩(wěn)定性的技術(shù)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2011, 36 (02): 101-103.
[125]陳亮, 張萬榮, 金冬月, 沈珮, 謝紅云, 丁春寶, 肖盈, 孫博韜, 王任卿. Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing[J]. Chinese Physics B, 2011, 20 (01): 671-675.
[126]孫博韜, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 丁春寶, 尤云霞, 王任卿. 寬帶噪聲抵消結(jié)構(gòu)的噪聲分析及優(yōu)化[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2011, 36 (01): 31-35.
[127]沈珮，張萬榮*. 超寬帶SiGe HBT低噪聲放大器的設(shè)計(jì)和分析.高技術(shù)通訊, 2011, 21(01): 77-82.
[128]王任卿, 張萬榮, 金冬月, 陳亮, 丁春寶, 肖盈, 孫博韜, 趙昕*. 基于有限元法對(duì)發(fā)射極指分段結(jié)構(gòu)的多指SiGe HBT的研究[J]. 電子器件, 2010, 33 (06): 680-683.
[129]謝紅云, 王文軍, 張萬榮, 沈珮, 丁春寶, 尤云霞, 孫博韜. 雙頻段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2010, 33 (05): 582-586.
[130]沈珮, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 尤云霞, 孫博韜, 肖盈. 新型3.1～6GHz高增益超寬帶低噪聲放大器[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2010, 36 (09): 1181-1185.
[131]尤云霞, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云, 沈珮, 陳亮, 丁春寶, 孫博韜. 基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2010, 33 (04): 424-427.
[132]孫博韜, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 沈珮, 黃毅文, 尤云霞, 王任卿. 采用噪聲抵消技術(shù)的寬帶SiGe HBT低噪聲放大器設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2010, 33 (04): 456-459.
[133]沈珮, 張萬榮, 金冬月, 謝紅云. SiGe HBT低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與制造[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 2010, 32 (08): 2028-2032.
[134]謝紅云, 陳亮, 沈珮, 孫博韜, 王任卿, 肖盈, 尤云霞, 張萬榮. Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2010, 31 (06): 50-53.
[135]胡寧, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 陳亮, 沈珮, 黃璐, 黃毅文, 王揚(yáng). 新型發(fā)射極指組合結(jié)構(gòu)功率SiGe HBT熱分析[J]. 微電子學(xué), 2010, 40 (02): 305-308.
[136]黃毅文, 張萬榮, 謝紅云, 沈珮, 黃璐, 胡寧. 一種無電感超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2009, 39 (06): 807-810.
[137]黃璐, 張萬榮, 謝紅云, 沈珮, 黃毅文, 胡寧. 兼顧群延時(shí)與寬帶匹配的SiGe HBT LNA設(shè)計(jì)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2009, 34 (11): 1118-1121+1126.
[138]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 沈珮, 胡寧, 甘軍寧, 李佳. 改善多指功率SiGe HBTs熱穩(wěn)定性的版圖設(shè)計(jì)(英文)[J]. 功能材料與器件學(xué)報(bào), 2009, 15 (05): 511-515.
[139]袁穎, 董利民, 張萬榮. 微電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)教學(xué)平臺(tái)的構(gòu)建[J]. 電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào), 2009, 31 (S1): 115-117.
[140]李佳, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 沈珮, 甘軍寧. 3～10GHz SiGe HBTs超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2009, 32 (02): 311-314.
[141]沈珮, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 李佳, 甘軍寧. 具有高電流處理能力的多發(fā)射極條微波功率GeSi HBT[J]. 功能材料與器件學(xué)報(bào), 2009, 15 (01): 15-19.
[142]甘軍寧, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 沈珮, 李佳. 一款適用于WCDMA標(biāo)準(zhǔn)的大動(dòng)態(tài)范圍SiGe HBT可變?cè)鲆娣糯笃髟O(shè)計(jì)[J]. 電子器件, 2009, 32 (01): 45-48.
[143]謝紅云, 金冬月, 何莉劍, 張蔚, 王路, 張萬榮, 王圩. 基于DFB激光器的光學(xué)微波信號(hào)的產(chǎn)生[J]. 物理學(xué)報(bào), 2008, (07): 4558-4563.
[144]李佳, 張萬榮, 謝紅云, 張蔚, 沈珮, 甘軍寧. 基于IEEE802.11a標(biāo)準(zhǔn)的SiGe HBT LNA的設(shè)計(jì)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2008, 33(05): 425-427+445.
[145]張蔚, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 何莉劍, 王揚(yáng), 沙永萍. 基于SiGe HBT的超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2008, 38(02): 271-274.
[146]甘軍寧, 張萬榮, 謝紅云, 何莉劍, 李佳, 沈珮. 射頻E類功率放大器并聯(lián)電容技術(shù)研究[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2008, 33(04): 333-335+359.
[147]王揚(yáng), 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 邱建軍. 多發(fā)射極指分段結(jié)構(gòu)功率SiGe HBT的熱分析[J]. 微電子學(xué), 2008, (01): 81-84+119.
[148]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 沈珮, 王揚(yáng). 射頻功率HBT熱穩(wěn)定性分析及鎮(zhèn)流電阻優(yōu)化[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2008, 34(02): 141-144+149.
[149]沙永萍, 張萬榮. SiGe HBT低頻噪聲PSPICE模擬分析[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2008, (01): 51-55.
[150]何莉劍, 張萬榮, 謝紅云, 張蔚. SiGe HBT功率放大器基極偏置電阻的優(yōu)化[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2007, (12): 1025-1027+1064.
[151]高攀, 張萬榮, 邱建軍, 楊經(jīng)緯, 金冬月, 謝紅云, 張靜, 張正元, 劉道廣, 王健安, 徐學(xué)良. 橫向尺寸的變化對(duì)SiGe HBT高頻噪聲的影響(英文)[J]. 功能材料與器件學(xué)報(bào), 2007, (05): 495-498.
[152]金冬月, 張萬榮, 沈珮, 謝紅云, 王揚(yáng). 非均勻條間距結(jié)構(gòu)功率SiGe HBT(英文)[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2007, 28(10): 1527-1531.
[153]何莉劍, 張萬榮, 謝紅云, 張蔚. 等效器件補(bǔ)償法提高功率放大器的線性[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2007, (09): 785-787.
[154]高攀, 張萬榮, 謝紅云, 邱建軍, 沙永萍, 金冬月, 張靜, 張正元, 劉道廣, 王健安, 徐學(xué)良, 陳光炳. SiGe HBT高頻噪聲特性研究[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2007, (05): 394-396+405.
[155]張萬榮, 張蔚, 金冬月, 謝紅云, 肖盈, 王揚(yáng), 李佳, 沈佩. 微波功率SiGe HBT研究進(jìn)展[J]. 微電子學(xué), 2006, (05): 548-551.
[156]張萬榮, 何莉劍, 謝紅云, 楊經(jīng)偉, 金冬月, 肖盈, 沙永萍, 王揚(yáng), 張蔚. 多發(fā)射極條功率SiGe HBT的熱電耦合與優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2006, (05): 591-594.
[157]張萬榮, 沙永萍, 謝紅云, 劉穎, 張靜, 張正元, 劉倫才, 劉道廣, 王健安, 徐學(xué)良, 陳光炳. 版圖尺寸對(duì)SiGe/Si HBT高頻噪聲特性的影響[J]. 微電子學(xué), 2006, (05): 598-600.
[158]張萬榮, 王揚(yáng), 金冬月, 謝紅云, 肖盈, 何莉劍, 沙永萍, 張蔚. 功率SiGe/Si HBT的溫度特性[J]. 微電子學(xué), 2006, (05): 611-614.
[159]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 邱建軍, 王揚(yáng). 射頻功率HBT熱穩(wěn)定性的一種新表征方法[J]. 電子器件, 2006, (04): 1168-1171.
[160]金冬月, 張萬榮, 吳春瑜. 射頻功率HBT自加熱效應(yīng)及補(bǔ)償方法[J]. 微電子學(xué), 2006, (03): 288-291.
[161]劉黎明, 林志東, 張萬榮, 楊培志, 黃宗坦. RuO_2包覆的TiO_2納米復(fù)合粒子的表面與界面分析[J]. 表面技術(shù), 2006, (02): 27-30.
[162]張萬榮, 高攀, 金冬月, 張靜, 張正元, 劉道廣, 王健安, 徐學(xué)良, 陳光炳. SiGe/Si HBT低頻噪聲特性研究[J]. 微電子學(xué), 2006, (01): 23-26.
[163]張萬榮, 邱建軍, 金冬月, 張靜, 張正元, 劉道廣, 王健安, 徐學(xué)良, 陳光炳. SiGe/Si HBT高頻噪聲特性研究[J]. 微電子學(xué), 2006, (01): 27-29.
[164]林志東,劉黎明,張萬榮. 超級(jí)電容器氧化物電極材料研究進(jìn)展[J]. 武漢化工學(xué)院學(xué)報(bào), 2005, (02): 40-44.
[165]林志東,劉黎明,張萬榮. 金剛石表面Ar離子濺射效應(yīng)的電子能譜分析[J]. 武漢化工學(xué)院學(xué)報(bào), 2004, (02): 46-49.
[166]崔�，F(xiàn),張萬榮. Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性[J]. 微納電子技術(shù), 2003, (10): 17-19.
[167]李志國(guó),宋增超,孫大鵬,程堯海,張萬榮,周仲蓉. GaAs MESFET可靠性及快速評(píng)價(jià)新方法的研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2003, (08): 856-860.
[168]張萬榮,李志國(guó),王立新,汪東,崔�，F(xiàn),孫英華,程堯海,陳建新,沈光地,羅晉生. Si/SiGe/Si雙異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)的負(fù)阻特性[J]. 電子學(xué)報(bào), 2001, (08): 1132-1134.
[169]張萬榮,李志國(guó),程堯海,高玉珍,孫英華,陳建新,沈光地. TiA1和TiPtAu柵GaAs MESFET穩(wěn)定性研究[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2001, (02): 216-221.
[170]孫英華,李志國(guó),苗城,程堯海,張萬榮,強(qiáng)桂華,穆杰. 回流加固結(jié)構(gòu)金屬化系統(tǒng)的可靠性測(cè)試[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2000, (04): 47-50.
[171]孫英華,李志國(guó),程堯海,張萬榮. 微波功率器件金屬化布線回流加固結(jié)構(gòu)[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2000, (07): 705-710.
[172]張萬榮,高玉珍,李志國(guó),程堯海,孫英華,陳建新,沈光地,穆杰. 高溫大電流應(yīng)力對(duì)TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二極管Richardson圖的影響[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 2000, (02): 1-4.
[173]張萬榮,李志國(guó),穆甫臣,程堯海,孫英華,郭偉玲,陳建新,沈光地,張玉清,張慕義. 具有TiN擴(kuò)散阻擋層的n-GaAs歐姆接觸的可靠性[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2000, (06): 608-613.
[174]張萬榮,李志國(guó),孫英華,程堯海,陳建新,沈光地. 基區(qū)不均勻重?fù)诫s對(duì)Si/SiGe/SiHBT基區(qū)渡越時(shí)間的影響[J]. 微電子學(xué), 2000, (01): 6-8.
[175]張萬榮,李志國(guó),孫英華,程堯海,陳建新,沈光地. 重?fù)诫sP型Si_(1-x)Ge_x層中少數(shù)載流子濃度的低溫特性[J]. 微電子學(xué), 1999, (05): 8-10.
[176]張萬榮,李志國(guó),穆甫臣,孫英華,程堯海,陳建新,沈光地,穆杰. GaAs MESFETs歐姆接觸的快速評(píng)估和改進(jìn)[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 1999, (03): 1-4.
[177]穆甫臣,李志國(guó),張萬榮,郭偉玲,孫英華,嚴(yán)永鑫. 對(duì)Fukui法測(cè)量MESFET柵極串聯(lián)電阻的改進(jìn)[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1999, (03): 250-253.
[178]孫英華,郭偉玲,程堯海,孫喆 ,李志國(guó),張萬榮. 金屬化布線晶片級(jí)測(cè)試系統(tǒng)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 1999, (01): 58-60.
[179]孫英華,李志國(guó),程堯海,張萬榮,吉元. 半導(dǎo)體器件金屬化熱電徙動(dòng)的溫度測(cè)試[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 1998, (04): 63-68.
[180]孫英華,郭偉玲,李志國(guó),張萬榮,程堯海,吉元. 脈沖應(yīng)力下電流密度指數(shù)因子的研究與分析[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 1998, (06): 20-23+50.
[181]張萬榮,李志國(guó),羅晉生,孫英華,程堯海,陳建新,沈光地. 應(yīng)變p型Si_(1-x)Ge_x層中載流子凍析[J]. 電子學(xué)報(bào), 1998, (11): 51-54.
[182]郭偉玲,李志國(guó),吉元,孫英華,張萬榮,沈光地. 溫度梯度對(duì)VLSI金屬化布線電徙動(dòng)特性的影響[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 1998, (04): 408-414.
[183]穆甫臣,李志國(guó),郭偉玲,張萬榮,孫英華,程堯海,嚴(yán)永鑫. GaAs MESFET歐姆接觸可靠性研究進(jìn)展[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 1998, (05): 6-12+28.
[184]張萬榮,李志國(guó),郭偉玲,孫英華,穆甫臣,程堯海,沈光地. 半導(dǎo)體器件歐姆接觸中的擴(kuò)散阻擋層[J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī), 1998, (05): 53-56.
[185]張萬榮,羅晉生,李志國(guó),孫英華,穆甫臣,程堯海,陳建新,沈光地. Si/SiGe/Si HBT頻率特性的解析模型與模擬[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 1998, (03): 291-301.
[186]張萬榮,李志國(guó),郭偉玲,孫英華,穆甫臣,程堯海,沈光地,羅晉生. Si/SiGe/SiHBT的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 1998, (04): 14-19+23.
[187]張萬榮,羅晉生,李志國(guó),穆甫臣,程堯海,陳建新,沈光地. Si-SiGe/SiHBT真流特性的解析模型與模擬[J]. 北京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào), 1998, (02): 32-38.
[188]李志國(guó),郭偉玲,朱紅,吉元,程堯海,孫英華,張萬榮. VLSI金屬化布線電徙動(dòng)動(dòng)力學(xué)溫度相關(guān)性研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1998, (06): 53-58.
[189]張萬榮,李志國(guó),郭偉玲,孫英華,穆甫臣,程堯海,沈光地,羅晉生. 應(yīng)變Si_(1-x)Ge_x層材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理參數(shù)模型[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 1998, (03): 46-52.
[190]郭偉玲,李志國(guó),周天夷,孫英華,張萬榮,沈光地. 熱應(yīng)力條件下VLSI金屬化布線的可靠性[J]. 微電子學(xué), 1998, (03): 59-63.
[191]張萬榮,羅晉生,李志國(guó),穆甫臣,郭偉玲,孫英華,程堯海,沈光地. 應(yīng)變p型Si_(1-x)Ge_x層中補(bǔ)償淺能級(jí)雜質(zhì)的低溫陷阱效應(yīng)[J]. 微電子學(xué), 1998, (03): 64-67.
[192]李志國(guó)，孫英華，鄧燕，程堯海，郭偉玲，張萬榮，張煒. Black方程中電流密度因子及精確測(cè)量技術(shù)的研究[J]. 電子學(xué)報(bào), 1998, (02): 49-52.
[193]張萬榮,李志國(guó),穆甫臣,郭偉玲,孫英華,陳建新,沈光地. 砷化鎵歐姆接觸中的能帶工程[J]. 微電子學(xué), 1998, (01): 29-32.
[194]張萬榮,李志國(guó),郭偉玲,孫英華,穆甫臣,程堯海,陳建新,沈光地. 提高半導(dǎo)體器件歐姆接觸可靠性的擴(kuò)散阻擋層及其應(yīng)用[J]. 電子工藝技術(shù), 1998, (01): 6-8.
[195]李志國(guó),孫英華,鄧燕,張煒,程堯海,郭偉玲,張萬榮. 電遷徙參數(shù)—電流密度因子電流斜坡測(cè)試法[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1997, (11): 825-831.
發(fā)表會(huì)議論文：
[1]Dongyue Jin; Xinyi Zhao; Wanrong Zhang; Xiao Wang.Novel Superjunction Collector Power SiGe HBTs with High Thermal stability.2014 International Conference on the Solid-State Integrated Circuit Technology(ICSICT), China, 2014-10-28 to 2014-10-31.
[2]Yujie Zhang, Wanrong Zhang.Research on Thermal-Electrical Characteristics of SiGe HBTs with Different Ge Profiles.2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China, 2012-05-05 to 2012-05-08.
[3]GUO Zhenjie, ZHANG Wan-rong, JIN Dongyue, XIE Hon.Improved Quality-factor of Cascode-grounded Active Inductor.2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China, 2012-05-05 to 2012-05-08.
[4]Chunbao Ding, Wanrong Zhang, Hongyun Xie, Pei She.Design of UWB Cascode SiGe BiCMOS LNA with Current Reuse.2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China, 2012-05-05 to 2012-05-08.
[5]PeiShen（博士生）,GuofuNiu,ZiyanXu; WanrongZhang（張萬榮）.Impact of high frequency correlated noise on SiGe HBT low noise amplifier design.2012 IEEE 12th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2012-01-16 to 2012-01-18.
[6]Lu, Z. Y.*; Xie, H. Y.; Zhang, W. R.; Huo, W. J.; Guo, Z. J.; Xing, G. H.; Ding, C. B.; Chen, L.; Zhang, Y. J. Design of Dual Band SiGe HBT LNA with Current Reuse Topology.IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), China, 2011-11-16 to 2011-11-18.
[7]Ding, Chunbao*; Zhang, Wanrong; Xie, Hongyun; Chen, Liang; Shen, Pei; Zhang, Donghui; Liu, Boyu; Zhou, Yongqiang; Guo, Zhengjie; Lu, Zhiyi.Design of SiGe HBT UWB Low Noise Amplifier Employing Broadband Noise Canceling.IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), China,Tianjing, 2011-11-16 to 2011-11-18.
[8]Jin D. Y.; Zhang W. R.; Fu Q.; Chen L.; Xiao Y.Study of self-heating and mutual thermal coupling resistance in power HBTs with non-uniform finger spacing.CJMW 2011, China, 2011-04-20 to 2011-04-22.
[9]Chen Liang*; Zhang Wan-rong; Jin Dong-yue; Ding Chun-bao; Zhang Yu-jie; Lu Zhi-yi.The Effect of Bandgap Engineering on I-C-V-BE Fly-back Characteristic of Power SiGe Heterojunction Bipolar Transistor.IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), China,Tianjing, 2011-11-17 to 2011-11-18.
[10]Lian Chen, Wan-rong Zhang, Dong-yue Jin, Ying Xiao.Design and thermal analysis of SiGe HBT with non-uniform finger length and non-uniform finger spacing.2010 10th International Conference on the Solid-State Integrated Circuit Technology(ICSICT), China,Shanghai, 2010-11-01 to 2010-11-05.
[11]Hong-yun Xie, Zhi-yi Lu, Wan-rong Zhang, Pei Shen,.A dual-band SiGe HBT low noise amplifier.2010 10th International Conference on the Solid-State Integrated Circuit Technology(ICSICT), China,Shanghai, 2010-11-01 to 2010-11-04.
[12]D. Y. Jin, W. R. ZHANG, B. L. Guan, L. Chen, N. H.Optimum Design Methodology for Thermally Stable Multi-finger Power SiGe HBTs.2010 International Workshop on Junction Technology (IWJT-2010), China,Shanghai, 2010-05-10 to 2010-05-11.
[13]Liang Chen, Wan-rong Zhang, Dong-yun Jin, Ying Xia*.Design and thermal analysis of SiGe HBT with segmented emitter fingers and non-uniform segment spacing.2010 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China,Sichuan,Chengdu, 2010-05-08 to 2010-05-10.
[14]Hongyun Xie, Wanrong Zhang, Pei Shen, Liang Chen,*.Impact of Bias Current and Geometry on Noise Performance of SiGe HBT Low Noise Amplifier.2010 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China,Sichuan,Chengdu, 2010-05-08 to 2010-05-10.
[15]Xie, Hongyun*; Lu, Zhiyi; Shen, Pei; Ding, Chunbao; Chen, Liang; Zhang, Wanrong.An InP based wide gain spectrum asymmetric quantum wells for large scale optoelectronic monolithic integration.Conference on Semiconductor Lasers and Applications IV, China, 2010-10-18 to 2010-10-19.
[16]Yunxia You, Wanrong Zhang, Hongyun Xie, Pei Shen,*.A Novel 3-5 GHz Low Noise Amplifier Using an Active Inductor.2009 international Conference on Microwave Technology and Computational Electromagnetics(ICMTCE2009), China, 2009-11-03 to 2009-11-09.
[17]Ying Xiao, Wanrong Zhang, Dongyue Jin, Liang Chen,*.Effect of Ge Composition on the Ballasting Resistor of RF Power SiGe HBTs.2009 international Conference on Microwave Technology and Computational Electromagnetics(ICMTCE2009), China, 2009-11-03 to 2009-11-09.
[18]Hongyun Xie, Wanrong Zhang, Jia Li, Pei Shen, Yiwe*.Study of feedback technology for gain flatness of UWB LNA,.IEEE 2009 3rd International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies For Wireless Communications (MAPE 2009), China, 2009-10-27 to 2009-10-29.
[19]Lu Huang., Wan-rong Zhang, Hong-yun Xie, Pei Shen,*.Analysis and Optimum Design of RF Spiral Inductors on Silicon Substrate.IEEE 2009 3rd International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies For Wireless Communications (MAPE 2009), China, 2009-10-27 to 2009-10-29.
[20]Yi-wen Huang, Wan-rong Zhang, Pei Shen, Ning Hu, L*.Design of an inductorless 3-10GHz SiGe HBT Low-Noise Amplifier.The 8th International Conference on ASIC(ASICON 2009), China, 2009-10-20 to 2009-10-23.
[21]Shen, Pei; Zhang, Wanrong; Xie, Hongyun; Jin, Dongyue.Geometry Optimization of SiGe HBTs for Noise Performance of the Monolithic Low Noise Amplifier.IEEE 8th International Conference on ASIC, China, 2009-10-20 to 2009-10-23.
[22]Gan, Jun-ning; Zhang, Wan-rong; Xie, Hong-yun; Jin, Dong-yue; Shen, Pei; Li, Jia; Huang, Lu; Huang, Yi-wen; Hu, Ning.A PIN Diode SiGe HBT Variable Gain Amplifier for WCDMA Applications.International Conference on Communication Software and Networks, China, 2009-02-27 to 2009-02-28.
[23]Xie, Hongyun; He, Lijian; Shen, Pei; Gan, Junning; Li, Jia; Huang, Yiwen; Huang, Lu; Zhang, Wanrong.A Novel Dual-band Power Amplifier for Wireless Communication.International Conference on Communication Software and Networks, China, 2009-02-27 to 2009-02-28.
[24]Huang, Yi-wen; Zhang, Wan-rong; Xie, Hong-yun; Shen, Pei; Li, Jia; Gan, Jun-ning; Huang, Lu; Hu, Ning.A 3-10GHz Low-Noise Amplifier Using Resistive Feedback in SiGe HBT Technology.International Conference on Communication Software and Networks, China, 2009-02-27 to 2009-02-28.
[25]Li Jia , Zhang Wan-rong, Xie Hong-yun.*.Design of an Ultra-wideband SiGe HBT Low Noise Amplifier with Multiple Feedback Loops.2008 8th International Symposium on Antennas, Propagation and EM Theory(ISAPE), China,Yunnan,Kunming, 2008-11-02 to 2008-11-05.
[26]Hu Ning; Zhang Wan-rong; Jin Dong-Yue; Xie Hong-Yun; Huang Lu; Huang Yi-Wen; Shen Pei; Li Jia; Gan Jun-Ning.Optimum Design of Multi-finger SiGe HBT with Non-uniform Length for Power Application.8th International Symposium on Antennas, Propagation and EM Theory, China, 2008-11-02 to 2008-11-05.
[27]Huang, Lu; Zhang, Wan-Rong; Xie, Hong-Yun; Li, Jia; Zhang, Wei; Wang, Yang; Shen, Pei; Gan, Jun-Ning; Huang, Yi-Wen; Hu, Ning.A Low Power SiGe HBT LNA Utilizing Serial Inductance for Wideband Matching.9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, China, 2008-10-20 to 2008-10-23.
[28]Xie, Hong-yun; Li, Jia; Gan, Jun-ning; Shen, Pei; Huang, Yi-wen; Huang, Lu; Zhang, Wan-rong; Wang, Wei.Complex-Coupled Wavelength-selectable DFB Laser Source for Coarse WDM.9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, China, 2008-10-20 to 2008-10-23.
[29]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Xie Hongyun; Hu Ning; Shen Pei.Improved thermal stability in SiGe HBTs by emitter layout.9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, China, 2008-10-20 to 2008-10-23.
[30]Gan Jun-ning; Zhang Wan-rong; Xie Hong-yun; Jin Dong-yue; Shen Pei; Li Jia; He Li-jian.A High Dynamic Range SiGe HBT Variable Gain Amplifier for WCDMA Applications.6th IEEE International Conference on Industrial Informatics, South Korea, 2008-07-13 to 2008-07-16.
[31]Shen Pei; Zhang Wanrong; Jin Dongyue; Xie Hongyun; Li Jia; Gan Junning.High-power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) with multiple emitter fingers.International Workshop on Junction Technology, China, 2008-05-15 to 2008-05-16.
[32]Shen Pei; Zhang Wan-rong; Xie Hong-yun; Jin Dong-yue; Zhang Wei; Li Jia; Gan Jun-ning.An ultra-wideband Darlington low noise amplifier design based on SiGe HBT.International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, China, 2008-04-21 to 2008-04-24.
[33]Li Jia; Zhang Wan-rong; Xie Hong-yun; Zhang Wei; He Li-jian; Shen Pei; Gan Jun-ning.A 3-10GHz bandwidth low noise amplifier for ultra-wideband application using SiGe HBT technology.International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, China, 2008-04-21 to 2008-04-24.
[34]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Shen Pei; Xie Hongyun; Li Jia; Gan Junning; Huang Lu; Hu Ning; Huang Yiwen.Thermal stability of the power SiGe HBT with non-uniform finger length.International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, China, 2008-04-21 to 2008-04-24.
[35]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Shen Pei; Xie Hongyun; Yin Jixin; Wang Yang; Zhang Wei; He Lijian; Sha Yongping; Li Jia; Gan Junning.Layout Design of Multi-finger Power SiGeHBTs for Thermal Stability Improvement.2nd IEEE International Nanoelectronics Conference, China, 2008-03-24 to 2008-03-27.
[36]Lijian He; Wanrong Zhang; Wei Zhang; Hongyun Xie.A new linearization technique of power amplifier.5th International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, 2007-04-19 to 2007-04-21.
[37]Wei, Zhang; Zhang, Wan-Rong; Xie, Hongyun; He, Li-Jian; Yang, Wang; Sha, Yong-Ping.A 14GTH z LNA for convenient cascade application.5th International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, 2007-04-19 to 2007-04-21.
[38]Jin Dong-Yue; Zhang Wan-Rong; Xie Hong-Yun; Wang Yang.Multi-finger power SiGeHBTs with non-uniform spacing.5th International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, 2007-04-19 to 2007-04-21.
[39]Wang Yang; Zhang Wan-rong; Xie Hong-yun; Zhang Wei; He Li-jian; Sha Yong-ping.Thermal analysis of power SiGe heterojunction bipolar transistor with novel segmented multi-emitter structure.5th International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, 2007-04-19 to 2007-04-21.
[40]Sha, Yong-Ping; Zhang, Wan-Rong; Xie, Hong-Yun.Comparison of high-frequency noise correlation models in SiGeHBTs.IEEE International Workshop on Radio-Frequency Integration Technology, 2007-12-09 to 2007-12-11.
[41]甘軍寧,張萬榮,謝紅云,金冬月,何莉劍,張蔚,李佳,沈,王揚(yáng),沙永萍. 射頻E類功率放大器并聯(lián)電容技術(shù)研究進(jìn)展[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（下冊(cè)）. 2007:275-278.
[42]何莉劍,張萬榮,謝紅云,張蔚. 四頻段高效率功率放大器的設(shè)計(jì)[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（下冊(cè)）. 2007:295-298.
[43]張蔚,張萬榮,謝紅云,金冬月,何莉劍,王揚(yáng),沙永萍,李佳,甘軍寧,沈珮. 基于SiGe HBT的超寬帶(UWB)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:666-669.
[44]李佳,張萬榮,謝紅云,張蔚,金冬月,何莉劍,甘軍寧,沈珮,王揚(yáng),沙永萍. 一款適用于IEEE802.11a標(biāo)準(zhǔn)的SiGe HBT低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:670-673.
[45]沈珮,張萬榮,謝紅云,金冬月,邱建軍,王揚(yáng),何莉劍,張蔚,沙永萍,李佳,甘軍寧. 具有高電流處理能力的多發(fā)射極條微波功率GeSi HBT[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:685-688.
[46]王揚(yáng),張萬榮,謝紅云,金冬月,張蔚,何麗劍,沙永萍. 多發(fā)射指分段結(jié)構(gòu)功率SiGe HBT的優(yōu)化設(shè)計(jì)[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:829-832.
[47]沙永萍,張萬榮,謝紅云. SiGe HBT的高頻噪聲相關(guān)性模型[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:833-837.
[48]謝紅云,張蔚,何莉劍,楊華,王揚(yáng),沙永萍,甘軍寧,張萬榮. 高阻硅低損耗微波共面波導(dǎo)傳輸線[C]. 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）. 2007:1022-1025.
[49]Qiu Jianjun; Zhang Wanrong; Jin Dongyue; Yang Jingwei; Gao Pan; Liu Ying.Unequally valued emitter ballasting resistors optimum design of multi-finger power GeSiHBTs.7th International Symposium on Antennas, Propagation and EM Theory, 2006-10-26 to 2006-10-29.
[50]Jin Dong-Yue; Zhang Wan-Rong; Qiu Jian-Jun; Gao Pan; Xiao Ying.A simple method to optimize the ballasting resistor of RF power HBT.7th International Symposium on Antennas, Propagation and EM Theory, 2006-10-26 to 2006-10-29.
[51]Zhang Wan-rong; Jin Dong-yue; Yang Jing-wei; He Li-jian; Sha Yong-ping; Wang Yang; Zhang Wei.Design for thermally stable multi-finger power SiGeHBTs using finger length- and space-adjusted methods.7th International Symposium on Antennas, Propagation and EM Theory, 2006-10-26 to 2006-10-29.
張萬榮，男，1996年畢業(yè)于西安交通大學(xué)信息工程學(xué)院，獲博士學(xué)位，1999年博士學(xué)位論文榮獲陜西省優(yōu)秀博士論文�，F(xiàn)為北京工業(yè)大學(xué)電子信息與通信工程學(xué)院教授，碩士生、博士生導(dǎo)師。中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員、美國(guó)AAAS會(huì)員，北京電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)委員，《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》、《電子學(xué)報(bào)》、《通信學(xué)報(bào)》、《微波學(xué)報(bào)》、《中國(guó)物理快報(bào)》、《河北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》、《廈門大學(xué)學(xué)報(bào)》、《西安交通大學(xué)學(xué)報(bào)》、《蘭州大學(xué)學(xué)報(bào)》等學(xué)術(shù)期刊論文評(píng)審專家，國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目評(píng)議專家，浙江省自然科學(xué)基金項(xiàng)目評(píng)議專家，全國(guó)學(xué)位與研究生教育評(píng)估專家。 
榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)：
