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      專家信息 科學研究 發(fā)明專利 論文專著 榮譽獎勵 媒體報道

      專家信息:


      王立,男,漢族,1975年2月出生于九江彭澤,博士,F(xiàn)任南昌大學理學院院長,教授、博士生導師,國防科技大學客座教授,江西省物理學會理事長,入選教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃、江西省“贛鄱英才555工程”領軍人才計劃、江西省新世紀百千萬人才工程、江西省高等學校中青年學科帶頭人和江西省優(yōu)秀碩士論文指導教師,獲國家級教學成果獎二等獎、江西省高?萍汲晒勔坏泉労徒魇∏嗄晡逅莫務。

      入選教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃(2011年)、江西省“贛鄱英才555工程”領軍人才計劃(2011年)、江西省科技創(chuàng)新人才(2016年)、江西省新世紀百千萬人才工程(2008年)、江西省高等學校中青年學科帶頭人(2011年)和江西省優(yōu)秀碩士論文指導教師(2013年、2015年和2016年),獲國家級教學成果獎二等獎(2014年)、中組部“西部之光”優(yōu)秀訪問學者(2015年)、江西省高?萍汲晒勔坏泉劊2009年)和江西省青年五四獎章(2011年)。

      從事分子量子結構、二維材料及器件和高密度能量存儲的基礎和應用研究,主持國家自然科學基金項目5項和省部級項目5項,參與國家重大基礎研究計劃1項和國家自然科學基金委重大儀器研制計劃(部位推薦)1項。在Nature Nanotechnology、ACS Nano、Journal of the American Chemical Society、Surface Science Reports等國際知名期刊發(fā)表SCI論文85篇(影響因子>3的有55篇);獲國家發(fā)明專利2項和實用新型專利1項。擔任Journal of the American Chemical Society、ACS Nano、Applied Physics Letters、Journal of Physical Chemistry C等國際知名期刊審稿人。

      教育及工作經歷:

      1992年9月至1996年7月南京大學物理系,學士。

      1998年9月至2000年12月南京大學物理系微電子學與固體電子學專業(yè),理學博士。

      2001年1月至2002年3月南京大學物理系,講師。

      2002年3月至2005年5月英國諾丁漢大學物理系納米科學專業(yè),理學博士。

      2005年5月至2007年7月新加坡國立大學物理系,Research Fellow。

      2007年8月至今南昌大學物理系,教授、南昌大學高等研究院,研究員。

      社會任職:

      1、中國物理學會理事。

      2、中國石墨烯產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會委員。

      3、全國納米技術標準化委員會低維納米結構與性能工作組委員。

      4、教育部物理學類教學指導委員會華東地區(qū)工作組副主任委員。

      5、江西省物理學會理事長。

      6、江西省物理學類教學指導委員會主任。

      7、江西省自然科學獎評審委員會委員和江西省學位委員會學科評議組專家。

      科學研究:


      研究方向:

      1. 分子自組裝結構及機制

      2. 室溫單分子操縱

      3. 有機分子-金屬界面相互作用

      研究設備:

      超高真空掃描隧道顯微鏡

      承擔科研項目情況:

      主持多項國家級、省部級項目。

      1. 國家級項目:太陽能利用中染料-氧化物界面能量轉換與傳遞機理研究,2009。

      2. 國家級項目:有機分子-金屬界面的超快電荷轉移的同步輻射共振光電子譜研究,2009。

      3. 國家級項目:葉綠素a_富勒烯分子結的電荷轉移過程及其電學特性研究,2008。

      4. 省部級項目:單個生物分子及其異質分子結的電荷轉移研究,2008。

      5. 省部級項目:生物分子結構建及其電荷轉移研究,2008。

      科研成果:

      資料更新中……

      學術交流:

      會議交流:

      1. “Conservation of charge transfer-induced chirality of achiral molecules on metal surface”,第一屆全國高能加速器(重大科技基礎設施)戰(zhàn)略研討會暨用戶年會,2011年8月25日,北京

      2. “Chiral Supramolecular Self-assembly on Metal Surfaces”, 27th European Conference on Surface Science, September 3, 2010, Groningen, Holland

      3. “Chiral Supramolecular Self-assembly of Rubrene on Au(111)”,18th International Vacuum Congress,August 25, 2010, Beijing

      4. “Photoemission Study of Rubrene on Au Surface”,合肥國家同步輻射實驗室用戶年會,2010年8月2日,蘭州

      5. “Ultrafast Interfacial Charge Transfer across Molecule/Metal by Resonant Photoemission”,合肥國家同步輻射實驗室,2009年8月1日

      6. “Research Progress on NCU STM System”,SPECS Workshop, August 25, 2010, Beijing

      7. “Self-assembly of organic molecules on solid surfaces”, SPECS Workshop, September 11, Beijing

      8. “Deformation of Cobalt Phthalocyanine inside a Carbon Nanotube”, International conference on Advanced Material and Technology 2007, Singapore

      9. “Molecular Orientation and Ordering during Initial Growth of Copper Phthalocyanine on Si(111)”, International conference on Advanced Material and Technology 2007, Singapore

      10. “Orientation-Dependent Delocalization of Molecular Orbitals at a Molecule-Metal Junction”, International Conference on Organic Electronics, Eindhoven, 2006

      11. “Interfacial Charge Transfer by Core-hole Clock”, Nagoya University, Japan, 2006

      院校交流:

      1. “Chiral Structures on Solid Surfaces and Single Molecule Manipulation at Room Temperature”,華中科技大學,2011年8月20日

      2. “Chiral Structures at solid surfaces”,國防科技大學,2011年6月2日

      3. “Chiral Structures at solid surfaces”,中南大學,2011年5月16日

      4. “Chiral Structures at solid surfaces”,天津大學,2011年4月7日

      5. “Scanning Tunneling Microscopy -A Powerful Tool for Nanoscience ”,贛南師范學院,2008年12月5日

      發(fā)明專利:


      [1]王立,王震東,陳鵬. 一種過渡金屬硫屬化合物二維材料圖形化生長的方法[P]. CN105803421B,2020-03-20.

      [2]羅嵐,劉勇,王立,王雨,郭銳. 一種耐蝕性可調控的鎂合金表面多級納米涂層的制備方法[P]. CN107723680B,2019-10-29.

      [3]劉虎,王立,章少華,何沅丹,何海洋,林凱茜. 一種白光LED封裝結構及封裝方法[P]. CN108767085B,2019-10-01.

      [4]王立,郭守暉,范定環(huán). 一種制備碳納米管陣列-石墨烯混合結構的簡易方法[P]. CN106086811B,2019-07-26.

      [5]王立,朱怡遠. 膠體量子點薄膜圖案化方法[P]. CN109560206A,2019-04-02.

      [6]王立,朱怡遠. 膠體量子點改性方法[P]. CN109400641A,2019-03-01.

      [7]王立,齊維靖,劉曉爍. 一種鋰離子電池用的柔性無集流體薄膜極片制備方法[P]. CN109360939A,2019-02-19.

      [8]劉虎,何海洋,朱怡遠,王立. 鹵化鉛銫鈣鈦礦量子點膠體及量子點熒光粉制備方法[P]. CN109266343A,2019-01-25.

      [9]彭洪,馮星燦,王立. 一種多晶氮化銦的制備方法[P]. CN109056070A,2018-12-21.

      [10]劉虎,王立,章少華,何沅丹,何海洋,林凱茜. 一種白光LED封裝結構及封裝方法[P]. CN108767085A,2018-11-06.

      [11]王立,王震東,王劍宇,張思鴻. 一種可連續(xù)進樣生長過渡金屬硫屬化合物晶體的實驗裝置[P]. CN208008947U,2018-10-26.

      [12]劉虎,王立,章少華,何沅丹,孫沁瑤,姚勇. 一種黃光LED封裝結構及封裝方法[P]. CN108548105A,2018-09-18.

      [13]羅嵐,劉勇,王立,王雨,郭銳. 一種耐蝕性可調控的鎂合金表面多級納米涂層的制備方法[P]. CN107723680A,2018-02-23.

      [14]劉詩濤,王立. 一種銦鎵氮薄膜太陽能電池[P]. CN206076259U,2017-04-05.

      [15]劉詩濤,王立. 一種基于氧化鋅作為電子輸運層的銦鎵氮薄膜太陽能電池[P]. CN106449851A,2017-02-22.

      [16]劉虎,王立,饒鄭剛,田婷芳,舒龍龍,章少華. 一種廢舊LED照明燈泡回收方法[P]. CN106381390A,2017-02-08.

      [17]王立,郭守暉,范定環(huán). 一種制備碳納米管陣列#石墨烯混合結構的簡易方法[P]. CN106086811A,2016-11-09.

      [18]王立,王震東,陳鵬. 一種過渡金屬硫屬化合物二維材料圖形化生長的方法[P]. CN105803421A,2016-07-27.

      [19]王立,蔡峰,劉世昌,易常瑞,王仲平. 一種基于摩擦發(fā)電的聲電轉換器件及其制作方法[P]. CN105208497A,2015-12-30.

      [20]王立,蔡峰,易常瑞,劉世昌. 一種探測脈搏波和心尖搏動波形的器件及其制作方法[P]. CN104305970A,2015-01-28.

      [21]方文卿,方愷齊,王立,鄧堅貞,王小平. 一種用智能手機監(jiān)測PM2.5的系統(tǒng)[P]. CN103868835A,2014-06-18.

      [22]王立,江風益. 一種具有邊緣隔離結構的硅襯底[P]. CN103746051A,2014-04-23.

      [23]王立,王朝成. 一種制備單晶石墨烯的裝置[P]. CN203187782U,2013-09-11.

      [24]王立,王朝成. 一種大尺寸單晶石墨烯的制備方法[P]. CN103255474A,2013-08-21.

      [25]王立,王仲平,歐陽洪萍,宋新,劉小青. 大面積金紅石型二氧化鈦(110)(1×1)表面的制備方法[P]. CN102534806A,2012-07-04.

      [26]王立,張學富. 石墨烯基復合管及其制備工藝[P]. CN102432002A,2012-05-02.

      [27]王立,陳秀,劉拉程,柳樹毅. 具有規(guī)則形狀的石墨烯單晶疇的制備方法[P]. CN102345168A,2012-02-08.

      [28]王立,劉小青,張學富,歐陽洪萍,陳烽,孔惠慧. 單原子厚度納米硅帶的制備方法[P]. CN102219216A,2011-10-19.

      [29]王立,杜鑫利,張學富. 多晶石墨烯薄膜制備工藝及透明電極和制備石墨烯基器件[P]. CN102181843A,2011-09-14.

      [30]王立,杜鑫利,張學富,武煜宇. 一種利用聚甲基丙烯酸甲酯轉移石墨烯的方法[P]. CN102173412A,2011-09-07.

      [31]王立,張學富,歐陽洪萍,陳烽,孔惠慧,陳秀. 制備低缺陷大面積硅(100)- 2x1重構表面的方法[P]. CN102154709A,2011-08-17.

      [32]江風益,方文卿,王立,莫春蘭,劉和初,周毛興. 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發(fā)光器件的方法[P]. CN1953220,2007-04-25.

      [33]江風益,邵碧琳,王立,方文卿. 在硅襯底上制備高質量發(fā)光半導體薄膜的方法[P]. CN1801500,2006-07-12.

      [34]江風益,熊傳兵,方文卿,王立. 含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導體發(fā)光元件及其制造方法[P]. CN1794476,2006-06-28.

      [35]王立,江風益,周毛興,方文卿. 含有金鍺鎳的歐姆電極、銦鎵鋁氮半導體發(fā)光元件及制造方法[P]. CN1794477,2006-06-28.

      [36]江風益,王立,方文卿. 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法[P]. CN1770484,2006-05-10.

      [37]王立,江風益,方文卿. 銦鎵鋁氮發(fā)光器件[P]. CN1770485,2006-05-10.

      [38]江風益,王立,方文卿. 半導體發(fā)光器件及其制造方法[P]. CN1770486,2006-05-10.

      [39]王立,方文卿,江風益. 在硅襯底上制備高質量銦鎵鋁氮材料的方法[P]. CN1734799,2006-02-15.

      [40]江風益,王立,方文卿,周毛興,劉和初. 具有內陷電極的半導體發(fā)光元件[P]. CN1719631,2006-01-11.

      [41]江風益,方文卿,王立,莫春蘭,劉和初,周毛興. 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發(fā)光器件的方法[P]. CN1697205,2005-11-16.

      [42]江風益,王立,熊傳兵,方文卿,劉和初,周毛興. 具有上下電極結構的銦鎵鋁氮發(fā)光器件及其制造方法[P]. CN1694271,2005-11-09.

      [43]江風益,蒲勇,王立,方文卿. 用于化合物半導體材料生長的噴頭及原料輸入方法[P]. CN1664165,2005-09-07.

       論文專著:


      在 Journal of the AmericanChemical Society, Nano Letters, Applied Physics Letters,Journal of Physical Chemistry B, Physical Review B,Surface Science等國際著名SCI檢索期刊上共發(fā)表論文58余篇。

      出版專著:

      資料更新中……

      發(fā)表英文論文:

      1. Chiral Recognition of Zinc Phthalocyanine on Cu(100) Surface Applied Physics Letters 100, 081602 (2012) Feng Chen, Xiu Chen, Lacheng Liu, Xin Song, Shuyi Liu, Juan Liu, Hongping Ouyang, Yingxiang Cai, Haibing Pan, Junfa Zhu, Li Wang*

      2.Ag-induced Si(100) reconstruction:Si(100)-( )R45o-Ag Physical Review B 84, 153411 (2011) Xuefu Zhang, Yingxiang Cai, Feng Chen, Huihui Kong, Hongping OuYang, Shuyi Liu, Xiaoqing Liu, Li Wang*

      3.Ultrahin monolayer of rubrene on Au(111) induced by charge transfer Surface and Interface Analysis 43, 1494 (2011) Xiaoqing Liu, Huihui Kong, Xin Song, Lei Liu, Li Wang*

      4.Adsorption geometry of individual fullerene on Si surface at room-temperature Applied Physics Letters 97, 253106 (2010) (also highlighted in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, January 3, 2011, Vol. 23, Issue 1, AIP research highlight Xinli Du, Feng Chen, Xiu Chen, Xianxin Wu, Yingxiang Cai, Xiaoqing Liu, Li Wang*

      5.Chiral supramolecular self-assembly of rubrene Physical Chemistry Chemical Physics 12, 14637 (2010) Li Wang*, Huihui Kong, Xing Song, Xiaoqing, Liu, Hongming Wang

      6.Role of oxygen incorporation in electronic properties of rubrene films Applied Physics Letters 97, 032106 (2010) Xin Song, Li Wang*, Qitang Fan, Yuyu Wu, Hongming Wang, Chunmei Liu, Nianhua Liu, Junfa Zhu, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew T. S. Wee

      7.C60 submonolayers on the Si(111)-(7 x 7) surface: Does a mixture of physisorbed and chemisorbed states exist? Surface Science 603, 2896 (2009) S. Gangopadhyay, R. A. J. Woolley, R. Danza, M. A. Phillips, K. Schulte, L. Wang, V. R. Dhanak, P. J. Moriarty

      8.Conformation-induced Self-assembly of Rubrenen on Au(111) Surface Applied Physics Letters 95, 093102 (2009) (Also highlighted in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, September 14, 2009, Volume 20 , Issue 11) Li Wang, Huihui Kong, Xiu Chen, Xinlin Du, Feng Chen, Xiaoqing Liu, Hongming Wang

      9.Charge transfer across the molecule/metal interface using the core hole clock technique (11.923) Surface Science Reports 63, 465 (2008) Li Wang, Wei Chen, Andrew TS Wee

      10.Conformational degree and molecular orientation in rubrene film by in situ x-ray absorption spectroscopy Journal of Applied Physics 102, 063504 (2007) Li Wang, Shi Chen, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

      11.Thickness-dependent energy level alignment of rubrene adsorbed on Au(111) Applied Physics Letters 90, 132121 (2007) Li Wang, Shi Chen, Lei Liu, Dongcheng Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

      12.Molecular orientation and ordering during initial growth of copper phthalocyanine on Si(111) Journal of Physical Chemistry C 111, 3454 (2007) Li Wang, Dongchen Qi, Lei Liu, Shi Chen, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

      13.Shielding copper atoms by distortion of phthalocyanine rings on Si(111) (1.855) Surface Science 601, 4212 (2007) Li Wang, Shi Chen, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

      14.Configuration-dependent interface charge transfer at a molecule-metal junction Journal of the American Chemical Society 128, 8003 (2006) L. Wang, L. Liu, W. Chen, YP Feng, ATS Wee

      15.Resonant photoemission study of single-strand deoxyribonucleic acid Applied Physics Letters 89,013902 (2006) (also highlighted in Virtual Journal of Biological Physics Research, July 15 2006, Volume 12, Issue 2) L. Wang, KQ Zhang, XY Gao, XY Liu, ATS WEE

      16.Ultrafast electron transfer from oligo(p-phenylene-ethynylene)thiol to gold Journal of Physical Chemistry B 110, 674 (2006) L Wang, W. Chen, C. Huang, ZK Kuan, ATS Wee

      17.Morphology, Structure and Electronic Properties of Ce@C82 Films on Ag:Si(111)-( ) R30o Surface Science 564, 165 (2004) L. Wang, K. Schulte, RAJ Wooley, M. Kanai, TJS Dennis, J. Purton, S. Patel, S. Gorovikov, VR Dhanak, E. F. Smith, BCC Cowie and P. Moriarty

      18.Thermally Activated Drift Mobility and Small Polaron Conduction in La0.75Sr0.11Ca0.14MnO3 Thin Films Investigated by the Traveling Wave Method Physical Review B 60, R 6976 (1999) (Rapid Communications ) Li Wang, Jiang Yin, Shaoyun Huang, Xinfan Huang, Jun Xu, Zhiguo Liu, Kunji Chen

      19.Thermal Annealing of a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Applied Physics A 74, 783 (2002) Li Wang, Xinfan Huang, Zhongyuan Ma, Zhifeng Li, Jianjun Shi, Lin Zhang, Yun Bao, Xiaowei Wang, Wei Li, Jun Xu, Kunji Chen

      20. Interface Confinement and Local Structure in nc-Si/a-SiNx:H Multilayers Journal of Physics: Condensed Matter 13, 9857 (2001) Li Wang, Xiaowei Wang, Xinfan Huang, Zhifeng Li, Zhongyuan Ma, Lin Zhang, Yun Bao, Jianjun Shi, Wei Li, Xiaohui Huang, Jun Xu, Kunji Chen

      21.Surface Morphology and Structural Observation of Laser Interference Crystallizated a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Applied Surface Science 165, 85 (2000) Li Wang, Jian Li, Xinfan Huang, Qilinag Li, Xiaobao Yin, Wenbin Fan, Jun Xu, Wei Li, Zhifeng Li, Jianming Zhu, Mu Wang, Zhiguo Liu, Kunji Chen

      22.Effect of functional group (fluorine) of aromatic thiols on electron transfer at the molecule-metal interface Journal of the American Chemical Society 128, 935 (2006) W. Chen, L. Wang, C. Huang, TT Lin, XY Gao, KP Loh, ZK Chen, ATS Wee

      23.Probing the ultrafast electron transfer at the CuPc/Au(111) interface Applied Physics Letters 88, 184102 (2006) W. Chen, L. Wang, DC Qi, S. Chen, XY Gao, ATS Wee

      24.Well shielded cerium atoms: electronic structures of adsorbed Ce@C82 on Si surfaces Physical Review B 77, 115437 (2005) K. Schulte, L. Wang, P. J. Moriarty, M. Kanai, TJS. Dennis, J. Purton and S. Patel K. Schulte, R. A. J. Woolley, L. Wang, P. J. Moriarty, P. R. Birkett, H. W. Kroto, B. C. C. Cowie

      25.Drift Mobility of Semiconductive La0.5Sr0.5CoO3 Films Measured Using the Traveling Wave Method Applied Physics Letters 76, 580 (2000) J. Yin, L. Wang, J. M. Liu, K. J. Chen, Z. G. Liu, Q. Huang

      26.Three-dimensional Ordered Nano-crystalline Si Made by Pulsed Laser Interference Crystallization of a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Journal of Non-crystalline Solids 266-269, 1015 (2000) Xinfan Huang, Li Wang, Jian Li, Wei Li, Ming Jiang, Jun Xu, Kunji Chen

      27.Surface transfer doping of diamond (100) by tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane Journal of the American Chemical Society 129, 8084 (2007) Dongchen Qi, Wei Chen, Xingyu Gao, Li Wang, Shi Chen, Kianping Loh, Andrew TS Wee

      28.Tuning the hole injection barrier at the organic/metal interface with self-assembled functionalized aromatic thoil Journal of Physical Chemistry B 110, 26075 (2006) W. Chen, C. Huang, X. Gao, L. Wang, C. Zheng, D. Qi, S. Chen, H. Zhang, K. Loh, Z. Chen, A. Wee

      29.Does an encapsulated atom 'feel' the effects of adsorption?: X-ray standing wave spectroscopy of Ce@C-82 on Ag(111) Nanoletters 4, 361 (2004) RAJ Woolley, KHG Schulte, L. Wang, PJ Moriarty, BCC Cowie, H. Shinohara, M. Kanai and TJS Dennis

      30. Vacuum Electron Emission with Low Turn-on Electric Field from Hydrogenated Amorphous Carbon Thin Films Applied Physics Letter 79, 141 (2001) J. Xu, X.H. Huang, W. Li, L. Wang, X.F. Huang, K.J. Chen, J.B. Xu, I.H. Wilson

      31.The dependence of the interface and shape on the constrained growth of nc-Si in a-SiNx/a-Si : H/a-SiNx Journal of Physics: Condensed Matter 14, 10083 (2002) L. Zhang, K. Chen, L. Wang, W. Li, J. Xu, X.F. Huang and K. J. Chen

      32.Control of size and shape of nc-Si in a-SiN(x)/a-Si:H multilayers by laser induced constrained crystallization Applied Physics A-Materials Science & Processing 77, 485 (2003) L. Zhang, K. Chen, X. Huang, L. Wang, J. Xu, W. Li

      發(fā)表中文期刊論文:

      [1]劉詩濤,全知覺,王立.Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells[J].Chinese Physics B,2017,26(03):562-567.

      [2]劉詩濤,王立,伍菲菲,楊祺,何沅丹,張建立,全知覺,黃海賓.InGaN/GaN多量子阱LED載流子泄漏與溫度關系研究[J].發(fā)光學報,2017,38(01):63-69.

      [3]呂燕,呂文剛,王立.Structure Dependence of Excitonic Effects in Chiral Graphene Nanoribbons[J].Chinese Physics Letters,2017,34(01):107-111.

      [4]曹峻松,鄭暢達,全知覺,方芳,湯英文,王立.Si襯底上側向外延生長GaN的研究[J].半導體光電,2015,36(04):569-573.

      [5]江風益,劉軍林,王立,熊傳兵,方文卿,莫春蘭,湯英文,王光緒,徐龍權,丁杰,王小蘭,全知覺,張建立,張萌,潘拴,鄭暢達.硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管[J].中國科學:物理學 力學 天文學,2015,45(06):19-36.

      [6]武芹,全知覺,王立,劉文,張建立,江風益.Si(111)襯底切偏角對GaN基LED外延膜的影響[J].發(fā)光學報,2015,36(04):466-471.

      [7]向菲菲,李超,王仲平,劉小青,呂燕,蔣丹鳳,冷新麗,王立.溫度誘導5,15-二苯基卟啉在銀(110)表面上的自組裝行為[J].南昌大學學報(理科版),2015,39(01):60-65.

      [8]黃斌斌,熊傳兵,張超宇,黃基鋒,王光緒,湯英文,全知覺,徐龍權,張萌,王立,方文卿,劉軍林,江風益.硅基板和銅基板垂直結構GaN基LED變溫變電流發(fā)光性能的研究[J].物理學報,2014,63(21):388-394.

      [9]王立,徐顏美,程竹君,熊招平,鄧立彬.膽固醇代謝紊亂的遺傳學研究進展[J].遺傳,2014,36(09):857-863.

      [10]王仲平,劉小青,宋新,凌杰,王立.高質量二氧化鈦(110)-(1×1)表面的原位氧化法制備[J].南昌大學學報(理科版),2014,38(01):48-52+57.

      [11]劉小青,陳烽,陳秀,劉拉程,王立.銅(110)c(2×1)-O模板調控的富勒烯納米結構[J].南昌大學學報(理科版),2013,37(06):526-530.

      [12]鄧立彬,王立,熊招平,匡渤海,趙會安.遺傳性心律失常猝死的分子解剖研究現(xiàn)狀及展望[J].中國法醫(yī)學雜志,2013,28(06):488-492.

      [13]陳秀,陳烽,劉拉程,柳叔毅,劉小青,王立.四氰基乙烯分子在銅(110)c(2×1)-O表面上的吸附行為[J].南昌大學學報(理科版),2013,37(02):168-170+204.

      [14]王光緒,熊傳兵,王立,劉軍林,江風益.Si襯底LED薄膜芯片Ni/Ag反射鏡保護技術[J].半導體技術,2013,38(04):283-287.

      [15]陶喜霞,王立,劉彥松,王光緒,江風益.p層厚度對Si基GaN垂直結構LED出光的影響[J].發(fā)光學報,2011,32(10):1069-1073.

      [16]鄭湘娟,胡六根,劉堅,王立,洪三國,余淑嫻.以香豆素為配體的三元稀土配合物的合成及發(fā)光性能的研究[J].稀土,2011,32(05):44-48.

      [17]邱虹,劉軍林,王立,江風益.SiON鈍化膜對硅襯底氮化鎵綠光LED可靠性的影響[J].發(fā)光學報,2011,32(06):603-607.

      [18]劉小青,王立.有機太陽能電池應用前景展望[J].能源研究與管理,2010(04):1-3+16.

      [19]熊傳兵,江風益,王立,方文卿,莫春蘭.硅襯底垂直結構InGaAlN多量子阱發(fā)光二極管電致發(fā)光譜的干涉現(xiàn)象研究[J].物理學報,2008,57(12):7860-7864.

      [20]劉玉娟,張斌,王坤,姚淑德,王立,江風益.用盧瑟福背散射/溝道技術研究MOVCD方法生長的ZnO薄膜的彈性應變[J].核技術,2007(08):657-659.

      [21]李璠,李冬梅,戴江南,王立,蒲勇,方文卿,江風益.緩沖層厚度對Ti/Si模板上生長ZnO薄膜的影響[J].南昌大學學報(理科版),2007(02):181-185.

      [22]肖祁陵,張萌,王立.高質量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射線衍射研究[J].功能材料與器件學報,2006(06):524-528.

      [23]程海英,王立,方文卿,蒲勇,鄭暢達,戴江南,江風益.MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生長ZnO薄膜[J].南昌大學學報(理科版),2006(06):585-589.

      [24]李璠,王立,戴江南,蒲勇,方文卿,江風益.常壓化學氣相沉積技術生長ZnO:H薄膜的光學性質[J].光學學報,2006(10):1585-1588.

      [25]程海英,方文卿,莫春蘭,劉和初,王立,江風益.δ摻雜對Si襯底GaN藍光LED外延膜性能的影響研究[J].光學學報,2006(08):1269-1273.

      [26]蘇宏波,戴江南,蒲勇,王立,李方,文卿,江風益.生長溫度對ZnO薄膜性能的影響[J].半導體學報,2006(07):1221-1224.

      [27]蘇宏波,戴江南,王立,蒲勇,方文卿,江風益.N_2O為氧源金屬有機化學氣相沉積生長ZnO薄膜的光學性能研究[J].光學學報,2006(07):1112-1114.

      [28]邵碧琳,江風益,戴江南,王立,方文卿,蒲勇.常壓化學氣相沉積法在Ag/Si(111)模板上生長ZnO薄膜及其性能研究[J].光學學報,2006(07):1115-1118.

      [29]熊傳兵,江風益,方文卿,王立,劉和初,莫春蘭.硅基GaN藍光LED外延材料轉移前后性能[J].中國科學E輯:技術科學,2006(07):733-740.

      [30]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,李璠,鄭暢達,劉衛(wèi)華,江風益.常壓MOCVD生長Ga_2O_3薄膜及其分析[J].發(fā)光學報,2006(03):417-420.

      [31]王立,蒲勇,方文卿,莫春蘭,熊傳兵,江風益.表面覆蓋退火對ZnO薄膜光學性質的影響(英文)[J].半導體學報,2006(03):409-412.

      [32]鄭暢達,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江風益.ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生長和性能研究[J].光學學報,2006(03):463-466.

      [33]劉衛(wèi)華,李有群,方文卿,周毛興,劉和初,莫春蘭,王立,江風益.Si襯底GaN基LED理想因子的研究[J].功能材料與器件學報,2006(01):45-48.

      [34]方芳,王立,方文卿,蒲勇,鄭暢達,蘇宏波,江風益.MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生長ZnO薄膜[J].南昌大學學報(理科版),2006(01):56-58+62.

      [35]李冬梅,李璠,蘇宏波,王立,戴江南,蒲勇,方文卿,江風益.MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生長ZnO薄膜的研究[J].人工晶體學報,2006(01):63-65+70.

      [36]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,莫春蘭,熊傳兵,鄭暢達,劉衛(wèi)華,江風益.常壓MOCVD生長ZnO/GaN/Al_2O_3薄膜及其性能[J].發(fā)光學報,2005(06):772-776+841.

      [37]陳玉鳳,溫戰(zhàn)華,王立,戴江南,方文卿,江風益.退火對常壓MOCVD法生長的高結晶性能ZnO薄膜發(fā)光特性的影響[J].發(fā)光學報,2005(05):59-64.

      [38]莫春蘭,方文卿,王立,劉和初,周毛興,江風益.硅襯底GaN基LED的研究進展[J].液晶與顯示,2005(05):66-73.

      [39]鄭暢達,方文卿,王立,莫春蘭,蒲勇,戴江南,劉衛(wèi)華,江風益.ZnO外延膜與藍寶石襯底的取向偏差及其彎曲變形[J].發(fā)光學報,2005(03):385-390.

      [40]王立,方文卿,蒲勇,鄭暢達,戴江南,莫春蘭,江風益.色散對GaN和ZnO的XRD搖擺曲線的影響[J].半導體學報,2005(05):917-921.

      [41]溫戰(zhàn)華,王立,方文卿,蒲勇,羅小平,鄭暢達,戴江南,江風益.退火溫度對ZnO薄膜結構和發(fā)光性能的影響[J].半導體學報,2005(03):498-501.

      [42]周鵬,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江風益.常壓MOCVD生長的ZnO薄膜的電學性能[J].半導體學報,2005(03):502-507.

      [43]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,江風益.ZnO/GaN/Al_2O_3的X射線雙晶衍射研究[J].功能材料與器件學報,2004(04):427-431.

      [44]熊傳兵,方文卿,蒲勇,戴江南,王立,莫春蘭,江風益.襯底溫度對常壓MOCVD生長的ZnO單晶膜的性能影響[J].半導體學報,2004(12):1628-1633.

      [45]王立,莫春蘭,熊傳兵,蒲勇,陳玉鳳,彭紹琴,江風益.常壓MOCVD生長ZnO薄膜及其性質[J].發(fā)光學報,2004(04):393-395+473.

      [46]李述體,江風益,范廣涵,王立,莫春蘭,方文卿.In_xGa_(1-x)N薄膜的彎曲因子及斯托克斯移動研究[J].光學學報,2004(06):751-755.

      [47]李述體,江風益,范廣涵,王立,莫春蘭,方文卿.未摻雜GaN外延膜的結晶特性與藍帶發(fā)光關系的研究[J].量子電子學報,2004(03):366-370.

      [48]李述體,江風益,范廣涵,王立,莫春蘭,方文卿.MOCVD生長GaN的表面形貌及缺陷研究[J].華南師范大學學報(自然科學版),2004(02):63-66.

      [49]管志斌,王立,江風益,葉建青.兩步鍍膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN歐姆接觸研究[J].功能材料與器件學報,2003(03):347-350.

      [50]萬凌云 ,莫春蘭 ,彭學新 ,熊傳兵 ,王立 ,江風益.MOCVD生長的GaN單晶膜透射光譜研究[J].發(fā)光學報,2002(04):352-356.

      [51]莫春蘭,李鵬,王立,熊傳兵,彭學新,辛勇,姚冬敏,李述體,江風益.氣流混合對生長GaN∶Si膜性能影響的研究[J].光學學報,2002(02):181-185.

      [52]江風益,李述體,王立,彭學新,熊傳兵.金屬有機化學汽相沉積生長InGaN薄膜的研究[J].光學學報,2001(12):1463-1466.

      [53]王立,李述體,江風益,余淑嫻.GaN基發(fā)光材料[J].化學教育,2001(10):3-6.

      [54]王立,李述體,彭學新,熊傳兵,李鵬,江鳳益.有機源載氣對MOCVD生長InGaN薄膜的影響研究[J].發(fā)光學報,2001(03):213-217.

      [55]江風益,姚冬敏,莫春蘭,王立,李鵬,熊傳兵,彭學新.化學計量比的偏離對GaN的結晶品質及光電性能的影響[J].半導體學報,2001(06):746-750.

      [56]李述體,江風益,彭學新,王立,熊傳兵,李鵬,莫春蘭.MOCVD生長的InGaN薄膜的離子束背散射溝道及其光致發(fā)光[J].半導體學報,2001(05):604-608.

      [57]莫春蘭,彭學新,熊傳兵,王立,李鵬,姚冬敏,辛勇,江鳳益.使用TEGa和TMGa為鎵源MOCVD生長GaN的研究[J].發(fā)光學報,2001(01):75-79.

      [58]熊傳兵,姚冬敏,彭學新,王立,江風益.GaN中一種新受主的發(fā)光性能研究[J].南昌大學學報(工科版),2001(01):5-8.

      [59]江風益,熊傳兵,彭學新,王立,李述體,姚冬敏,莫春蘭,李鵬,周毛興,周力,吳蔚登,劉和初.新型紫外光源研制成功[J].材料導報,2001(02):30-31.

      [60]李述體,莫春蘭,李鵬,王立,熊傳兵,彭學新,江風益.摻Si對MOCVD生長的GaN單晶膜的黃帶發(fā)射及生長速率的影響[J].功能材料與器件學報,2000(04):385-387.

      [61]姚冬敏,王立,熊傳兵,彭學新,江風益.GaN的補償度與離子束溝道最小產額比的關系的研究[J].發(fā)光學報,2000(02):109-114.

      [62]江風益,李述體,王立,熊傳兵,彭學新,辛勇,姚冬敏.MOCVD生長GaN:Si單晶膜的研究[J].發(fā)光學報,2000(02):120-124.

      [63]姚冬敏,辛勇,王立,李述體,熊傳兵,彭學新,劉念華,江風益.GaN的RBS/溝道、X射線雙晶衍射和光致發(fā)光譜[J].半導體學報,2000(05):437-440.

      [64]李述體,王立,彭學新,熊傳兵,姚冬敏,辛勇,江風益.MOCVD生長P型GaN的摻Mg量的研究[J].半導體學報,2000(04):365-368.

      [65]李述體,王立,辛勇,彭學新,熊傳兵,姚冬敏,江風益.MOCVD生長的GaN單晶膜的藍帶發(fā)光研究[J].發(fā)光學報,2000(01):29-32.

      [66]辛勇,熊傳兵,彭學新,姚冬敏,李述體,江風益.MOCVD生長的未摻雜GaN的結晶特性與補償度關系的研究[J].發(fā)光學報,2000(01):33-37.

      發(fā)表中文會議論文:

      [1]王立; 向菲菲; 冷新麗; 王仲平; 劉小青. 表面輔助的環(huán)化反應形成的超分子結構[C]. 中國化學會.中國化學會第30屆學術年會摘要集-第一分會:表面物理化學.中國化學會:中國化學會,2016:139.

      [2]向菲菲;李超;王仲平;劉小青;蔣丹鳳;冷新麗;王立. 掃描隧道顯微鏡研究在金(111)表面上銅誘導的卟啉金屬化過程[C]. 中國化學會.中國化學會第29屆學術年會摘要集——第01分會:表面物理化學.中國化學會:中國化學會,2014:129.

      [3]李超;向菲菲;王仲平;劉小青;蔣丹鳳;王立. 通過掃描隧道顯微鏡對單個二氯酞菁錫分子在銅(100)表面的室溫操縱[C]. 中國化學會.中國化學會第29屆學術年會摘要集——第01分會:表面物理化學.中國化學會:中國化學會,2014:130.

      [4]王立;莫春蘭;熊傳兵;湯英文;劉軍林;方文卿;王小蘭;劉衛(wèi)華;周印華;江風益. Si襯底InGaN大功率LED芯片制備[C]. 中國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會.第十二屆全國LED產業(yè)研討與學術會議論文集.中國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會:《半導體技術》編輯部,2010:49-51+77.

      榮譽獎勵:


      1.2008年入選江西省百千萬人才工程。

      2.2009年獲江西省高等學?萍汲晒坏泉劇

      3.2011年入選“十大井岡之子”候選人。

      4.2011年入選江西省首批“贛鄱英才555工程”。

      5.2011年入選教育部“新世紀優(yōu)秀人才支持計劃”。

      6.2011年入選江西省高校中青年學科帶頭人。

      7.2011年,江西省青年五四獎章。。

      8.2014年,獲國家級教學成果獎二等獎。

      9.2015年,中組部“西部之光”優(yōu)秀訪問學者。

      10.2016年,江西省科技創(chuàng)新人才。

      11.江西省優(yōu)秀碩士論文指導教師(2013年、2015年和2016年)。

       

      媒體報道一:


      讓勤奮的腳步踩在堅實的大地上———訪南昌大學高等研究院研究員王立教授

      初見王立教授,他給我們的印象是年輕而嚴謹?shù),一直忙碌于手頭的工作,直到我們采訪之前,他還在處理事務。作為南昌大學高等研究院的研究員,他每周僅有星期天一天是在學校以外的地方度過的,而他在學校,大部分又泡在了實驗室!拔蚁矚g待在實驗室,在那里,我可以看別人做實驗,和大家一起交流心得;也可以自己動手做實驗,解決問題。對于搞科研的人來說,實驗室是搞研究的風水寶地!蓖趿⒔淌谠谡劦綄嶒炇視r,語速加快的同時音量也提高了不少。

      當工作已經成了一種習慣,勤奮也就成了一件快樂的事情,在王立教授的世界里,工作是主打曲,很少出游,很少逛街,就是有機會出差,也是一心撲在工作上!拔移鋵嵉竭^不少國家,但是每次都是以工作為主,即使在工作之余也鮮有出去觀光的心思。這跟我的性格有關系,我本身是個喜歡靜的人,和我的工作相得益彰,所以覺得工作是一件再自然不過的事情!蓖趿⒔淌谔寡运瓦B身上穿的衣服也一直都是太太買的,來南昌將近兩年,只去過一次步行街。

      “熱愛是工作永久的動力!蓖趿⒔淌谶@樣談自己的工作態(tài)度。在有些人看來,工作只是支撐生存的必要條件而已,而王立教授卻認為工作其實是可以當做興趣來對待,熱愛工作才會想方設法去做好,永不厭倦地去努力,到最后有所收獲便是水到渠成的事情。

      這種態(tài)度也跟王立教授的經歷有關。在英國留學的時候,他發(fā)現(xiàn)那里的人們對自身的工作極其熱愛,即使是售貨員也會每天用發(fā)自肺腑的微笑面對顧客。而令他記憶最深刻的還是他的導師Moriarty教授,一個每天只睡5個小時的孜孜不倦的愛爾蘭人。因為熱愛,所以勤懇。

      在非工作時間,王立教授也不乏活躍的一面。他喜歡足球,上大學時還是系足球隊的成員,現(xiàn)在雖然不踢了,還是會關注英超和冠軍杯。而為了保持良好的體力,他現(xiàn)在也會經常打羽毛球。王立教授還很喜歡閱讀英國中世紀的歷史人物故事,在談到建筑時,他興致勃勃地講了自己對于英國中世紀建筑風格的所見所感?墒侨湓挷浑x本行,王立教授最后還是將話題轉到工作和科研上來。

      在談到為什么會來南昌大學任教時,王立教授坦言完全是因為南昌大學高等研究院成立的機緣。作為高等研究院第一個從國外引進的研究員,除了感受到研究院完備的硬件設施所帶來的便利之外,王立教授更多的是被其良好的學術氛圍所吸引。他說:“在高等研究院工作,沒有壓迫感,學術回歸到本身自由恬淡的狀態(tài),我可以做自己感興趣的研究!币舱且驗楦叩妊芯吭哼@種寬松自由的學術氛圍,使得王立教授做起科研來心無旁騖。

      “天道酬勤”是王立教授的人生信條!拔艺J為人與人之間沒有智商上的太多差別,所取得的成就不同,主要是后天努力度的差異造成的。”王立教授強調。當面臨挫折時,他也是以這種務實精神來坦然面對的。在他看來挫折是因外界不可控制的因素所造成的障礙,既然是不可控制的,那么干脆想開點,在做好自己能勝任的事情的同時往前看。這種達觀的態(tài)度看似樸素,但要付諸實踐卻是件不簡單的事。在他印象中,他并不覺得自己受過太大挫折,自己能勝任的已經做到或正在做,不能控制的就干脆放開或釋然,這樣遺憾就很少了。做科研也是一樣,若是遇到解決不了的難題,原因若是在自己,他會總結教訓再接再厲,若是自己所不能控制的,那就調整方向。

      雖然王立教授加盟南昌大學高等研究院只有兩年的時間,但是他已經在交叉學科方面邁出了堅實的步伐。專注物理的他和在化學領域取得成就的劉小明教授等合作開展了表面觀測的項目。由他和劉小明教授共同管理的高等研究院“微納米科學與技術實驗室”于2008年被批準為江西省高等學校重點實驗室。另外,他還獲得了國家自然科學基金的資助,這既是對王立教授取得的成果的肯定,同樣也是對他科研的促進。

      作為一個年輕的物理系教授,王立面對已經取得的成績并沒有滿足。他說:“我這一路走來,雖然沒有取得什么突出成果,積累也不深厚,不過亦不是碌碌無為,我還很年輕,科研工作才剛剛起步,需要做的還很多,希望通過自己的努力在自己的科研領域做的更好!

      中午的十一點多,我們采訪結束了,而王立教授又匆匆趕往實驗室!拔?guī)У难芯可嚓P基礎需要再加強一下,所以要花多的時間去指導!蓖趿⒔淌诮忉尩。勤奮、務實、熱愛工作,這是我們所看到的王立教授,踏實,勤奮,不張揚,只言自己所知之言,只做自己所能之事,只求自己可求之愿,像腳步踩在大地上那般沉穩(wěn)踏實,每一步都充滿一往無前的力量。 (照片由受訪者提供)王立教授簡介:王立,男,1975年出生于九江彭澤,現(xiàn)為南昌大學物理系教授和高等研究院研究員,曾先后在南京大學、英國諾丁漢大學獲得理學博士學位,并曾在新加坡國立大學擔任研究員。在 Journal of the AmericanChemical Society, Nano Letters, Applied Physics Letters,Journal of Physical Chemistry B, Physical Review B,Surface Science等國際著名 SCI檢索期刊上共發(fā)表論文 45篇,其中第一作者論文 17篇。2008年受邀為表面科學領域的頂級雜志 Surface ScienceReports撰寫了綜述性學術論文,2008年入選江西省百千萬人才工程。

      文章來源:《南昌大學校報》2009年6月5日

      媒體報道二:


      馳騁在前沿領域的科技工作者——王立

      王立,男,漢族,1975年2月出生,教授,博士生導師。1996年畢業(yè)于南京大學物理系,獲學士學位;2000年獲得南京大學固態(tài)電子學與微電子學專業(yè)理學博士學位;2005年獲得英國諾丁漢大學納米科學專業(yè)理學博士學位;2005至2007年在新加坡國立大學物理系從事有機分子-金屬界面特性、有機分子的表面自主裝、生物分子與襯底相互作用研究;2007年8月至今在南昌大學物理系任教并同時擔任南昌大學高等研究院研究員。

      在攀登科技高峰的過程中,他刻苦鉆研,銳意進取,把握分子器件發(fā)展的脈搏,在相關領域取得了突出成就,在國際著名學術刊物上發(fā)表學術論文50余篇,主持了多項國家級、省部級項目,為提升我省在前沿科學領域的實力,趕超國際先進水平作出了突出貢獻。

      所獲主要榮譽

      ※ 2008年入選江西省百千萬人才工程

      ※ 2009年度江西省高等學?萍汲晒勔坏泉

      ※ 2011年入選江西省首批“贛鄱英才555工程”

      為祖國的科研事業(yè)孜孜不倦

      王立出生在江西九江。1992年,他以優(yōu)異成績考取南京大學半導體專業(yè)。2000年,年僅25歲的王立獲得南京大學固態(tài)電子學與微電子學專業(yè)理學博士理學博士,畢業(yè)后留校任教一年。在南京大學的本科、碩士和博士學位攻讀期間,他取得了優(yōu)異的研究成果,多次獲得獎學金獎勵,獲得了“優(yōu)秀畢業(yè)生”和“優(yōu)秀研究生”稱號,為了準確把握科技發(fā)展的脈搏,積攢更多的知識儲備,更好的為黨和國家的科研事業(yè)服務,2002年他在英國工程與物理研究委員會的全額資助下,在英國諾丁漢大學物理與天文系攻讀第二個博士學位,系統(tǒng)學習了各種微納米科學研究手段。嚴格、豐富而又充實的學習、科研經歷使王立具備了深厚的理論功底和技術手段,成為一位具有敏銳洞察力,嚴謹務實的科研工作者。

      2007年,懷揣著為黨和國家的科學事業(yè)而奮斗終身的遠大理想,懷揣著對家鄉(xiāng)科研事業(yè)添磚加瓦的信念,32歲的王立拒絕了國外多所知名大學的邀請,回到了自己的祖國,來到了南昌大學。在校領導的關心和大力支持下,他建立了我省第一個表面科學研究平臺。高度的責任感,強烈的事業(yè)心,嚴謹求實的科學態(tài)度,使王立在納米科學領域取得了一系列突破性的創(chuàng)新成果。王立還凝聚了一支創(chuàng)新能力強、勤奮敬業(yè)、結構合理的研究團隊,承擔著3項國家自然科學基金項目和3項省部級項目的研究。一系列優(yōu)異的科研成果的取得使王立受到了行業(yè)內外的眾多關注,國內多家知名媒體對其進行了專訪報道,2010年《科學時報》對王立做了專訪,并刊登了《有了熱愛,還要有堅持》專訪報道。2011年《江西晨報》將他列為“江西省十大海歸人才”,進行了整版報道。

      在科學前沿領域創(chuàng)新

      王立長期從事分子自組裝和分子-金屬界面的基礎和應用研究工作,發(fā)表SCI索引學術論文53篇,被引用達360余次,得到了國內外同行的廣泛認可。因在超快界面電荷轉移方面的突出研究成果,2008 年受邀為國際頂級雜志《表面科學報告》(影響因子13.462)撰寫綜述性論文,介紹相關領域的最新進展以及自身所取得的科研成果,這是該雜志刊載的第一作者為中國地區(qū)科研人員的第二篇論文。

      2010年,王立研究組在手性結構制備和調控方面的研究成果被英國皇家化學學會出版的國際著名SCI 雜志《物理化學化學物理學》(影響因子4.12)刊登并被評選為封面論文,是該雜志首次以封面文章形式報道江西省的科研成果。而王立研究組刊登在應用物理領域國際上最有影響雜志《應用物理快報》(影響因子3.726)上的關于硅表面單分子吸附行為的成果,被美國物理聯(lián)合會作為納米領域的研究亮點向全球推薦,這也是江西省的研究成果首次以該形式被報道。首次在實驗上實現(xiàn)了分子取向調控的超快界面轉移過程,該成果被國際頂級雜志《先進材料》2009 年的進展報告評為制備單分子雙穩(wěn)開關器件的新途徑;首次發(fā)現(xiàn)了共軛大分子與金屬之間的轉移時間小于4飛秒(1飛秒為10-15 秒)的超快電荷轉移過程的存在,證實界面特性對分子-金屬界面之間的電荷輸運過程起著至關重要的影響;首次制備了分子構型所誘導的新型超分子表面自組織結構,揭示了分子間作用力對分子構型的依賴,并提出了一種制備自組織結構的新途徑。

      這些創(chuàng)新性研究成果具有重要的科學意義,不僅加深了對有機分子自組裝機制和分子-金屬界面電學輸運的理解,為新型分子器件的研制和分子-電極性能的改善提供了理論基礎,而且有助于我國開發(fā)具有自主知識產權、在國際上領先的新型納米電學器件、高效太陽能轉換器件和有機薄膜器件。

      在高新技術領域開疆擴土

      未來世界的競爭是科學技術的競爭。瞄準技術前沿,以科技興國為己任,王立教授不僅僅將科研事業(yè)局限在基礎實驗研究領域,還將科研事業(yè)拓展到高新技術領域。石墨烯是由單層的碳原子緊密排列成二維的蜂巢狀六角格子的新材料,具有各種獨特的力、熱、光、電特性,被譽為下一代電子元器件的基石材料。王立課題組自行設計和組裝了石墨烯制備裝置,將塑料等白色污染物轉換為超大面積、電、光學性能的參數(shù)達到國際先進水平的石墨烯,摸索出了在常壓下工業(yè)化生產和轉移石墨烯的核心技術,申請國家專利5項,填補了我國在該領域的空白。王立課題組開發(fā)的系列技術不僅可解決日益嚴重的白色污染,而且可實現(xiàn)變廢為寶,為我國在國際上占領技術至高點、提升民族產業(yè)在國際上的競爭力具有重要的戰(zhàn)略意義。

      揚帆遠航,為科研教育事業(yè)奮斗終身

      一路走來,王立的足跡看似尋常卻并不尋常。他獲得了榮譽和掌聲,付出的是超乎常人想象的汗水與艱辛。他對獲獎感到欣喜,卻沒有沉醉于臺下的掌聲,那些過去的成就只是鼓勵自己做得更好。而多年來,在科研路上遇到過大大小小的挫折,才是造就這位杰出科研人員創(chuàng)出佳績的重要元素。

      “天道酬勤”,這樣一句簡單的話背后,是王立數(shù)十年來在科研及人生道路上的執(zhí)著信念。王立在工作中是典型的“工作狂”。每周他只有1到2天在家吃晚飯,幾乎每天都要工作到深夜。在有些人看來,工作只是支撐生存的必要條件,而王立卻將工作當做興趣,當做責任。王立的學生說,直到晚上12點,都能看到他在網絡電話中在線,有什么問題,他都能及時進行解答。王立的字典里好像沒有“休息”兩個字,從周一到周日,他每天到實驗室對實驗室的科研情況進行指導,很多時候為了給學生做示范,他還會自己動手去做實驗,分析實驗結果。哪怕是在國外開會期間,他也會與學生視頻通話。王立科研態(tài)度嚴謹,對于學生的每一個試驗計劃都親自審查,總是能提出一些建設性的意見。對于每個學生試驗結果的總結總是能洞察到不足之處和下一步研究的方向,在他們的科研道路上執(zhí)起一盞明燈。

      王立為事業(yè)奉獻著全部心血和智慧,他對科學事業(yè)的執(zhí)著追求,是建立在獻身祖國科學事業(yè)的遠大理想執(zhí)著追求之上的。他深深懂得人生價值的顯現(xiàn),靠的不是天的恩賜、地的賞識、巧的機遇,而是靠的是持久的耐力,敏銳的洞察力,活躍的思維,超強的動手能力,更重要的是勤奮。

      目前王立正忙于相關課題的研究,他深知自己肩上擔子的份量,十分清楚這些研究課題對于提升國家科研實力的重要性。一個民族,一個國家,要存在,要發(fā)展,要振興,不能沒有科技;當今社會科技是支撐民族大廈的脊梁。他清醒地認識到我國科學事業(yè)的發(fā)展還需要不斷地攻堅破難。

      “路漫漫其修遠兮”,在困難前面,他又揚起了風帆,駛向夢的彼岸。這就是王立,一名優(yōu)秀青年科研工作者的追求。

      文章來源:《大江網》

      媒體報道三:


      “有了熱愛,還要有堅持”——記南昌大學高等研究院研究員王立博士

      單一手性分子的分離和提純具有巨大的經濟價值和廣闊的市場需求。左旋和右旋的手性分子具有相同的質量、元素組成和化學鍵合形式,常規(guī)物理、化學方法難以實現(xiàn)單一手性分子的高效分離。

      南昌大學物理系教授、高等研究院研究員王立博士帶領的研究團隊首次成功利用無手性分子構筑了雙層超分子手性結構,并實現(xiàn)了結構手性的自下而上傳遞,為手性分子模板的制備、手性催化、手性藥物分離開辟了新思路。2010年12月,國際學術期刊Physical Chemistry Chemical Physics(PCCP)以封面文章刊登了該項研究成果。

      近日,《科學時報》記者來到南昌大學,專訪了王立。

      王立出生在江西九江。1992年,他以優(yōu)異成績考取南京大學半導體專業(yè)。2000年,年僅25歲的王立獲得南京大學微電子學與固體電子學理學博士,畢業(yè)后留校任教一年。2002年獲得英國工程與物理科學研究會全額獎學金資助,赴英國諾丁漢大學物理系攻讀第二博士學位,系統(tǒng)學習了表面物理學知識。畢業(yè)后,任職于新加坡國立大學。

      2007年,南昌大學成立高等研究院,向海內外廣發(fā)“英雄帖”,招攬優(yōu)秀人才。

      得知家鄉(xiāng)高校求賢若渴,王立決定回到家鄉(xiāng)工作。在南昌大學,王立主要從事分子器件的制備和機理,有機分子/金屬界面相互作用,生物分子的結構及其物理性能等方面的研究。他與團隊成員緊密合作,一批批科研成果相繼誕生。

      目前,王立主持多項國家自然科學基金、教育部歸國留學人員基金、江西省自然科學基金項目,在《美國化學會志》(Journal of the American Chemical Society)、《納米快報》(Nano Letters)、《應用物理快報》(Applied Physics Letters)、《物理化學B》(Journal of Physical Chemistry B)、《物理評論B》(Physical Review B)、《表面科學》(Surface Science)等國際學術期刊上發(fā)表論文54篇。2008年,王立入選江西省百千萬人才工程。

      自2005年開始,王立對超快界面電荷轉移的動態(tài)過程進行了系統(tǒng)研究,成功證實了分子/金屬界面的電荷轉移特性強烈依賴于分子與金屬之間的雜化,并從實驗上觀察到發(fā)生在飛秒(10-15秒)時間尺度的由分子取向所決定的超快電荷轉移過程,為新型分子開關器件的研制奠定了重要理論基礎。國際學術刊物J. Am. Soc. Chem.、J. Phy. Chem. B、Appl. Phys. Lett.等對其研究成果進行了刊載。

      鑒于在此研究方向上的突出貢獻,2008年,王立受邀為國際學術期刊《表面科學報告》(Surface Science Reports)撰寫綜述性論文。據(jù)了解,這是該雜志刊載的第一作者為中國地區(qū)科研人員的第二篇論文。

      在南昌大學高等研究院實驗室,《科學時報》記者見到了王立的幾位學生。他們說,經?吹酵趵蠋熞粋人在實驗室工作到很晚,休息日也很少回家。

      在有些人看來,工作只是支撐生存的必要條件,而王立卻將工作當做興趣,當做責任。

      “有了熱愛,還要有堅持。一旦從事了這份事業(yè),就要有一份責任和擔當。”他說,“科研領域的魅力在于發(fā)掘和探索。我的工作才剛剛起步,需要做的還很多,現(xiàn)在的積累還不夠深厚,希望通過努力能在科研領域走得更遠。”

      王立,1996年獲得南京大學理學學士學位,2000年12月提前獲得南京大學理學博士學位。2005年獲英國諾丁漢大學納米科學專業(yè)博士學位。2005年受聘于新加坡國立大學物理系,從事分子器件的基礎研究,研究重點是分子—金屬之間的超快電荷轉移過程和機制。2007年由南昌大學作為高級引進人才從海外引進,以校聘教授資格進入南昌大學物理系工作,并被聘為南昌大學高等研究院研究員,同時學校給予巨額資助購買超高真空掃描隧道顯微鏡組建介觀物理及技術實驗室,F(xiàn)主持國家自然科學基金項目3項,省部級項目2項。2008年入選江西省百千萬人才工程,2009年獲得江西省高等學?萍汲晒勔坏泉。

      文章來源:《科學時報》2011-2-23

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