科學(xué)研究：

研究方向：

主要從事化合物半導(dǎo)體材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生長(zhǎng)和器件應(yīng)用，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料（主要是SiC材料）的生長(zhǎng)和器件應(yīng)用研究。

承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

1． 重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室經(jīng)費(fèi)：寬禁帶半導(dǎo)體，2010.1-2010.12。

2． 省自主創(chuàng)新：3英寸6H-SiC單晶生長(zhǎng)研究，2010.1-2010.12。

3． 973項(xiàng)目：金屬/介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)提高功率二極管量子效率的研究，2009-2013。

4． 核高基：2009ZX01001-001-02 XXX單晶襯底材料，2010-1011。

5． 科技攻關(guān)項(xiàng)目：Zn擴(kuò)散窗口工藝制備高可靠鎂摻雜AlInP包層半導(dǎo)體激光器。

6． 國(guó)家863計(jì)劃：SiC單晶襯底制備。

7． 山東省重大專項(xiàng)：基于SiC襯底的GaN發(fā)光二極管材料與管芯技術(shù)。

8． 國(guó)家杰出青年基金：MOCVD生長(zhǎng)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其器件應(yīng)用。

科研成果：

1． 高功率808nm非對(duì)稱無(wú)鋁應(yīng)變量子阱激光器 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 李沛旭; 張新; 湯慶敏; 李樹強(qiáng); 任忠祥; 張成山; 蘇建; 王海衛(wèi); 單立英 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2009-12-01

2． 超高亮度紅色發(fā)光二極管外延材料及管芯制備 李樹強(qiáng); 任忠祥; 徐現(xiàn)剛; 張新; 夏偉; 馬光宇; 趙霞焱; 張成山; 單立英; 劉長(zhǎng)江 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2008-12-01

3． 基于換襯底技術(shù)的超高亮度LED制備技術(shù) 任忠祥; 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 蘇建; 張新; 張秋霞; 張成山; 陳康 【科技成果】山東浪潮華光光電子股份有限公司 2010-12-01

4． 激光顯示用TM偏振大功率808nm激光器 任忠祥; 李沛旭; 夏偉; 張新; 徐現(xiàn)剛; 于果蕾; 湯慶敏; 鄭鐵民; 張成山; 王海衛(wèi) 【科技成果】山東浪潮華光光電子股份有限公司; 長(zhǎng)春理工大學(xué); 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 2011-09-01

5． 半導(dǎo)體照明用高亮度藍(lán)光LED外延材料和管芯研制 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 任忠祥; 沈燕; 曲爽; 夏偉; 劉存志; 張成山; 馮建 【科技成果】山東華光光電子有限公司 2011-07-06

發(fā)明專利：

1． 一種采用鋁組分漸變電子阻擋層的LED結(jié)構(gòu) 王成新; 王強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 曲爽 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-12-12

2． 一種采用勢(shì)壘高度漸變量子壘的LED結(jié)構(gòu)及其制備方法 王成新; 王強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 曲爽 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-12-12

3． 具有漢字圖形的LED芯片電極(1) 藺福合; 沈燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09

4． 具有漢字圖形的LED芯片電極(2) 藺福合; 沈燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09

5． 一種提高藍(lán)寶石襯底氮化鎵外延層均勻性的方法 邵慧慧; 徐現(xiàn)剛; 曲爽; 王成新; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-02

6． 一種藍(lán)寶石圖形襯底的制備方法 劉巖; 王德曉; 邵慧慧; 劉存志; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2013-01-09

7． 一種全固態(tài)三基色激光器芯片及其制作方法 夏偉; 蘇建; 張秋霞; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東浪潮華光光電子有限公司 2013-03-06

8． 一種提高4H-SiC單晶晶型穩(wěn)定性的方法 徐現(xiàn)剛; 彭燕; 胡小波; 高玉強(qiáng); 宋生; 王麗煥; 魏汝省 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-12-07

9． 一種光輔助紅光LED的磷化鎵窗口層濕法粗化的方法 劉鐸; 左致遠(yuǎn); 王瑞軍; 于謙; 馮兆斌; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-12-14

10． GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED中SiC襯底的剝離方法 劉曉燕; 沈燕; 徐化勇; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-05-23

11． 提高發(fā)光效率的GaN基LED外延片及其制備與應(yīng)用 曲爽; 徐現(xiàn)剛; 李毓鋒; 王成新; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-06-06

12． 刻面明亮琢型碳硅石寶石及其切磨加工方法 徐現(xiàn)剛; 田亮光; 付芬 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2012-07-04

13． 氮化鎵基高電子遷移率晶體管及其制作方法 張洪月; 曲爽; 李樹強(qiáng); 王成新; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-07-04

14． 一種氮化物分布式布拉格反射鏡及制備方法與應(yīng)用 曲爽; 李樹強(qiáng); 李毓鋒; 王成新; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-07-18

15． 制備及調(diào)控表面粗化的ZnO納米錐或納米棒陣列的方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2012-07-18

16． 一種含有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的襯底 沈燕; 張木青; 王成新; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-09-19

17． 一種三相電阻加熱裝置 于國(guó)建; 張雷; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司 2012-09-19

18． 一種溫場(chǎng)調(diào)節(jié)裝置 于國(guó)建; 張雷; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司 2012-09-12

19． 一種適用于制備高亮度LED的藍(lán)寶石圖形襯底的光刻版 張雷; 于國(guó)建; 郝霄鵬; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司 2012-09-12

20． 一種碲化鋅/砷化鎵異質(zhì)外延層的制備方法 冀子武; 黃樹來; 趙雪琴; 張磊; 郭其新; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2012-10-03

21． 一種采用AlInN量子壘提高GaN基LED內(nèi)量子效率的LED結(jié)構(gòu)及制備方法 王成新; 王強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 曲爽 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-17

22． 一種采用AlGaInN四元材料作為量子阱和量子壘的LED結(jié)構(gòu)及其制備方法 王成新; 王強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 曲爽 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-17

23． 帶有ZnO微米圖形陣列的LED管芯及其制備方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2012-10-24

24． 帶有ZnO微米和納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的LED管芯及其制備方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2012-10-24

25． 一種低應(yīng)力的氮化鎵外延層的制備方法 曲爽; 徐現(xiàn)剛; 邵慧慧; 王成新; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-10-31

26． 一種以石墨烯作為緩沖層外延GaN的結(jié)構(gòu)及其制備方法 曲爽; 徐現(xiàn)剛; 邵慧慧; 王成新; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2012-11-07

27． 一種大直徑4H-SiC晶片碳面的表面拋光方法 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-02-09

28． 一種GaN基LED管芯P型GaN層的結(jié)構(gòu) 徐現(xiàn)剛; 沈燕; 胡小波 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-01-19

29． 具有較高靜電擊穿電壓的GaN基LED 吳德華; 朱學(xué)亮; 曲爽; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-02-16

30． 一種半導(dǎo)體激光器巴條制作方法 于果蕾; 湯慶敏; 房玉鎖; 徐現(xiàn)剛; 夏偉 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-03-30

31． 一種制備GaN基LED的方法 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 王成新; 夏偉; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-03-30

32． 錐狀圖形襯底的兩次腐蝕制備方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-06

33． 一種光纖耦合輸出半導(dǎo)體激光器輸出光斑勻化方法 于果蕾; 開北超; 湯慶敏; 孟秋真; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-13

34． 一種金屬介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制備方法 夏偉; 張秋霞; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-27

35． 平板倒裝焊GaN基LED芯片結(jié)構(gòu) 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 徐化勇; 鄭鵬 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-04-27

36． 一種管芯串聯(lián)激光器封裝方法 于果蕾; 房玉鎖; 李沛旭; 湯慶敏; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-25

37． 一種光纖耦合半導(dǎo)體激光器輸出光帶指示裝置 于果蕾; 孟秋真; 湯慶敏; 徐現(xiàn)剛; 李沛旭 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01

38． 一種半導(dǎo)體激光器雙弧面鍍膜光纖整形方法 于果蕾; 徐現(xiàn)剛; 湯慶敏; 李沛旭; 房玉鎖 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01

39． 在大直徑6H-SiC碳面上生長(zhǎng)石墨烯的方法 陳秀芳; 魏汝省; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-05-11

40． 一種GaAs基LED芯片的激光切割方法 趙霞焱; 徐現(xiàn)剛; 張秋霞; 黃少梅 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-01

41． 一種干法與濕法混合制備藍(lán)寶石圖形襯底的方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18

42． 倒裝功率LED管芯自由組合燈芯 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 徐化勇; 張玉娟 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18

43． 一種電致/光致混合發(fā)光白光LED芯片及制作方法 夏偉; 蘇建; 張秋霞; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18

44． 單芯片白光LED及其制備方法 蘇建; 夏偉; 張秋霞; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18

45． 一種白光LED芯片及其制備方法 張秋霞; 夏偉; 蘇建; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-05-18

46． 一種LED芯片的切割方法 張秋霞; 任忠祥; 夏偉; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-06-15

47． 基于激光器的SiC襯底LED大面積可控表面粗化刻蝕方法 左致遠(yuǎn); 劉鐸; 徐現(xiàn)剛; 何京良 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-06-29

48． 一種GaN基LED外延片表面粗化方法 曲爽; 邵慧慧; 王成新; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2011-07-20

49． 一種利用ZnO納米錐陣列提高LED發(fā)光效率的方法 吳擁中; 尹正茂; 郝霄鵬; 劉曉燕; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-08-17

50． 一種測(cè)量SiC晶體中微管密度的方法 王翎; 彭燕; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 寧麗娜 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-09-07

51． 一種金屬納米顆粒輔助實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管表面粗化的方法 王瑞軍; 劉鐸; 左致遠(yuǎn); 于謙; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-08-31

52． 一種刻面碳化硅寶石成品的加工方法 付芬; 徐現(xiàn)剛; 田亮光 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-09-28

53． 一種LED外延片表面制備TiO₂納米柱陣列的方法 郝霄鵬; 劉曉燕; 吳擁中; 尹正茂; 周偉家; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2011-10-12

54． 作為提高LED出光效率微透鏡的聚苯乙烯半球的制備方法 郝霄鵬; 劉曉燕; 鞏海波; 吳擁中; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-09-08

55． 一種SiC襯底GaN基LED的濕法腐蝕剝離方法 吳德華; 朱學(xué)亮; 李樹強(qiáng); 王成新; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-08-04

56． 基于激光器的LED大面積可控表面粗化及刻蝕方法 劉鐸; 左致遠(yuǎn); 張百濤; 何京良; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-10-20

57． 一種SiC襯底LED的歐姆接觸電極制備方法 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 徐化勇; 王成新; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

58． 一種有效利用電流的LED電極結(jié)構(gòu)及其制作方法 張秋霞; 徐現(xiàn)剛; 夏偉; 蘇建; 陳康 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

59． GaN基LED圖形化透明導(dǎo)電薄膜的制作方法 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 鄭鵬; 劉存志; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

60． 一種反極性AlGaInP紅光LED芯片電流擴(kuò)展的制作方法 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 蘇建; 張新; 張秋霞; 陳康; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

61． 一種適合激光剝離的大功率GaN基LED外延結(jié)構(gòu) 劉長(zhǎng)江; 張成山; 徐現(xiàn)剛; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

62． 一種退火剝離倒裝SiC襯底GaN基LED的制作方法 吳德華; 朱學(xué)亮; 楊鑫沼; 曲爽; 李樹強(qiáng); 王成新; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-12-08

63． 石墨烯光學(xué)調(diào)Q開關(guān)及應(yīng)用 于浩海; 徐現(xiàn)剛; 陳秀芳; 張懷金; 胡小波; 王正平; 王繼揚(yáng); 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-12-08

64． 一種半導(dǎo)體激光器掩蔽膜的制作方法 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2007-08-22

65． 一種具有新型摻雜GaP層的AlGaInP發(fā)光二極管 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 夏偉; 張新; 任忠祥; 張成山; 趙克家 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-05

66． 一種高亮度發(fā)光二極管芯片的制備方法 任忠祥; 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng) 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-05

67． 一種P型磷化鎵半導(dǎo)體材料及其制備方法 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 夏偉; 張新; 任忠祥; 趙克家; 張成山 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2007-09-12

68． 彩色碳硅石單晶及其制備方法與人造寶石的制備 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2007-09-19

69． 一種在SiC襯底上制備的發(fā)光二極管 徐現(xiàn)剛; 寧麗娜; 李樹強(qiáng); 胡小波; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2007-10-24

70． 帶電流調(diào)整層的AlGaInP系LED芯片及其制備方法 吳作貴; 張新; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-05-26

71． 半導(dǎo)體激光器TO管座封裝光束壓縮工藝 湯慶敏; 蘇建; 于果蕾; 夏偉; 徐現(xiàn)剛; 王海衛(wèi); 李佩旭; 劉長(zhǎng)江 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-06

72． 一種利用交變電場(chǎng)制備納米顆粒的方法 郝霄鵬; 高敞; 吳擁中; 鞏海波; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2008-08-20

73． 一種高效半導(dǎo)體納米材料的制備方法及其應(yīng)用 崔得良; 徐現(xiàn)剛; 高善民; 殷永泉; 黃柏標(biāo); 潘教青; 王繼揚(yáng); 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2001-10-10

74． CaAsSb/InP雙異質(zhì)結(jié)晶體三極管及其制備方法 徐現(xiàn)剛; 崔得良; 白玉俊; 郝霄鵬 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2001-10-17

75． 制備氮化硼納米微粉的方法 崔得良; 郝霄鵬; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2001-11-28

76． 水熱條件下制備氮化物超微粉和氮化物晶體的方法 郝霄鵬; 崔得良; 于美燕; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2002-08-21

77． 一種高效半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用 崔得良; 徐現(xiàn)剛; 高善民; 殷永泉; 黃柏標(biāo); 潘教青; 王繼揚(yáng); 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2004-05-12

78． 一種生長(zhǎng)具有半導(dǎo)體特性的大直徑6H-SiC單晶的裝置和方法 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 王繼揚(yáng); 王麗; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2004-12-15

79． 低溫低壓合成氮化物晶體材料的方法 郝霄鵬; 徐現(xiàn)剛; 張懷金; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2004-12-29

80． 具有阻尼的晶體旋轉(zhuǎn)提拉裝置 王繼揚(yáng); 劉宏; 高磊; 張懷金; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華; 吳建波; 秦曉勇; 朱懷烈 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2005-03-23

81． 一種用于近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)的懸掛坩堝及生長(zhǎng)方法 王繼揚(yáng); 劉宏; 高磊; 張懷金; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華; 吳建波; 秦曉勇; 朱懷烈 【中國(guó)專利】山東大學(xué);中電科技德清華瑩電子有限公司 2005-08-17

82． 消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中內(nèi)秉電場(chǎng)的方法 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-05-26

83． 大直徑SiC單晶的切割方法 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 陳秀芳; 李娟; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2006-03-01

84． 大直徑高硬度6H-SiC單晶片的表面拋光方法 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 陳秀芳; 蔣民華 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2006-09-27

85． 用于半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)的高純碳化硅粉的人工合成方法 胡小波; 寧麗娜; 李娟; 王英民; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2008-11-12

86． 利用YAG透明陶瓷制備白光LED的方法 劉長(zhǎng)江; 徐現(xiàn)剛; 張成山; 任忠祥; 劉琦 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-01-07

87． 非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的無(wú)鋁有源區(qū)808nm大功率量子阱激光器 李沛旭; 李樹強(qiáng); 夏偉; 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-01-07

88． 一種白光LED 劉長(zhǎng)江; 徐現(xiàn)剛; 張成山; 任忠祥; 沈燕; 呂啟超 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-05-13

89． 一種中低功率半導(dǎo)體激光器的封裝制作方法 王海衛(wèi); 湯慶敏; 徐現(xiàn)剛; 夏偉; 蘇建; 李沛旭 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2008-12-24

90． 用光致激發(fā)在非摻雜量子阱中產(chǎn)生帶電激子的方法及裝置 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2009-09-23

91． 用分子束外延工藝制備Ⅱ型量子阱的方法及設(shè)備 冀子武; 鄭雨軍; 趙雪琴; 李炳生; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2009-09-23

92． 藍(lán)寶石襯底的AlGaInP發(fā)光二極管外延片及其制備方法 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 張新; 馬光宇; 任忠祥; 夏偉; 吳小強(qiáng); 盧振; 于軍; 吳作貴 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23

93． 硅襯底上外延生長(zhǎng)的鋁鎵銦磷發(fā)光二極管 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 張新; 馬光宇; 吳小強(qiáng); 盧振 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-27

94． 6H-SiC基底反極性AlGaInP LED芯片 徐現(xiàn)剛; 夏偉; 蘇建 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23

95． 硅襯底上生長(zhǎng)的鋁鎵銦磷LED外延片及其制備方法 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 張新; 馬光宇; 吳小強(qiáng); 盧振 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-09-23

96． 基于GaAs襯底的AlGaInP四元三端電極發(fā)光管 沈燕; 劉存志; 李懿洲; 趙霞炎; 彭璐; 鄭鵬; 張新; 李樹強(qiáng); 夏偉; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-11-25

97． 藍(lán)寶石襯底的AlGaInP發(fā)光二極管 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 張新; 馬光宇; 任忠祥; 夏偉; 吳小強(qiáng); 盧振; 于軍; 吳作貴 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-01-27

98． 一種垂直GaN基LED芯片及其制作方法 沈燕; 徐現(xiàn)剛; 李樹強(qiáng); 夏偉; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2009-12-16

99． 降低位錯(cuò)缺陷的GaN基LED芯片外延生長(zhǎng)方法 朱學(xué)亮; 吳德華; 曲爽; 吳亭; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-05-05

100． 一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制作方法 郝霄鵬; 鞏海波; 吳擁中; 夏偉; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-06-16

101． 大功率LED灌封工藝 莊智勇; 徐現(xiàn)剛; 夏偉; 張成山; 劉長(zhǎng)江 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-06-30

102． 一種SiC或Si襯底GaN基晶體的結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法 吳德華; 朱學(xué)亮; 曲爽; 李毓鋒; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-07-07

103． 具有電子空穴雙重限制的AlGaInP系LED及其制備方法 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 張新; 吳作貴 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-07-07

104． 一種高出光率SiC襯底LED芯片及其制備方法 吳德華; 朱學(xué)亮; 曲爽; 張鴻月; 李樹強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 任忠祥 【中國(guó)專利】山東華光光電子有限公司 2010-02-03

105． 一種利用ITO顆粒掩膜粗化紅光發(fā)光二極管的方法 郝霄鵬; 鞏海波; 夏偉; 吳擁中; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-02-24

106． 利用PS球作模板制作發(fā)光二極管粗化表面的方法 郝霄鵬; 夏偉; 鞏海波; 吳擁中; 徐現(xiàn)剛 【中國(guó)專利】山東大學(xué) 2010-02-24

論文專著：

先后在國(guó)際性學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文120多篇，被SCI和EI收錄論文約70篇。

出版專著：

資料更新中……

發(fā)表中文論文：

1 山東省半導(dǎo)體照明材料發(fā)展報(bào)告 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng) 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】山東省材料發(fā)展報(bào)告2010～2011 2012-01-01

2 SiC單晶中生長(zhǎng)缺陷的研究進(jìn)展 胡小波; 彭燕; 陳秀芳; 宋生; 魏汝省; 王麗煥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第十六屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集-06晶體結(jié)構(gòu)、缺陷和表征 2012-10-21

3 4H-SiC晶體表面形貌和缺陷 彭燕; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 魏汝省; 徐化勇; 宋生; 高玉強(qiáng) 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2009-11-06

4 SiC襯底上GaN基的材料生長(zhǎng)及器件研究 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【中國(guó)會(huì)議】第十一屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2010-01-13

5 MOCVD生長(zhǎng)AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm無(wú)鋁量子阱激光器 李沛旭; 夏偉; 李樹強(qiáng); 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【中國(guó)會(huì)議】第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料; 微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2008-11-30

6 SiC襯底上MOCVD法外延GaN基藍(lán)光LED 朱學(xué)亮; 曲爽; 劉存志; 李樹強(qiáng); 夏偉; 沈燕; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料; 微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2008-11-30

7 4H-Si_(1-y)C_y合金的生長(zhǎng)及特性 俞斐; 吳軍; 韓平; 王榮華; 葛瑞萍; 趙紅; 俞慧強(qiáng); 謝自力; 徐現(xiàn)剛; 陳秀芳; 張榮; 鄭有炓 南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料; 微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2008-11-30

8 提高倒裝AlGaInP LED光效的表面粗化研究 張秋霞; 夏偉; 蘇建; 陳康; 孔洪美; 徐現(xiàn)剛 山東浪潮華光光電子有限公司 【中國(guó)會(huì)議】第十二屆全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)研討與學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2010-09-09

9 4.8 W連續(xù)輸出大功率紅光半導(dǎo)體激光器的研制 王海衛(wèi); 張新; 李沛旭; 湯慶敏; 李樹強(qiáng); 夏偉; 徐現(xiàn)剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】2010’全國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會(huì)論文集 2010-07-16

10 低溫苯熱合成氮化硼納米晶 郝霄鵬; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】納米材料和技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展——全國(guó)第二屆納米材料和技術(shù)應(yīng)用會(huì)議論文集（上卷） 2001-06-30

11 氮化硼納米晶的低溫苯熱合成 郝霄鵬; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第四屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2001-10-01

12 Nd:La₃Ga_(5.5)Ta_(0.5)O₍₁₄₎晶體生長(zhǎng)及其激光性能 孔海寬; 王繼揚(yáng); 張懷金; 劉均海; 林彥霆; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué); 山東大學(xué) 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

13 新型激光晶體Nd:LuVO₄的生長(zhǎng)與性能研究 趙守仁; 張懷金; 王繼揚(yáng); 孔海寬; 劉均海; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

14 6H-SiC單晶中的微管和小角度晶界 韓榮江; 王繼揚(yáng); 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 董捷; 李現(xiàn)祥 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

15 6H-SiC單晶的生長(zhǎng)與缺陷 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華; 韓榮江; 董捷; 李現(xiàn)祥 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

16 透射電子顯微鏡直接觀察SiC晶體中的層錯(cuò)結(jié)構(gòu) 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

17 稀土摻質(zhì)YCOB系列晶體生長(zhǎng) 張懷金; 王繼揚(yáng); 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

18 低溫低壓苯熱合成立方氮化硼納米晶 郝霄鵬; 李玲; 董守義; 展杰; 崔得良; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

19 SiC多晶片在高能電子束照射下枝晶生長(zhǎng)現(xiàn)象 李現(xiàn)祥; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 韓榮江; 董捷; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

20 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結(jié)構(gòu) 董捷; 胡小波; 韓榮江; 李現(xiàn)祥; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng) 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

21 低溫溶劑熱合成立方氮化鋁納米晶 李玲; 郝霄鵬; 于乃森; 徐紅燕; 徐現(xiàn)剛; 崔德良; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 2003-06-30

22 反應(yīng)溫度對(duì)苯熱合成氮化硼納米晶的影響 郝霄鵬; 展杰; 房偉; 李玲; 董守義; 崔得良; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ 2004-09-01

23 溫度及溫度梯度對(duì)SiC單晶生長(zhǎng)的影響 李現(xiàn)祥; 李娟; 董捷; 王麗; 姜守振; 韓榮江; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 胡小波; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ 2004-09-01

24 Micro-Raman光譜鑒定碳化硅單晶的多型結(jié)構(gòu) 王麗; 胡小波; 董捷; 李娟; 姜守振; 李現(xiàn)祥; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ 2004-09-01

25 GaP/GaN核殼型納米復(fù)合材料的制備 于乃森; 郝霄鵬; 展杰; 李玲; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【中國(guó)會(huì)議】第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅲ 2004-09-01

26 半絕緣SiC單晶生長(zhǎng)和表征 宋生; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2012-08-15

27 MOCVD生長(zhǎng)GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm張應(yīng)變量子阱激光器材料 蔣鍇; 李沛旭; 張新; 李樹強(qiáng); 夏偉; 湯慶敏; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2012-08-15

28 不同極性6H-SiC表面石墨烯的制備及其電子結(jié)構(gòu)的研究 康朝陽(yáng); 唐軍; 李利民; 潘海斌; 閆文盛; 徐彭壽; 韋世強(qiáng); 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】物理學(xué)報(bào) 2011-04-15

29 超強(qiáng)磁場(chǎng)下非摻雜ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和帶電激子的光學(xué)特性 冀子武; 鄭雨軍; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)物理學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】物理學(xué)報(bào) 2011-04-15

30 碳化硅晶體的可見近紅外透射光譜分析 于元?jiǎng)? 連潔; 官文櫟; 王公堂; 李娟; 徐現(xiàn)剛 齊魯師范學(xué)院物理系; 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院; 山東師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】山東大學(xué)學(xué)報(bào)(工學(xué)版) 2011-04-16

31 基于6H-SiC襯底外延石墨烯的被動(dòng)鎖模摻鐿光纖激光器 劉江; 魏汝省; 徐佳; 徐現(xiàn)剛; 王璞 北京工業(yè)大學(xué)激光工程研究院國(guó)家產(chǎn)學(xué)研激光技術(shù)中心; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】中國(guó)激光 2011-08-10

32 808nm無(wú)Al量子阱激光器mini陣列的研制 王翎; 李沛旭; 房玉鎖; 湯慶敏; 張新; 夏偉; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué); 山東華光光電子有限公司 【期刊】半導(dǎo)體技術(shù) 2011-12-03

33 6H-SiC成核表面形貌與缺陷產(chǎn)生的研究 王英民; 寧麗娜; 彭燕; 徐化勇; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2009-02-15

34 Mg摻雜AlInP限制層窗口結(jié)構(gòu)高功率(3.7W)660nm AlGaInP寬面半導(dǎo)體激光器 馬德營(yíng); 李佩旭; 夏偉; 李樹強(qiáng); 湯慶敏; 張新; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2009-06-15

35 退火時(shí)間對(duì)6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和結(jié)構(gòu)的影響 唐軍; 劉忠良; 康朝陽(yáng); 閆文盛; 徐彭壽; 潘海斌; 韋世強(qiáng); 高玉強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 淮北煤炭師范學(xué)院物理與電子信息學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2010-01-15

36 以(10■5)面為籽晶的6H-SiC單晶生長(zhǎng)與缺陷研究 高玉強(qiáng); 彭燕; 李娟; 陳秀芳; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2010-04-15

37 4H-SiC晶體表面形貌和多型結(jié)構(gòu)變化研究 彭燕; 寧麗娜; 高玉強(qiáng); 徐化勇; 宋生; 蔣鍇; 胡小波; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 嘉興學(xué)院 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2010-06-15

38 ITO掩膜干法粗化GaP提高紅光LED的提取效率 鞏海波; 郝霄鵬; 夏偉; 吳擁中; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】光電子.激光 2010-09-15

39 ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中界面結(jié)構(gòu)對(duì)發(fā)光特性的影響 冀子武; 鄭雨軍; 徐現(xiàn)剛; 魯云 山東大學(xué)物理學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 千葉大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科 【期刊】物理學(xué)報(bào) 2010-11-15

40 退火對(duì)6H-SiC晶體的光學(xué)性質(zhì)及光致發(fā)光的影響 馬崢; 連潔; 王青圃; 馬躍進(jìn); 宋平; 高尚; 吳仕梁; 王曉; 徐現(xiàn)剛; 李娟 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】紅外與激光工程 2010-10-25

41 濕法腐蝕制備藍(lán)寶石圖形襯底的研究 邵慧慧; 李樹強(qiáng); 曲爽; 李毓鋒; 王成新; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2010-12-15

42 MOCVD生長(zhǎng)AlGaInP/InGaAsP大功率808nm無(wú)鋁量子阱激光器 李沛旭; 夏偉; 李樹強(qiáng); 張新; 湯慶敏; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司 【期刊】半導(dǎo)體技術(shù) 2008-12-31

43 SiC襯底上MOCVD法外延GaN基藍(lán)光LED 朱學(xué)亮; 曲爽; 劉存志; 李樹強(qiáng); 夏偉; 沈燕; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】半導(dǎo)體技術(shù) 2008-12-31

44 4H-Si_(1-y)C_y合金的生長(zhǎng)及特性 俞斐; 吳軍; 韓平; 王榮華; 葛瑞萍; 趙紅; 俞慧強(qiáng); 謝自力; 徐現(xiàn)剛; 陳秀芳; 張榮; 鄭有炓 南京大學(xué)物理學(xué)系江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】半導(dǎo)體技術(shù) 2008-12-31

45 SiC單晶片的超精密加工 李娟; 陳秀芳; 馬德營(yíng); 姜守振; 李現(xiàn)祥; 王麗; 董捷; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】功能材料 2006-01-20

46 6H-SiC單晶生長(zhǎng)溫度場(chǎng)優(yōu)化及多型控制 李現(xiàn)祥; 胡小波; 董捷; 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王麗; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2006-02-28

47 AlN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展 李娟; 胡小波; 姜守振; 陳秀芳; 李現(xiàn)祥; 王麗; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2006-02-28

48 同步輻射白光形貌術(shù)觀察SiC單晶中的微小多型結(jié)構(gòu) 李現(xiàn)祥; 董捷; 胡小波; 李娟; 姜守振; 王麗; 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華; 田玉蓮; 黃萬(wàn)霞; 朱佩平 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 北京高能物理研究所同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 北京高能物理研究所同步輻射實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】功能材料 2006-04-20

49 BN坩堝中的AlN單晶生長(zhǎng) 李娟; 胡小波; 姜守振; 王英民; 寧麗娜; 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2006-04-30

50 PIN結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管反向擊穿特性分析 李樹強(qiáng); 夏偉; 馬德營(yíng); 張新; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué); 山東大學(xué); 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué) 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】光電子?激光 2006-04-15

51 Mg摻雜AlInP 650 nmLD外延片的Zn擴(kuò)散研究 李樹強(qiáng); 馬德營(yíng); 夏偉; 陳秀芳; 張新; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】光電子?激光 2006-07-15

52 6H-SiC晶片的退火處理 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 于光偉; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼楊; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2006-10-30

53 同步輻射背反射白光形貌術(shù)觀察6H-SiC單晶中的小角晶界和微管 姜守振; 黃先榮; 胡小波; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 紐約州立大學(xué)石溪分校材料科學(xué)與工程系; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 美國(guó)紐約11794; 山東濟(jì)南 【期刊】功能材料 2006-12-20

54 MOCVD生長(zhǎng)低閾值電流GaInP/AlGaInP 650nm激光器 夏偉; 王翎; 李樹強(qiáng); 張新; 馬德營(yíng); 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院; 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2006-12-30

55 沿[1 ■00]方向升華法生長(zhǎng)6H-SiC單晶 姜守振; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼楊; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2007-02-28

56 SiC單晶生長(zhǎng)及其晶片加工技術(shù)的進(jìn)展 姜守振; 徐現(xiàn)剛; 李娟; 陳秀芳; 王英民; 寧麗娜; 胡小波; 王繼楊; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-05-15

57 微小孔徑激光器的光譜特性綜述 蓋洪峰; 王佳; 田芊; 夏偉; 徐現(xiàn)剛 清華大學(xué)精密儀器系精密測(cè)試技術(shù)及儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué); 山東大學(xué) 北京 【期刊】光學(xué)技術(shù) 2007-07-20

58 3英寸6H-SiC單晶的生長(zhǎng) 王英民; 寧麗娜; 陳秀芳; 彭燕; 高玉強(qiáng); 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2007-06-15

59 高透腔面大功率650nm紅光半導(dǎo)體激光器 夏偉; 馬德營(yíng); 王翎; 李樹強(qiáng); 湯慶敏; 張新; 劉琦; 任忠祥; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】中國(guó)激光 2007-09-15

60 6H-SiC襯底片的表面處理(英文) 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 楊光; 寧麗娜; 王英民; 李娟; 姜守振; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2007-10-15

61 Mn/6H-SiC(0001)界面的同步輻射光電子能譜研究 武煜宇; 劉金鋒; 孫柏; 劉忠良; 徐彭壽; 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所; 中國(guó)科學(xué)院合肥智能機(jī)械研究所; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】核技術(shù) 2008-12-10

62 硅粉形貌對(duì)人工合成高純碳化硅粉料的影響 寧麗娜; 胡小波; 王英民; 王翎; 李娟; 彭燕; 高玉強(qiáng); 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】功能材料 2008-12-20

63 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱結(jié)構(gòu)制備及其發(fā)光特性 劉金鋒; 劉忠良; 任鵬; 徐彭壽; 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所; 四川綿陽(yáng) 【期刊】物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2008-04-15

64 6H-SiC單晶表面ZnO薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)表征 孫柏; 李銳鵬; 趙朝陽(yáng); 徐彭壽; 張國(guó)斌; 潘國(guó)強(qiáng); 陳秀芳; 徐現(xiàn)剛 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào) 2008-04-15

65 透射電子顯微術(shù)和高分辨X射線衍射技術(shù)研究AlN單晶生長(zhǎng)習(xí)性 李娟; 胡小波; 高玉強(qiáng); 王翎; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2008-10-15

66 SiC單晶生長(zhǎng) 劉喆; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2003-04-20

67 Er:Yb:YCOB晶體制備及其激光二極管抽運(yùn)激光特性 葛炳輝; 張懷金; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華; Phillip Burns; Judith M.Dawes; PU Wang; James A.Piper 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; Center for Lasers and Applications; Maquarie University; Sydney NSW 2109; Australia; Australia 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2003-10-30

68 大直徑6H-SiC單晶的生長(zhǎng) 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2003-10-30

69 金剛石線鋸切割大直徑SiC單晶 陳秀芳; 李娟; 馬德營(yíng); 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】功能材料 2005-10-20

70 新型BiB₃O₆晶體高效和頻產(chǎn)生355nm紫外激光 張少軍; 董圣明; 李福奇; 翟仲軍; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 王青圃; 張福軍; 張行愚; 李平 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)光學(xué)系; 山東大學(xué)光學(xué)系 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】中國(guó)激光 2003-12-25

71 核殼型復(fù)合半導(dǎo)體納米粒子的研究 于乃森; 李玲; 郝霄鵬; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2004-06-20

72 6H-SiC單晶的生長(zhǎng)與缺陷 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 韓榮江; 董捷; 李現(xiàn)祥; 蔣民華 山東大學(xué); 晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué); 晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】硅酸鹽學(xué)報(bào) 2004-03-26

73 激光二極管抽運(yùn)被動(dòng)調(diào)Q周期極化鈮酸鋰腔內(nèi)倍頻激光特性的研究 張少軍; 王青圃; 徐現(xiàn)剛; 董春明; 張行愚; 李平; 張偉; 劉兆軍; 李昀初 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)光學(xué)系; 山東大學(xué)晶體材料研究所晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)光學(xué)系 濟(jì)南 【期刊】光學(xué)學(xué)報(bào) 2004-05-17

74 升華法生長(zhǎng)大直徑的SiC單晶 李娟; 胡小波; 王麗; 李現(xiàn)祥; 韓榮江; 董捷; 姜守振; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào) 2004-12-30

75 SiC單晶生長(zhǎng)熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的研究 董捷; 劉喆; 徐現(xiàn)剛; 胡曉波; 李娟; 王麗; 李現(xiàn)祥; 王繼揚(yáng) 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

76 6H-SiC單晶中的微管和小角度晶界 韓榮江; 王繼揚(yáng); 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 董捷; 李現(xiàn)祥; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

77 立方氮化鋁納米晶的溶劑熱合成及其對(duì)二甲苯催化性質(zhì)的研究 李玲; 郝霄鵬; 于乃森; 徐現(xiàn)剛; 崔德良; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

78 同步輻射單色光形貌術(shù)觀察6H-SiC單晶中的微管缺陷 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 李現(xiàn)祥; 董捷; 韓榮江; 王麗; 李娟; 王繼揚(yáng); 田玉蓮; 黃萬(wàn)霞; 朱佩平 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 北京高能物理研究所同步輻射實(shí)驗(yàn)室; 北京高能物理研究所同步輻射實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

79 6H-SiC單晶(0001)Si-面的表面生長(zhǎng)形貌 韓榮江; 王繼揚(yáng); 胡小波; 董捷; 李現(xiàn)祥; 李娟; 王麗; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

80 Nd:LuVO₄晶體的生長(zhǎng)及其性能研究 趙守仁; 張懷金; 胡小波; 孔海寬; 劉均海; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-06-30

81 微管在6H-SiC單晶生長(zhǎng)過程中的演化 韓榮江; 王繼揚(yáng); 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 李娟; 李現(xiàn)祥; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 青島科技大學(xué)材料與環(huán)境科學(xué)學(xué)院青島 【期刊】硅酸鹽學(xué)報(bào) 2004-11-26

82 新型鎢青銅型晶體Ca_(0.28)Ba_(0.72)Nb₂O₆的生長(zhǎng)研究 宋化龍; 張懷金; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 許心光; 王繼揚(yáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-10-30

83 顯微激光拉曼光譜法鑒別SiC晶體的多型體結(jié)構(gòu) 韓榮江; 王繼揚(yáng); 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 董捷; 李現(xiàn)祥; 李娟; 姜守振; 王麗; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 青島科技大學(xué)材料與環(huán)境科學(xué)學(xué)院 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-12-30

84 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結(jié)構(gòu) 董捷; 胡小波; 徐現(xiàn)剛; 王繼揚(yáng); 韓榮江; 李現(xiàn)祥 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2004-12-30

85 BaWO_4多晶料的合成與優(yōu)質(zhì)單晶的生長(zhǎng) 葛文偉; 張懷金; 王繼揚(yáng); 劉均海; 徐現(xiàn)剛; 胡小波; 劉宏; 尹鑫; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2005-02-28

86 Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米晶體表面對(duì)氮分子的吸附作用 王立民; 劉振剛; 董守義; 于美燕; 郝霄鵬; 崔得良; 徐現(xiàn)剛; 王琪瓏 山東大學(xué)微納材料中心; 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2002-08-30

87 納米氮化鋁常壓溶劑熱合成及其光致發(fā)光 于美燕; 王立民; 郝霄鵬; 董守義; 徐現(xiàn)剛; 王琪瓏 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院; 山東大學(xué)微納材料中心; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 2002-12-30

88 GaP/桑色素納米復(fù)合材料自組織形態(tài)與桑色素濃度的關(guān)系 史桂霞; 白玉俊; 郝霄鵬; 崔得良; 劉振剛; 徐現(xiàn)剛; 王琪瓏 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院; 山東大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】山東大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版) 2002-04-30

89 有機(jī)襯底SnO_2:Sb透明導(dǎo)電膜的制備與特性研究 郝曉濤; 馬瑾; 徐現(xiàn)剛; 楊鶯歌; 張德恒; 楊田林; 馬洪磊 山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 淄博學(xué)院數(shù)理系; 山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院光電? 【期刊】物理學(xué)報(bào) 2002-02-12

90 一種基于能帶工程設(shè)計(jì)的CaAsSb/InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體三極管 劉喆; 唐喆; 崔得良; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】物理 2002-05-24

91 Ga As/Al Ga As多量子阱結(jié)構(gòu)中的電子干涉 程興奎; 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 任紅文; 劉士文; 蔣民華 山東大學(xué)光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料所 【期刊】電子學(xué)報(bào) 2001-05-25

92 GaP納米復(fù)合發(fā)光材料的制備和性質(zhì) 崔得良; 尉吉勇; 潘教青; 郝霄鵬; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】功能材料 2001-10-25

93 GaAsSb/InP異質(zhì)結(jié)晶體三極管 徐現(xiàn)剛; S.P.Watkins 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; Physics Department; Simon Fraser University; Burnaby; Canada 【期刊】固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2001-03-30

94 InGaAs/InP異質(zhì)結(jié)界面層的應(yīng)變研究 徐現(xiàn)剛; 崔得良; 唐喆; 郝霄鵬; K.Heime 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; Institut f��ｒ Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒｔｅｃｈｎｉｋ 濟(jì)南; RWTH Aachen; Germany 【期刊】中國(guó)科學(xué)(A輯) 2001-09-20

95 利用納米晶的催化性質(zhì)合成二聯(lián)苯 崔得良; 郝霄鵬; 于曉強(qiáng); 史桂霞; 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】中國(guó)科學(xué)(B輯 化學(xué)) 2001-10-20

96 有機(jī)襯底SnO_2∶Sb透明導(dǎo)電膜的研究 馬瑾; 郝曉濤; 馬洪磊; 張德恒; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2002-06-08

97 基于InP襯底的GaAsSb/InP異質(zhì)結(jié)晶體管 徐現(xiàn)剛; 劉喆; 崔得良 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2002-09-08

98 熱循環(huán)對(duì) Cu Zn Al Mn Ni記憶合金中雙可逆相變的影響(英文) 白玉俊; 徐現(xiàn)剛; 耿貴立 山東科技大學(xué)機(jī)械系; 山東大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 山東大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 山東濟(jì)南; 山東濟(jì)南 【期刊】稀有金屬材料與工程 2002-04-25

99 加熱速率對(duì)CuZnAlMnNi記憶合金中雙可逆相變的影響(英文) 白玉俊; 魯成偉; 徐現(xiàn)剛; 耿貴立; 尹龍為 山東科技大學(xué); 山東大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 山東濟(jì)南 【期刊】稀有金屬材料與工程 2002-10-25

100 AlGaAs/AlAs體系DBR的MOCVD生長(zhǎng)及表征 尉吉勇; 黃柏標(biāo); 于永芹; 周海龍; 岳金順; 王篤祥; 潘教青; 秦曉燕; 張曉陽(yáng); 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體生長(zhǎng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體生長(zhǎng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 山東華光光電子有限公司; 山東大學(xué)晶體生長(zhǎng)國(guó)家重? 【期刊】光電子?激光 2002-08-25

101 MOCVD生長(zhǎng)GaAs／Al_xGa_(1－x)As多量子阱子帶間紅外吸收特性 程興奎; 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1994-02-25

102 高-低溫溶液晶體生長(zhǎng)溶質(zhì)邊界層的全息研究 于夕玲; 劉有臣; 岳學(xué)鋒; 孫毅; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 山東 【期刊】中國(guó)科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué)) 1994-12-15

103 MOCVD法制備GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb異質(zhì)外延材料 劉士文; 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 劉立強(qiáng); 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】稀有金屬 1994-01-04

104 MOCVD制備GaAs/AlGaAs多量子阱的光致發(fā)光特性 程興奎; 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】山東大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 1996-12-25

105 GaAs/AlGaAs多量子阱結(jié)構(gòu)的電子干涉與紅外吸收 程興奎; 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 劉士文; 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)光電材料與器件研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1997-10-25

106 MOCVD生長(zhǎng)高鋁值A(chǔ)l_xGaAs(x≥0.7)中的碳摻雜 王成新; 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 秦曉燕; 于淑琴; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】山東大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 1997-09-25

107 MOVPE生長(zhǎng)GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格及其TEM表征 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 任紅文; 劉士文; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 山東 【期刊】紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1992-04-30

108 MOCVD生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs清晰超薄異質(zhì)外延材料 劉士文; 任紅文; 劉立強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家實(shí)驗(yàn)室; 山東大學(xué)晶體材料國(guó)家實(shí)驗(yàn)室 濟(jì)南 【期刊】自然科學(xué)進(jìn)展 1992-08-28

109 MOCVD 生長(zhǎng)及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 劉士文; 任紅文; 于淑琴; 蔣民華 山東大學(xué); 山東大學(xué) 【期刊】材料科學(xué)進(jìn)展 1993-05-01

110 MOCVD生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs摻雜量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)工藝評(píng)價(jià) 任紅文; 劉士文; 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 1993-07-02

111 MOCVD法生長(zhǎng)(Al,Ga)As碳摻雜機(jī)理研究 黃柏標(biāo); 劉士文; 徐現(xiàn)剛; 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 【期刊】稀有金屬 1993-06-30

112 多層介質(zhì)中的離子射程分布 夏日源; 徐現(xiàn)剛; 張兆林; 譚春雨; 楊洪; 孫秀芳 山東大學(xué)物理系; 山東大學(xué)物理系; 山東大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)系 【期刊】物理學(xué)報(bào) 1989-07-30

113 MOCVD制備GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的研究 黃柏標(biāo); 劉士文; 任紅文; 劉立強(qiáng); 蔣民華; 徐現(xiàn)剛 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1991-10-01

114 MOCVD制備GaAlAs/GaAs和GaSb/GaAs超晶格結(jié)構(gòu) 黃柏標(biāo); 徐現(xiàn)剛; 劉士文; 劉立強(qiáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 1991-12-31

115 AlGaSb和AlGaAsSb薄膜材料的MOCVD法生長(zhǎng) 黃柏標(biāo); 劉士文; 徐現(xiàn)剛; 劉立強(qiáng); 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 1991-12-31

116 MOCVD外延GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs異質(zhì)材料 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 劉士文; 劉立強(qiáng); 任紅文; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 1991-12-31

117 MOCVD生長(zhǎng)單層和多層GaSb/GaAs、GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的X射線測(cè)試 劉士文; 徐現(xiàn)剛; 黃柏標(biāo); 劉立強(qiáng); 蔣民華; 黃萍 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東師范大學(xué)調(diào)試中心 濟(jì)南 【期刊】人工晶體學(xué)報(bào) 1991-12-31

118 下頜骨的測(cè)量、相關(guān)和性別判別 劉美音; 徐現(xiàn)剛; 王懷經(jīng); 沈效農(nóng); 段德剛 山東醫(yī)科大學(xué); 山東大學(xué); 山東醫(yī)科大學(xué) 【期刊】解剖學(xué)雜志 1991-03-02

119 MOCVD生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs量子阱研究 任紅文; 黃柏標(biāo); 劉士文; 劉立強(qiáng); 徐現(xiàn)剛; 蔣民華 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所; 山東大學(xué)晶體材料研究所 濟(jì)南 【期刊】固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1992-04-01

榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)：

先后獲洪堡學(xué)者、長(zhǎng)江學(xué)者、泰山學(xué)者、英國(guó)工程師協(xié)會(huì)(IEE)和美國(guó)工程師協(xié)會(huì)(IEEE)最佳論文獎(jiǎng)、國(guó)家杰出青年基金獲得者、山東省留學(xué)回國(guó)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、國(guó)務(wù)院政府特殊津貼等。

1． 2000年山東省十大杰出留學(xué)歸國(guó)科技專家。

2． 2001年獲“國(guó)家杰出青年基金”獎(jiǎng)。

3． 2003年獲山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

4． 2004年獲“山東省十大杰出青年”榮譽(yù)稱號(hào)。

5． 2005年被教育部聘為“長(zhǎng)江學(xué)者”特聘教授。

6． 2007年享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼。

7． 2012年獲“全國(guó)優(yōu)秀科技工作者”榮譽(yù)稱號(hào)。

資料更新中……

媒體報(bào)道一：

特聘教授的魅力——記山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授

三年前，年僅35歲的歸國(guó)博士徐現(xiàn)剛成為教育部首批“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授時(shí)，在山東大學(xué)曾激起一陣波瀾。三年來，徐教授的戰(zhàn)績(jī)頻頻傳出。為了解他的成功秘訣及創(chuàng)業(yè)歷程，我走進(jìn)晶體所，走進(jìn)華光公司，走進(jìn)他的家。

產(chǎn)學(xué)研三駕并驅(qū)

“話語(yǔ)不多，肯鉆研，好琢磨，動(dòng)手能力強(qiáng)，善于解決實(shí)際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實(shí)干家……” 中國(guó)科學(xué)院院士、博士生導(dǎo)師蔣民華教授很了解他的學(xué)生。當(dāng)教育部首次評(píng)審“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授時(shí)，蔣院士首先想到的是身居海外的弟子徐現(xiàn)剛。同時(shí)，徐現(xiàn)剛在國(guó)外也一直關(guān)注國(guó)內(nèi)的發(fā)展，網(wǎng)上看到國(guó)內(nèi)鼓勵(lì)大學(xué)教授走出校園搞產(chǎn)學(xué)研一條龍時(shí)，激情迸發(fā)：“我要發(fā)揮自己的優(yōu)勢(shì)，回國(guó)趟出一條半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路”。師徒二人一拍即合。徐現(xiàn)剛成為教育部首批“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授，于2000年1月1日舉家歸國(guó)，來到培育他的母校，繼續(xù)從事晶體材料的研究，并投身于產(chǎn)業(yè)化的嘗試。

徐教授選擇了自己的路，并為之不懈奮斗。2000年，他成為山東大學(xué)第一位獲得“國(guó)家杰出青年科學(xué)基金”資助的青年博士；2001年，他主持的碳化硅（SiC）方面的課題得到國(guó)家“863”計(jì)劃的支持；2002年，他和華光光電子公司同仁共同承擔(dān)的“半導(dǎo)體發(fā)光器件外延工藝及管芯技術(shù)”項(xiàng)目，通過專家組驗(yàn)收……

科研是徐教授的鐘愛。他研究的SiC，是我們國(guó)家急需的第三代半導(dǎo)體。一般的半導(dǎo)體材料在高溫下就失效了，而用碳化硅做的半導(dǎo)體器件可以在高溫下起作用。碳化硅這種高溫半導(dǎo)體材料不僅是重要的戰(zhàn)略物資，而且是一種極有市場(chǎng)前景的襯底材料。為了該項(xiàng)目，徐教授和晶體所王繼揚(yáng)所長(zhǎng)在今年春節(jié)除夕夜，就去德國(guó)考察碳化硅晶體材料的設(shè)備問題。費(fèi)盡周折，終于在今年5月份簽定了設(shè)備供貨合同。目前，這一課題重大的科學(xué)意義、戰(zhàn)略價(jià)值和應(yīng)用背景正吸引了一批有志于為這一材料研究做貢獻(xiàn)的科技工作者，他們?cè)谛旖淌诘闹鞒窒�，正在一步步努力前行。從設(shè)備到工藝，從原料到加工，盡管剛剛起步，已經(jīng)浸漬著徐教授的心血和汗水。面對(duì)著各方面的壓力，徐教授仍充滿著信心，爭(zhēng)取在明年年底拿出高水平的單晶來。

也許，按照徐教授的背景、積累和實(shí)力，從事基礎(chǔ)研究會(huì)得心應(yīng)手，論文、成果會(huì)源源而來。但是，他更深深地了解，我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要振興和發(fā)展，我們要在世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有一席之地。為此，他始終不忘自己的奮斗目標(biāo):為祖國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趟出一條路。目標(biāo)既定，徐教授便勇往直前�；貒�(guó)兩年，他和山東華光光電子公司同仁一道于2002年４月份，由他們共同承擔(dān)的“半導(dǎo)體發(fā)光器件外延工藝及管芯技術(shù)”項(xiàng)目，通過專家組驗(yàn)收，即將批量生產(chǎn)。

由山大以科研成果參股的山東華光光電子有限公司，承擔(dān)國(guó)家計(jì)委產(chǎn)業(yè)化前期關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)重大高技術(shù)項(xiàng)目-“半導(dǎo)體發(fā)光器件外延工藝及管芯技術(shù)”，它是迄今為止山東省信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大、國(guó)家和省撥款支持最多的技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目�！鞍雽�(dǎo)體發(fā)光器件外延工藝及管芯技術(shù)”課題分三部分：激光二極管外延片、發(fā)光二極管外延片及管芯。徐教授在公司里是總工程師，同時(shí)負(fù)責(zé)激光二極管外延工藝方面的研制。

“徐教授非常務(wù)實(shí)，具有科學(xué)的態(tài)度”，華光公司的同仁們說。他研制的“808nm無(wú)鋁應(yīng)變量子阱激光器”，采用先進(jìn)的MOCVD設(shè)備進(jìn)行材料的外延，優(yōu)化了器件制備工藝，得到性能穩(wěn)定可靠的大功率808nm半導(dǎo)體激光器，項(xiàng)目采用的激光器結(jié)構(gòu)既可以提高激光器的可靠性和發(fā)光效率，又能降低閾值電流密度，在技術(shù)上具有創(chuàng)新性；而“650nm應(yīng)變量子阱激光器”，則采用三次外延工藝，得到性能穩(wěn)定重復(fù)的基橫模650nm激光器管芯，管芯的最大輸出功率在20mW以上。

在成果鑒定會(huì)上，以國(guó)家自然科學(xué)基金委副主任周炳琨院士為首的驗(yàn)收專家們一致認(rèn)為這些“技術(shù)及產(chǎn)品性能指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平，并擁有自己知識(shí)產(chǎn)權(quán)，他們圓滿地完成了國(guó)家計(jì)委下達(dá)的任務(wù)，成功地將實(shí)驗(yàn)室科研成果轉(zhuǎn)化為具有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)業(yè)化前期關(guān)鍵技術(shù)，并具有一定的生產(chǎn)能力�！睆拇耍�半導(dǎo)體發(fā)光器件有了“中國(guó)芯”，打破了半導(dǎo)體外延材料被美國(guó)、日本、臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)壟斷的局面。

采訪中，華光公司總經(jīng)理說，徐教授最擅長(zhǎng)的專業(yè)本來不是激光二極管外延工藝，但由于原主持這項(xiàng)工作的負(fù)責(zé)人突然去世，造成激光二極管方面的學(xué)術(shù)帶頭人空缺，眼看完成國(guó)家任務(wù)就要受到影響，在這種情況下，“徐教授在不是他優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域頂起來了，而且做得很好，出類拔萃�！毙旖淌诔晒α�，這是一次自我挑戰(zhàn)的成功，他深厚的科研功底也由此可見一斑。

解決疑難問題的高手

來自山東寧陽(yáng)的徐教授，憑著一股韌勁，一口氣在山大攻下學(xué)士、碩士、博士學(xué)位。1992年博士畢業(yè)后，留在山大晶體所從事金屬有機(jī)化合物氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)Ⅲ-V族半導(dǎo)體薄膜及器件制備等方面的研究工作。

由于學(xué)術(shù)成績(jī)及其研究潛力，1995年，徐教授獲德國(guó)洪堡獎(jiǎng)學(xué)金資助，成為山東大學(xué)第二位得此資助的青年博士。他選擇了在半導(dǎo)體界具有很高聲譽(yù)的德國(guó)亞琛大學(xué)半導(dǎo)體研究所，該所是世界上最早開展MOCVD研究的單位之一。在那里，徐教授在國(guó)際著名半導(dǎo)體專家K？Heime教授的指導(dǎo)下，從事探索MCOVD用新型金屬有機(jī)化合物源的研究工作。

同時(shí)，像種子找到了發(fā)芽的泥土，徐教授的勤于動(dòng)腦、善于動(dòng)手和扎實(shí)的基本功在研究過程中找到了用武之地。剛到亞琛大學(xué)半導(dǎo)體研究所時(shí)，正趕上所里的研究工作遇到困難，研究人員連續(xù)三年未長(zhǎng)出表面光亮的外延薄膜，眼看項(xiàng)目結(jié)題的期限就要到了，Heime教授很是著急。徐教授到后，邊熟悉設(shè)備，邊找問題。憑著以往的工作經(jīng)驗(yàn)和耐心細(xì)致的觀察，終于找到了問題所在。原來，在設(shè)備復(fù)雜的管路系統(tǒng)中，有一處不銹鋼管道內(nèi)沉積了雜質(zhì)。在密密的不銹剛管道內(nèi)，雜質(zhì)用眼睛看不到，很難發(fā)現(xiàn)，只有細(xì)心地觀察和分析才能從一些參數(shù)中找出一點(diǎn)點(diǎn)線索。問題解決后，材料質(zhì)量有了質(zhì)的飛躍。Heimie教授及其高級(jí)助手非常高興，連夸徐教授是材料制備方面的專家，所里的其他同事，也對(duì)他欽佩不已。

剛完成德國(guó)洪堡獎(jiǎng)學(xué)金工作，徐教授便應(yīng)邀前往加拿大Simon Fraser大學(xué)從事研究工作。去后正趕上那兒調(diào)整、改裝設(shè)備，有徐教授的參與，從設(shè)備安裝，到最后出樣品，僅用了4個(gè)月的時(shí)間，令加拿大同行對(duì)他超群的科研能力和良好的合作精神十分欽佩。Simon教授在推薦信中寫到：“徐現(xiàn)剛博士對(duì)HBTs項(xiàng)目的成功做出了突出貢獻(xiàn)，沒有他在MOCVD技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和夜以繼日的勤奮工作，我們不可能在這么短的時(shí)間里取得成功。”

蔣院士為有這樣的學(xué)生而欣慰，他說：“徐現(xiàn)剛應(yīng)用素質(zhì)很高，技術(shù)扎實(shí)。這樣的人才很難得，他是從實(shí)踐中產(chǎn)生出來的，我把他叫做解決疑難問題的高手�！�

徐教授在半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷攀登。他采用MOCVD制備出高質(zhì)量的GaAsSb/Inp雙異質(zhì)結(jié)晶體三極管，其結(jié)果處于國(guó)際領(lǐng)先地位。以此研究結(jié)果發(fā)表的論文獲1998年英國(guó)工程師協(xié)會(huì)(IEE)的最佳論文獎(jiǎng)，后獲美國(guó)工程師協(xié)會(huì)該年度最佳論文獎(jiǎng)。英國(guó)工程師協(xié)會(huì)和美國(guó)工程師協(xié)會(huì)是世界上兩個(gè)重要的學(xué)術(shù)組織，半導(dǎo)體領(lǐng)域的諾貝爾獎(jiǎng)金獲得者和國(guó)際權(quán)威，大多是兩協(xié)會(huì)的成員。對(duì)搞半導(dǎo)體的學(xué)者來說，從這兩個(gè)協(xié)會(huì)獲獎(jiǎng)，是極高的榮譽(yù)。

一個(gè)謙遜又富于合作精神的人

不管在學(xué)校，還是在公司，徐教授的勤奮、敬業(yè)和出色的科研能力都是有口皆碑的。同時(shí)他的人品也和學(xué)識(shí)一樣被人賞識(shí)。徐教授特別強(qiáng)調(diào)合作精神和團(tuán)體力量在科研過程中的作用�！鞍雽�(dǎo)體領(lǐng)域的研究涉及到大型儀器和精密工藝，一個(gè)人本事再大，也不可能把所有的事情都做好，搞科研一定要有合作精神�！痹诩幽么�，徐教授除了自己努力工作，還熱心幫助別人，協(xié)助指導(dǎo)研究生的工作，從不計(jì)較個(gè)人的利害得失。直到現(xiàn)在，他還和世界各地的許多同行專家保持著密切聯(lián)系。

徐教授不喜歡張揚(yáng)，這點(diǎn)筆者深有感觸�！扒Ш羧f(wàn)喚始出來”，費(fèi)了不少口舌才說服他接受采訪。淡薄名利的思想，讓他一心一意投入到工作中，這也許是他事業(yè)獲得成功的一個(gè)因素吧。

生活中的徐教授在妻子眼中是個(gè)“感情很細(xì)膩的人，對(duì)家人很細(xì)致，體貼入微，他雖然沒時(shí)間，但心里有家人�！彪y怪王所長(zhǎng)說：“某一方面好不容易，全面好更不容易，全面好而且又加上人品好，我愿意用‘難得‘兩個(gè)字形容他。我很欣賞他，并不是因?yàn)樗�一點(diǎn)、兩點(diǎn)，而是他整體都相當(dāng)?shù)貜?qiáng)，而且，我更注重的還是人品。有的人有點(diǎn)成績(jī)，就恨不得身前掛著個(gè)牌子，向人們炫耀。徐現(xiàn)剛非�？酥�，不爭(zhēng)名，不奪利，品質(zhì)相當(dāng)高。有時(shí)他也有委屈，但還是兢兢業(yè)業(yè)、任勞任怨地做工作。他對(duì)蔣院士等前輩相當(dāng)尊重，跟同齡人相處都很坦誠(chéng)、推心置腹，對(duì)年輕人也很愛護(hù)，跟大家相處得很好，這樣謙遜又富于合作精神的人，是很難得的�！�

這就是大家眼中的徐教授，一個(gè)實(shí)干家，一個(gè)謙遜的人，一個(gè)模范丈夫。面對(duì)鮮花、掌聲，他以一顆平常心待之，對(duì)于坎坷與泥濘，他用平常心視之。他風(fēng)雨兼程，灑滿汗水的路上，已鮮花遍地。但為了明天的收獲，他正以更飽滿的熱情投入到新的耕耘中去。我們聽得見他堅(jiān)實(shí)的腳步聲，祝愿他一路順風(fēng)！

文章來源：《神州學(xué)人》2003年第1期

媒體報(bào)道二：

徐現(xiàn)剛：LED下游跟上游走 得材料者得天下

“話語(yǔ)不多，肯鉆研，好琢磨，動(dòng)手能力強(qiáng)，善于解決實(shí)際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實(shí)干家……”這是導(dǎo)師中國(guó)科學(xué)院蔣民華院士對(duì)徐現(xiàn)剛博士的評(píng)語(yǔ)。

徐現(xiàn)剛，40多歲，山東大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，教育部長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授，國(guó)家杰出青年基金獲得者，先后留學(xué)德國(guó)、加拿大和美國(guó)，2000年回國(guó)組建山東浪潮華光光電子有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)，投身于光電子產(chǎn)業(yè)。

十多年來，由徐現(xiàn)剛博士領(lǐng)軍的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在光電子外延材料、管芯和器件研制方面持續(xù)創(chuàng)新，獲得了業(yè)界的廣泛好評(píng)，另外在SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)業(yè)配套建設(shè)的研究工作也取得了突破性的進(jìn)展，3英寸SiC襯底已達(dá)到開盒即用水平，小批量提供國(guó)內(nèi)急需的用戶使用。日前，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在高功率碳化硅(SiC)襯底制備大功率LED芯片方面再次取得進(jìn)展，倒裝垂直結(jié)構(gòu)芯片裸晶功率接近400mW，與美國(guó)Cree公司近期投放市場(chǎng)的產(chǎn)品指標(biāo)相當(dāng)。

而徐現(xiàn)剛博士在接受記者采訪時(shí)卻一直強(qiáng)調(diào)沒做出什么成績(jī)，都是團(tuán)隊(duì)共同努力的結(jié)果�！澳鸀槭裁茨敲吹驼{(diào)?”面對(duì)記者的追問，他說：“我不是低調(diào)，而是在穩(wěn)打穩(wěn)扎的做事，在當(dāng)代，團(tuán)隊(duì)是個(gè)人實(shí)現(xiàn)價(jià)值的重要基礎(chǔ)和必要條件，產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需要各方面的精英人才，只有一個(gè)團(tuán)隊(duì)才能完成任務(wù)�！痹谛飕F(xiàn)剛博士看來，一個(gè)真正的科學(xué)家，是認(rèn)真的做科研，做出實(shí)實(shí)在在的成績(jī)。

執(zhí)著：20多年專注于一個(gè)領(lǐng)域

“從1989年開始做，20多年了，一直在鉆研MOCVD這個(gè)領(lǐng)域，對(duì)國(guó)際上出來的新技術(shù)方向和研究成果，我也會(huì)積極跟蹤學(xué)習(xí)，結(jié)合自己的經(jīng)驗(yàn)對(duì)研發(fā)方向做出及時(shí)的修正……”

從農(nóng)村走出來的徐現(xiàn)剛立志要用所學(xué)知識(shí)創(chuàng)造財(cái)富。1989年，在蔣民華院士的引導(dǎo)下，他投入到了化合物半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)以及器件制備研究，而高亮度AlGaInPLED是MOCVD薄膜生長(zhǎng)技術(shù)最早獲得產(chǎn)業(yè)化的成果之一，作為國(guó)內(nèi)最早進(jìn)行MOCVD技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)核心成員，徐現(xiàn)剛迅速把自己的研究方向集中到LED有機(jī)地結(jié)合的化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域，并與這個(gè)產(chǎn)業(yè)結(jié)下了不解之緣。

1995年，獲得博士學(xué)位的徐現(xiàn)剛為了升華對(duì)專業(yè)知識(shí)的學(xué)習(xí)，又走出了國(guó)門，先后留學(xué)德國(guó)、加拿大和美國(guó)。在國(guó)外留學(xué)期間，徐現(xiàn)剛堅(jiān)持用時(shí)間換資本，將大量的時(shí)間都投入到了工作和學(xué)習(xí)中�！澳莻�(gè)時(shí)候早上7點(diǎn)多到實(shí)驗(yàn)室，通常要工作到晚上十一二點(diǎn)，周末也基本都泡在里面�？吹奈墨I(xiàn)，摞起來有2米多高，沒有那段時(shí)間的付出所打下的牢固基礎(chǔ)，就不可能有后面取得的成果。”

在加拿大不到兩年的留學(xué)時(shí)光讓徐現(xiàn)剛博士比較難忘。當(dāng)時(shí)，其所在的研究所承擔(dān)的研究課題在生長(zhǎng)表面光亮的外延薄膜上遇到了重大難題，徐現(xiàn)剛憑著以往的工作經(jīng)驗(yàn)和刻苦研究，最終解決了研究所過去3年都未能攻克的難關(guān)，使該所的外延材料質(zhì)量有了質(zhì)的飛躍，由此材料制備的器件的技術(shù)水平得到國(guó)際同行認(rèn)可，奠定了他在MOCVD外延生長(zhǎng)領(lǐng)域的地位。

此后，留學(xué)美國(guó)的經(jīng)歷讓徐現(xiàn)剛對(duì)產(chǎn)業(yè)化有了更系統(tǒng)的理解，羽翼也更為豐滿�！皩�(duì)整個(gè)MOCVD薄膜技術(shù)的應(yīng)用已積累了近10年的認(rèn)識(shí)，理解更深刻�！蹦莻�(gè)時(shí)候徐現(xiàn)剛想著回國(guó)干一番事業(yè)，2000年他毅然回到了中國(guó)，夢(mèng)想著在國(guó)內(nèi)通過自主創(chuàng)新，搭建一個(gè)國(guó)際知名的化合物半導(dǎo)體光電子品牌企業(yè)。 回國(guó)后的徐現(xiàn)剛憑借著對(duì)材料學(xué)的理解，長(zhǎng)時(shí)間的投入思考，一步步實(shí)現(xiàn)著他的科技理想。 他對(duì)研究領(lǐng)域的熱愛可以用“癡迷”來形容，對(duì)技術(shù)問題解決方法的思索漸漸融入到了他生活的每時(shí)每刻。在家吃飯時(shí)開著電視看著，當(dāng)夫人跟他談?wù)撾娨晥?chǎng)景時(shí)，他卻一臉茫然，思緒早就飛到了工作上。他說起一個(gè)“紅燈剎車獲得靈感”的故事，也體現(xiàn)了他對(duì)工作是多么的投入。有一次下班后，徐現(xiàn)剛一邊開車，一邊在考慮W工藝LED結(jié)構(gòu)問題。突然間，前車亮起的火紅的剎車燈讓徐現(xiàn)剛從科學(xué)思維的遨游中回到現(xiàn)實(shí)，正是這次的差點(diǎn)追尾激發(fā)的靈感成功解決了W工藝LED關(guān)鍵技術(shù)，將AlGaInP紅黃光LED的光效由20lm/W~30lm/W提升到60lm/W，達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

“一個(gè)好的理論固然很重要，但如果找不到合適的材料去支持和驗(yàn)證理論工作的完成，再好的思想也只是空中樓閣，更多需要一些悟性和技巧。”徐現(xiàn)剛說。 隨著在這個(gè)領(lǐng)域的不斷鉆研，一個(gè)個(gè)技術(shù)難點(diǎn)得以突破，一系列的榮譽(yù)也接踵而至：洪堡學(xué)者、長(zhǎng)江學(xué)者、泰山學(xué)者、山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、英國(guó)工程師協(xié)會(huì)(IEE)和美國(guó)工程師協(xié)會(huì)(IEEE)最佳論文獎(jiǎng)、國(guó)家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學(xué)回國(guó)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、國(guó)務(wù)院政府特殊津貼等。

“獎(jiǎng)項(xiàng)的獲得是一種促進(jìn)，但更多的是壓力和責(zé)任。要對(duì)得起這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，對(duì)得起大家對(duì)你的肯定，所以后面更多的是一種不容松懈的動(dòng)力�！毙飕F(xiàn)剛坦言，榮譽(yù)大部分是集體智慧的結(jié)晶，因?yàn)槊恳粋�(gè)大的項(xiàng)目都是一個(gè)系統(tǒng)工程，離不開整個(gè)團(tuán)隊(duì)的齊心協(xié)力。

文章來源：《半導(dǎo)體照明網(wǎng)》2012-5-29

媒體報(bào)道三：

徐現(xiàn)剛：心之所向 行之所為

他，風(fēng)華正茂時(shí)已經(jīng)是領(lǐng)路人，不惑之年仍然是開拓者。心之所向，行之所為——他像一把號(hào)角，讓理想與智慧，在生命中奏響。

實(shí)干的理想主義者

“話語(yǔ)不多，肯鉆研，好琢磨，動(dòng)手能力強(qiáng)，善于解決實(shí)際工作中遇到的疑難問題，是很難得的實(shí)干家……”這是中國(guó)科學(xué)院院士蔣民華教授生前對(duì)其學(xué)生徐現(xiàn)剛的評(píng)語(yǔ)。

2000年當(dāng)教育部宣布徐現(xiàn)剛教授為首批“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授時(shí)，年僅35歲的徐現(xiàn)剛激情迸發(fā)：“我要發(fā)揮自己的優(yōu)勢(shì)，回國(guó)趟出一條半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路。 ”

于是帶著夢(mèng)想回到祖國(guó)，回到培育他的母校，繼續(xù)從事晶體材料的研究，并投身于產(chǎn)業(yè)化的嘗試，組建山東浪潮華光光電子有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)，走上產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的創(chuàng)新之路。

回國(guó)后的徐現(xiàn)剛憑借著對(duì)材料學(xué)的理解和長(zhǎng)時(shí)間的投入，一步步實(shí)現(xiàn)著他的科技理想。他對(duì)研究領(lǐng)域的熱愛可以用“癡迷”來形容，對(duì)技術(shù)問題解決方法的思索融入到了他生活的每時(shí)每刻。

十多年來，由徐現(xiàn)剛教授領(lǐng)軍的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在光電子外延材料、管芯和器件研制方面持續(xù)創(chuàng)新，獲得了業(yè)界的廣泛好評(píng)。他目前承擔(dān)了國(guó)家“973”、“863”、工信部電子基金等多項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目的開發(fā)，主要有SiC襯底制備等產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目的研發(fā)都取得了突破性進(jìn)展。

心懷夢(mèng)想，并以堅(jiān)定的姿態(tài)付諸現(xiàn)實(shí)，徐現(xiàn)剛教授帶著他的理想，執(zhí)著地行走，在這位學(xué)者肅穆而威嚴(yán)的臉龐上，常�？梢钥吹綔剀岸�充實(shí)的笑容。

走在執(zhí)著之路上

徐現(xiàn)剛教授像一個(gè)不知疲倦的頑強(qiáng)戰(zhàn)士，他為探求真理付出了艱辛的勞動(dòng)。

“從1989年開始做，20多年了，一直在鉆研MOCVD這個(gè)領(lǐng)域，對(duì)國(guó)際上的新技術(shù)方向和研究成果，我也會(huì)積極跟蹤學(xué)習(xí)，結(jié)合自己的經(jīng)驗(yàn)對(duì)研發(fā)方向做出及時(shí)的修正……”

1989年，在蔣民華院士的引導(dǎo)下，他投入到了化合物半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)以及器件制備研究，作為國(guó)內(nèi)最早進(jìn)行MOCVD技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)核心成員，徐現(xiàn)剛教授迅速把自己的研究方向集中到化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域，并與這個(gè)產(chǎn)業(yè)結(jié)下了不解之緣。

1995年，獲得博士學(xué)位的徐現(xiàn)剛為了升華對(duì)專業(yè)知識(shí)的學(xué)習(xí)，又走出了國(guó)門，先后留學(xué)德國(guó)、加拿大和美國(guó)。在國(guó)外留學(xué)期間，徐現(xiàn)剛將大量的時(shí)間都投入到了工作和學(xué)習(xí)中。“那個(gè)時(shí)候早上7點(diǎn)多到實(shí)驗(yàn)室，通常要工作到晚上十一二點(diǎn)，周末也基本都泡在里面�？吹奈墨I(xiàn)，摞起來有2米多高，沒有那段時(shí)間的付出所打下的牢固基礎(chǔ)，就不可能有后面取得的成果。 ”

在加拿大的留學(xué)時(shí)光，徐現(xiàn)剛教授至今難忘。當(dāng)時(shí)，其所在的研究所承擔(dān)的研究課題在生長(zhǎng)表面光亮的外延薄膜上遇到了重大難題，他憑著以往的工作經(jīng)驗(yàn)和刻苦研究，最終解決了研究所過去3年都未能攻克的難關(guān)，使該所的外延材料質(zhì)量有了質(zhì)的飛躍，由此材料制備的器件的技術(shù)水平得到國(guó)際同行認(rèn)可，奠定了他在MOCVD外延生長(zhǎng)領(lǐng)域的地位。

留學(xué)美國(guó)的經(jīng)歷讓徐現(xiàn)剛教授對(duì)產(chǎn)業(yè)化有了更系統(tǒng)的理解，羽翼更為豐滿。那時(shí)的徐現(xiàn)剛夢(mèng)想著能回國(guó)干一番事業(yè)，于是2000年毅然回國(guó)，之后便走上了“十年磨一晶”的執(zhí)著之路。

歷經(jīng)20多年專注的研究，他已成績(jī)突出，功力深厚。然而在徐現(xiàn)剛看來，所有的成績(jī)遠(yuǎn)不是終點(diǎn)。踏著執(zhí)著的步伐，他走得依然堅(jiān)定，因?yàn)樗�的目光一直投向前方�?

有一種力量叫責(zé)任

勞倫斯說過：“人生始終必須負(fù)擔(dān)責(zé)任。 ”在徐現(xiàn)剛教授的生命中，有一種力量正是“責(zé)任”。

心系故土，所以他放棄了國(guó)外的優(yōu)厚生活毅然回國(guó)；情系祖國(guó)，所以他選擇了祖國(guó)亟需振興和發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。徐現(xiàn)剛教授用行動(dòng)踐行著古訓(xùn)——“天下興亡，匹夫有責(zé)”。這絕不是說出來的，而是腳踏實(shí)地干出來的。

其實(shí)，按照徐現(xiàn)剛教授的背景、積累和實(shí)力，從事基礎(chǔ)研究更得心應(yīng)手，論文、成果會(huì)源源而來。但是，他深知我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要振興和發(fā)展，我們要在世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有一席之地。為此，他始終不忘自己的理想和目標(biāo)：為祖國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趟出一條路。

回國(guó)后的徐現(xiàn)剛教授深刻地感受到國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)間存在的差距�！爱�(dāng)時(shí)在美國(guó)做實(shí)驗(yàn)，設(shè)備壞了24小時(shí)之后就能獲得很好的維護(hù)和維修，保證設(shè)備正常運(yùn)行。而那時(shí)的中國(guó)如果一個(gè)零配件壞了，報(bào)關(guān)、進(jìn)口需等半年的時(shí)間，這給實(shí)驗(yàn)工作造成了很大的困擾。 ”徐現(xiàn)剛教授感慨道：“高科技應(yīng)是整個(gè)國(guó)家的高科技，原材料、核心零部件甚至關(guān)鍵設(shè)備都要能跟得上發(fā)展需求，都應(yīng)積極扶持其國(guó)產(chǎn)化。”他認(rèn)為，“在大面積推廣的前提下，如果上游核心技術(shù)不解決，成本就很難降下來，所以一定要攻克核心技術(shù)，支持國(guó)產(chǎn)化。 ”

他研究的SiC，是我們國(guó)家急需的第三代半導(dǎo)體。一般的半導(dǎo)體材料在高溫下就失效了，而用碳化硅做的半導(dǎo)體器件可以在高溫下起作用。碳化硅這種高溫半導(dǎo)體材料不僅是重要的戰(zhàn)略物資，而且是一種極有市場(chǎng)前景的襯底材料。

隨著不斷鉆研，一個(gè)個(gè)技術(shù)難點(diǎn)得以突破，一系列的榮譽(yù)也接踵而至：洪堡學(xué)者、長(zhǎng)江學(xué)者、泰山學(xué)者、山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、英國(guó)工程師協(xié)會(huì)（IEE）和美國(guó)工程師協(xié)會(huì)（IEEE）最佳論文獎(jiǎng)、國(guó)家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學(xué)回國(guó)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、國(guó)務(wù)院政府特殊津貼等。

面對(duì)一項(xiàng)項(xiàng)的榮譽(yù)，徐現(xiàn)剛教授坦言：“獎(jiǎng)項(xiàng)的獲得是一種促進(jìn)，但更多的是壓力和責(zé)任。要對(duì)得起這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，對(duì)得起大家對(duì)你的肯定，所以后面更多的是一種不容松懈的動(dòng)力。 ”

一個(gè)樸素的人

徐現(xiàn)剛教授出生于山東寧陽(yáng)，他像家鄉(xiāng)的泥土一樣樸實(shí)，他用老百姓般最樸素最踏實(shí)的方式，回答著科研上深?yuàn)W難解的問題。

不管在學(xué)校還是在公司，徐現(xiàn)剛教授的勤奮、敬業(yè)和出色的科研能力都是有口皆碑的，同時(shí)他的人品也和學(xué)識(shí)一樣被人賞識(shí)。“徐教授非常務(wù)實(shí)，具有科學(xué)的態(tài)度。 ”華光公司的同仁們說。

他以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)精神對(duì)待研究，并以身體力行的力量影響著學(xué)生。他的研究生崔瀠心說：“老師盡管非常忙，但是一有時(shí)間就到實(shí)驗(yàn)室親自指導(dǎo)我們做實(shí)驗(yàn)。 老師的要求非常嚴(yán)格，教導(dǎo)我們不但要精于專業(yè)知識(shí)，而且要廣學(xué)博知，我們受益匪淺。 ”

這就是大家眼中的徐現(xiàn)剛教授，一位腳踏實(shí)地的實(shí)干家、一位潛心科研的學(xué)者、一位謙遜和善的朋友。他以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度與理性精神，淵博寬厚、溫潤(rùn)如玉的性格，淡泊名利和率真的人生態(tài)度詮釋了一位學(xué)者的風(fēng)采。

徐現(xiàn)剛簡(jiǎn)介：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授、國(guó)家杰出青年基金獲得者、國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)委員、國(guó)家“863計(jì)劃”半導(dǎo)體照明工程總體專家組成員、享受國(guó)務(wù)院特殊津貼。長(zhǎng)期奮斗拼搏在教學(xué)、科研第一線，關(guān)注基礎(chǔ)研究創(chuàng)新，作為“973”首席科學(xué)家承擔(dān)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目，承擔(dān)了國(guó)家中長(zhǎng)期規(guī)劃之一的核心基礎(chǔ)元器件重大專項(xiàng)、“863項(xiàng)目”多項(xiàng)。

文章來源：《山東大學(xué)報(bào)》2012-10-20