科學(xué)研究：

研究方向：

1.GaAs、InP基新型微電子器件和電路用微結(jié)構(gòu)材料，包括RTD與HEMT結(jié)構(gòu)材料的集成設(shè)計(jì)和器件研究；

2.InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InAs/GaSb、InAs/Si等量子點(diǎn)、量子阱和超晶格結(jié)構(gòu)材料及InAs/GaAs新型Hall器件的研制；

3.高應(yīng)變、大失配異質(zhì)材料的外延生長(zhǎng)及其性能研究，包括ZnO/Si、GaN/Si、ZnO/金屬等特殊異質(zhì)結(jié)材料；

4.ZnO、ZnSe、CdTe等II-VI族和銻化物外延材料與新型光電器件的應(yīng)用研究；

5.HVPE外延生長(zhǎng)GaN厚膜材料的研究；

6.新型高效太陽電池材料、新概念太陽電池的設(shè)計(jì)與研制。

承擔(dān)的科研情況：

“九五”科技攻關(guān)：MBE GaAs基微結(jié)構(gòu)材料的實(shí)用化研究，1996-2000 。

科研成果：

先后在國(guó)內(nèi)首次研制出室溫連續(xù)激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室溫光雙穩(wěn)性能的自電光效應(yīng)器件材料，完成了分子束外延GaAs基微結(jié)構(gòu)材料的實(shí)用化研究，實(shí)現(xiàn)了3mm波段用InP基HEMT材料的研制；研制出具有正入射吸收的長(zhǎng)波長(zhǎng)量子點(diǎn)紅外探測(cè)器；完成了InAs/GaAs新型Hall器件實(shí)用化研究。曾獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)兩項(xiàng)，中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)兩項(xiàng)，三等獎(jiǎng)一項(xiàng)，“八五”攻關(guān)個(gè)人成果獎(jiǎng)一項(xiàng)。

1 高溫微電子器件用GSMBE氮化物材料 孫殿照;王曉亮;王軍喜;胡國(guó)新;劉宏新;朱世榮;張劍平;李曉兵;劉成海;黃運(yùn)衡;曾一平;李晉閩;孔梅影;林蘭英 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2000

2 低閾值和高速超短光脈沖量子阱激光器 陳良惠;徐俊英;肖建偉;張敬明;孔梅影;曾一平;李立康;馬朝偉;徐遵圖;王麗明;畢可奎;楊國(guó)文 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2000

發(fā)明專利：

1 一種有機(jī)材料升華提純裝置 曹國(guó)華;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-07-18

2 碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 王曉亮;胡國(guó)新;馬志勇;冉學(xué)軍;王翠敏;肖紅領(lǐng);王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-07-25

3 用于制備有機(jī)/無機(jī)薄膜的有機(jī)分子束沉積設(shè)備 曹國(guó)華;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-11-21

4 采用有機(jī)電子受體層促進(jìn)空穴有效注入的有機(jī)發(fā)光二極管 秦大山;曹國(guó)華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-01-02

5 在微波、臭氧環(huán)境下ITO玻璃的處理方法與裝置 曹峻松;秦大山;曹國(guó)華;曾一平;李晉閔 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-01-30

6 用于MEMS器件的大面積3C-SiC薄膜的制備方法 劉興昉;孫國(guó)勝;李晉閩;趙永梅;王雷;趙萬順;李家業(yè);曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-03-26

7 一種采用極化空穴注入結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管 秦大山;曹國(guó)華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-04-23

8 采用微量金屬摻雜有機(jī)受體薄膜的有機(jī)發(fā)光二極管 秦大山;曹國(guó)華;曹俊松;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-04-23

9 砷化鎵襯底上的多層變形緩沖層的制作方法 高宏玲;曾一平;段瑞飛;王寶強(qiáng);朱戰(zhàn)平;崔利杰 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-06-04

10 一種獨(dú)立供應(yīng)金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置 段瑞飛;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-06-25

11 一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置 段瑞飛;劉喆;鐘興儒;魏同波;馬平;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-06-25

12 一種平面微腔增強(qiáng)型探測(cè)器及其使用方法 鄭厚植;楊富華;趙建華;曾一平;陳京好;譚平恒 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2001-10-24

13 一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置 李晉閩;孫國(guó)勝;朱世榮;曾一平;孫殿照;王雷 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2001-12-19

14 無破壞性檢測(cè)高電子遷移率晶體管外延材料性能的方法 崔利杰;曾一平;王保強(qiáng);朱戰(zhàn)平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2004-10-06

15 中濃度P型摻雜透射式砷化鎵光陰極材料及其制備方法 王曉峰;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-06-29

16 制備納米級(jí)超薄硅可協(xié)變襯底的可控性腐蝕法 王曉峰;曾一平;黃風(fēng)義;王保強(qiáng);朱占平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-10-12

17 濕法腐蝕兩步法制備超薄柔性硅襯底的腐蝕工藝 王曉峰;曾一平;孫國(guó)勝;黃風(fēng)義;王雷;趙萬順 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-11-16

18 生長(zhǎng)高阻氮化鎵外延膜的方法 王曉亮;胡國(guó)新;王軍喜;冉軍學(xué);曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-12-07

19 生長(zhǎng)高遷移率氮化鎵外延膜的方法 王曉亮;胡國(guó)新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-12-07

20 生長(zhǎng)高結(jié)晶質(zhì)量氮化銦單晶外延膜的方法 肖紅領(lǐng);王曉亮;王軍喜;張南紅;劉宏新;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-12-07

21 氮化鎵高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)及制作方法 王曉亮;胡國(guó)新;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-12-07

22 一種在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化鋁的方法 張南紅;王曉亮;曾一平;肖紅領(lǐng);王軍喜;劉宏新;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005-12-14

23 一種豎直式高溫大功率碳化硅外延材料制造裝置 孫國(guó)勝;王雷;趙萬順;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-01-11

24 鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法 王曉亮;胡國(guó)新;王軍喜;王翠梅;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-02-01

25 在硅襯底上低溫生長(zhǎng)高結(jié)晶質(zhì)量氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王啟元;王俊 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-03-01

26 藍(lán)光、黃光量子阱堆疊結(jié)構(gòu)白光發(fā)光二極管及制作方法 郭倫春;王曉亮;王軍喜;肖紅領(lǐng);曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-03-01

27 制備絕緣體上鍺硅薄膜材料的方法 劉超;高興國(guó);李建平;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-05-31

28 提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結(jié)構(gòu)及制作方法 王翠梅;王曉亮;胡國(guó)新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-06-07

29 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)氮化鎵基高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法 王曉亮;王翠梅;胡國(guó)新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-06-14

30 改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結(jié)構(gòu) 王曉亮;王翠梅;胡國(guó)新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-07-05

31 半導(dǎo)體材料殘余應(yīng)力的測(cè)試裝置及方法 陳涌海;趙玲慧;曾一平;李成基 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-09-20

32 利用緩沖層在硅襯底上生長(zhǎng)氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王啟元;王俊 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-10-04

33 利用氧化鋅緩沖層生長(zhǎng)單晶氧化鋅薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王俊 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-10-04

34 制造厚膜氮化物材料的氫化物氣相外延裝置 劉喆;王軍喜;鐘興儒;李晉閩;曾一平;段瑞飛;馬平;魏同波;林郭強(qiáng) 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-12-20

35 一種減小Mg記憶效應(yīng)的GaN基pn結(jié)的生長(zhǎng)方法 冉軍學(xué);王曉亮;李建平;胡國(guó)新;王軍喜;王翠梅;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-01-10

36 銦砷/鎵砷量子點(diǎn)的分子束外延生長(zhǎng)方法 吳巨;王寶強(qiáng);朱戰(zhàn)平;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-03-14

37 在硅襯底上生長(zhǎng)無裂紋氮化鎵薄膜的方法 劉喆;李晉閩;王軍喜;王曉亮;王啟元;劉宏新;王俊;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2007-05-23

38 一種用于氮化物半導(dǎo)體材料退火的新型加熱襯托 王曉亮;冉軍學(xué);李建平;胡國(guó)新;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2006-09-20

39 氧化物的化學(xué)氣相沉積制備裝置及制備方法 段垚;王曉峰;崔軍朋;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-01-14

40 一種氮化物材料外延裝置 段瑞飛;王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-01-14

41 高純氧化鋅的化學(xué)氣相沉積裝置及其制備方法 王曉峰;段垚;崔軍朋;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-09-24

42 基于氮化鋁緩沖層的硅基3C-碳化硅異質(zhì)外延生長(zhǎng)方法 趙永梅;孫國(guó)勝;劉興昉;李家業(yè);王雷;趙萬順;李晉閩;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-10-08

43 高晶體質(zhì)量氮化物外延生長(zhǎng)所用圖形襯底的制備方法 張揚(yáng);閆發(fā)旺;高海永;曾一平;王國(guó)宏;張會(huì)肖;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-10-29

44 一種利用圖形化襯底提高GaN基LED發(fā)光效率的方法 閆發(fā)旺;高永海;張揚(yáng);李晉閩;曾一平;王國(guó)宏;張會(huì)肖 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-01-14

45 用于氮化物外延生長(zhǎng)的納米級(jí)圖形襯底的制作方法 閆發(fā)旺;高海永;樊中朝;李晉閩;曾一平;王國(guó)宏;張會(huì)肖;王軍喜;張揚(yáng) 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-02-25

46 一種氮化物薄膜外延生長(zhǎng)的方法 閆發(fā)旺;高海永;張揚(yáng);張會(huì)肖;李晉閩;曾一平;王國(guó)宏 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-06-03

47 在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)大尺寸高質(zhì)量氧化鋅單晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;李晉閩;王曉峰 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-01

48 一種氮化物材料的外延方法 段瑞飛;王軍喜;曾一平;王國(guó)宏;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-01

49 由絕緣襯底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法 劉興昉;孫國(guó)勝;李晉閩;趙永梅;王雷;趙萬順;王亮;紀(jì)剛;楊挺;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-29

50 氧化硅上制備低阻碳化硅的方法 趙永梅;孫國(guó)勝;寧瑾;王亮;劉興昉;趙萬順;王雷;李晉閩;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-05-27

51 一種用于微電子機(jī)械系統(tǒng)的碳化硅微通道的制作方法 劉興昉;孫國(guó)勝;趙永梅;王亮;王雷;趙萬順;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-01

52 在金屬襯底上生長(zhǎng)ZnO薄膜的方法 崔軍朋;段垚;王曉峰;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-03-18

53 在Si襯底上生長(zhǎng)ZnO薄膜的方法 崔軍朋;段垚;王曉峰;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-03-18

54 有機(jī)-無機(jī)復(fù)合發(fā)光二極管及其制作方法 曹俊松;秦大山;曹國(guó)華;關(guān)敏;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-04-22

55 圖形襯底上生長(zhǎng)碳化硅厚膜的方法 趙永梅;孫國(guó)勝;劉興昉;王亮;王雷;趙萬順;李晉閩;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-05-27

56 一種有機(jī)電致發(fā)光二極管 關(guān)敏;秦大山;曹峻松;曹國(guó)華;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-06-03

57 一種基于多晶鎵砷薄膜的有機(jī)無機(jī)復(fù)合太陽能電池 關(guān)敏;秦大山;曹峻松;曹國(guó)華;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-01

58 用于氮化物外延生長(zhǎng)的圖形藍(lán)寶石襯底的制作方法 閆發(fā)旺;高海永;張揚(yáng);李晉閩;曾一平;王國(guó)宏;張會(huì)肖 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008-12-24

59 碳化硅射頻微電子機(jī)械系統(tǒng)濾波器的制作方法 趙永梅;寧瑾;孫國(guó)勝;王亮;劉興昉;趙萬順;王雷;李晉閩;曾一平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-07-01

60 一種在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)非極性GaN厚膜的方法 魏同波;段瑞飛;霍自強(qiáng);王軍喜;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-09-02

61 在藍(lán)寶石襯底上二次生長(zhǎng)高質(zhì)量ZnO單晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;王曉峰 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-09-23

62 一種垂直結(jié)構(gòu)氮化物L(fēng)ED的制備方法 段瑞飛;王軍喜;曾一平;王國(guó)宏;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-09-30

63 一種高溫碳化硅雙室熱壁式外延生長(zhǎng)裝置 孫國(guó)勝;王雷;趙萬順;曾一平;葉志仙;劉興昉 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-12-02

64 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法 關(guān)敏;曹國(guó)華;李林森;曾一平;李晉閩 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2009-12-23

論文專著：

先后發(fā)表研究論文100余篇。

發(fā)表論文：

1 銻化物超晶格紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展 李彥波; 劉超; 張楊; 趙杰; 曾一平; 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2010-03-25

2 小孔徑蝴蝶型光電導(dǎo)天線太赫茲輻射源的研究 黃振; 于斌; 趙國(guó)忠; 張存林; 崔利杰; 曾一平; 激光與紅外 2009-02-15

3 銻化物半導(dǎo)體材料與器件應(yīng)用研究進(jìn)展 劉超; 曾一平; 半導(dǎo)體技術(shù) 2009-06-03

4 用于高速電路的InP基共振隧穿二極管制作(英文) 馬龍; 黃應(yīng)龍; 張楊; 王良臣; 楊富華; 曾一平; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2006-06-30

5 InP基HEMT器件中二維電子氣濃度及分布與溝道層厚度關(guān)系的理論分析 李東臨; 曾一平; 物理學(xué)報(bào) 2006-07-12

6 藍(lán)寶石襯底上單晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生長(zhǎng) 王保柱; 王曉亮; 王曉燕; 王新華; 郭倫春; 肖紅領(lǐng); 王軍喜; 劉宏新; 曾一平; 李晉閩; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2006-08-30

7 利用水平熱壁CVD法生長(zhǎng)的3C-SiC/Si的均勻性(英文) 李家業(yè); 趙永梅; 劉興昉; 孫國(guó)勝; 羅木昌; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-01-15

8 HVPE生長(zhǎng)GaN厚膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能(英文) 魏同波; 馬平; 段瑞飛; 王軍喜; 李晉閩; 劉喆; 林郭強(qiáng); 曾一平; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-01-15

9 自旋光電流與電流誘導(dǎo)的電子自旋極化——半導(dǎo)體自旋電子學(xué)的新進(jìn)展 楊春雷; 王建農(nóng); 葛惟錕; 崔利杰; 曾一平; 物理 2007-01-12

10 一種基于RTD和HEMT的單片集成邏輯電路(英文) 戴揚(yáng); 黃應(yīng)龍; 劉偉; 馬龍; 楊富華; 王良臣; 曾一平; 鄭厚植; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-03-15

11 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二極管的研制與器件模擬分析 馬龍; 張楊; 戴揚(yáng); 楊富華; 曾一平; 王良臣; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-04-30

12 藍(lán)寶石襯底上HVPE-GaN厚膜生長(zhǎng) 馬平; 魏同波; 段瑞飛; 王軍喜; 李晉閩; 曾一平; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2007-06-15

13 InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高遷移率二維電子氣系統(tǒng)中的反弱局域效應(yīng)研究 周文政; 林鐵; 商麗燕; 黃志明; 崔利杰; 李東臨; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 桂永勝; 褚君浩; 物理學(xué)報(bào) 2007-07-15

14 不同量子阱寬度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高電子遷移率晶體管材料二維電子氣的性能研究 高宏玲; 李東臨; 周文政; 商麗燕; 王寶強(qiáng); 朱戰(zhàn)平; 曾一平; 物理學(xué)報(bào) 2007-08-15

15 GaAs光電陰極在不同強(qiáng)度光照下的穩(wěn)定性 鄒繼軍; 常本康; 楊智; 高頻; 喬建良; 曾一平; 物理學(xué)報(bào) 2007-10-15

16 HVPE氣相外延法在c面藍(lán)寶石上選區(qū)外延生長(zhǎng)GaN及其表征 林郭強(qiáng); 曾一平; 段瑞飛; 魏同波; 馬平; 王軍喜; 劉喆; 王曉亮; 李晉閩; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-03-15

17 低溫生長(zhǎng)砷化鎵光電導(dǎo)天線產(chǎn)生太赫茲波的輻射特性 石小溪; 趙國(guó)忠; 張存林; 崔利杰; 曾一平; 中國(guó)激光 2008-03-15

18 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中雙子帶占據(jù)的二維電子氣的輸運(yùn)特性 商麗燕; 林鐵; 周文政; 黃志明; 李東臨; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 郭少令; 褚君浩; 物理學(xué)報(bào) 2008-04-15

19 兩個(gè)子帶占據(jù)的In_(0•53)Ga_(0•47)As/In_(0•52)Al_(0•48)As量子阱中填充因子的變化規(guī)律 商麗燕; 林鐵; 周文政; 郭少令; 李東臨; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩; 物理學(xué)報(bào) 2008-06-15

20 ZnAl_2O_4緩沖層對(duì)ZnO外延層晶體質(zhì)量的影響 何金孝; 段垚; 王曉峰; 崔軍朋; 曾一平; 李晉閩; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-07-15

21 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁電阻效應(yīng) 商麗燕; 林鐵; 周文政; 李東臨; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞國(guó)林; 褚君浩; 物理學(xué)報(bào) 2008-08-15

22 水平靜電驅(qū)動(dòng)式多晶3C-SiC折疊懸臂梁諧振器微結(jié)構(gòu)(英文) 王亮; 趙永梅; 寧瑾; 孫國(guó)勝; 王雷; 劉興坊; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-08-15

23 表面勢(shì)壘形狀對(duì)NEA光陰極電子能量分布的影響(英文) 鄒繼軍; 楊智; 喬建良; 常本康; 曾一平; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-08-15

24 MBE自組裝量子點(diǎn)生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)形態(tài)研究 吳巨; 金鵬; 呂小晶; 王占國(guó); 曾一平; 王寶強(qiáng); 姚然; 微納電子技術(shù) 2008-08-15

25 Si基SiC微通道及其制備工藝 王亮; 孫國(guó)勝; 劉興昉; 趙永梅; 寧瑾; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩; 微納電子技術(shù) 2008-08-15

26 非摻雜LEC砷化鎵晶體中砷沉淀和位錯(cuò)關(guān)聯(lián)性質(zhì) 朱蓉輝; 曾一平; 卜俊鵬; 惠峰; 鄭紅軍; 趙冀; 高永亮; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-09-15

27 MBE自組裝量子點(diǎn)生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)形態(tài)研究(續(xù)) 吳巨; 金鵬; 呂小晶; 王占國(guó); 曾一平; 王寶強(qiáng); 姚然; 微納電子技術(shù) 2008-09-15

28 以金屬為緩沖層在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 林郭強(qiáng); 曾一平; 王曉亮; 劉宏新; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2008-10-15

29 以Au為緩沖層在Si襯底上生長(zhǎng)ZnO薄膜 崔軍朋; 段垚; 王曉峰; 曾一平; 發(fā)光學(xué)報(bào) 2008-10-15

30 低溫下應(yīng)變外延層的單層生長(zhǎng)(英文) 段瑞飛; 王寶強(qiáng); 朱占平; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2003-04-08

31 無坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生長(zhǎng)及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)特性(英文) 孫國(guó)勝; 孫艷玲; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 張永興; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2003-06-08

32 RF-MBE生長(zhǎng)AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)二維電子氣材料 胡國(guó)新; 王曉亮; 孫殿照; 王軍喜; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2003-06-08

33 自組織量子點(diǎn)的優(yōu)化生長(zhǎng)(英文) 段瑞飛; 王寶強(qiáng); 朱占平; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2003-10-08

34 Si(100)襯底上n-3C-SiC/p-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究 孫國(guó)勝; 孫艷玲; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 李建平; 曾一平; 林蘭英 發(fā)光學(xué)報(bào) 2003-04-30

35 Si(100)和藍(lán)寶石(0001)襯底上3C-SiC的Raman研究(英文) 孫國(guó)勝; 羅木昌; 王雷; 趙萬順; 孫艷玲; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 發(fā)光學(xué)報(bào) 2003-08-30

36 Si襯底上無坑洞3C-SiC的外延生長(zhǎng)研究 孫國(guó)勝; 王雷; 羅木昌; 趙萬順; 朱世榮; 李晉閩; 曾一平; 林蘭英 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2003-06-30

37 MBE生長(zhǎng)的跨導(dǎo)為186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 王曉亮; 胡國(guó)新; 王軍喜; 劉宏新; 孫殿照; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英; 劉新宇; 劉鍵; 錢鶴 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2003-12-30

38 變In組分溝道的MM-HEMT材料電子輸運(yùn)特性研究 仇志軍; 蔣春萍; 桂永勝; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱戰(zhàn)平; 王保強(qiáng) 物理學(xué)報(bào) 2003-11-12

39 RF-MBE生長(zhǎng)的高Al勢(shì)壘層AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)(英文) 王曉亮; 王翠梅; 胡國(guó)新; 王軍喜; 劉新宇; 劉鍵; 冉軍學(xué); 錢鶴; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-06-08

40 GSMBE外延生長(zhǎng)SGOI材料的退火行為 劉超; 高興國(guó); 李建平; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-06-08

41 藍(lán)寶石襯底上單晶InN外延膜的RFMBE生長(zhǎng) 肖紅領(lǐng); 王曉亮; 張南紅; 王軍喜; 劉宏新; 韓勤; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-06-08

42 SOI襯底對(duì)3CSiC異質(zhì)外延薄膜內(nèi)殘存應(yīng)力的影響(英文) 王曉峰; 黃風(fēng)義; 孫國(guó)勝; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李海鷗; 段曉峰 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-09-08

43 高積分光電靈敏度多層Be濃度摻雜的GaAs負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極(英文) 王曉峰; 曾一平; 王保強(qiáng); 朱占平; 杜曉晴; 李敏; 常本康 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-09-08

44 輸出功率密度為2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) 王曉亮; 劉新宇; 胡國(guó)新; 王軍喜; 馬志勇; 王翠梅; 李建平; 冉軍學(xué); 鄭英奎; 錢鶴; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-10-08

45 厚度對(duì)Si襯底上生長(zhǎng)的ZnO薄膜性能的影響(英文) 沈文娟; 王俊; 段垚; 王啟元; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-11-08

46 MEMS用Si臺(tái)面及SiO_2/Si襯底上3C-SiC的LPCVD生長(zhǎng)(英文) 孫國(guó)勝; 王雷; 鞏全成; 高欣; 劉興日方; 曾一平; 李晉閩; 人工晶體學(xué)報(bào) 2005-12-30

47 4H-SiC同質(zhì)外延生長(zhǎng)及Ti/4H-SiC肖特基二極管(英文) 孫國(guó)勝; 寧瑾; 高欣; 攻全成; 王雷; 劉興日方; 曾一平; 李晉閩; 人工晶體學(xué)報(bào) 2005-12-30

48 在復(fù)合襯底γ-Al_2O_3/Si(001)上生長(zhǎng)GaN 劉喆; 王軍喜; 李晉閩; 劉宏新; 王啟元; 王俊; 張南紅; 肖紅領(lǐng); 王曉亮; 曾一平; 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-12-08

49 RF-MBE生長(zhǎng)的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性(英文) 王曉亮; 胡國(guó)新; 王軍喜; 劉新宇; 劉鍵; 劉宏新; 孫殿照; 曾一平; 錢鶴; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-02-08

50 Si襯底和Si-SiO_2-Si柔性襯底上的GaN生長(zhǎng) 王軍喜; 王曉亮; 劉宏新; 胡國(guó)新; 李建平; 李晉閩; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-06-08

51 溶膠-凝膠法制備ZnO納米薄膜的工藝和應(yīng)用 劉超; 李建平; 孫國(guó)勝; 曾一平 發(fā)光學(xué)報(bào) 2004-04-30

52 高溫退火處理的磷化銦中的深能級(jí)缺陷 董志遠(yuǎn); 趙有文; 曾一平; 段滿龍; 李晉閩 中國(guó)科學(xué)E輯:工程科學(xué) 材料科學(xué) 2004-05-20

53 3C-SiC/Si異質(zhì)結(jié)二極管的高溫特性(英文) 張永興; 孫國(guó)勝; 王雷; 趙萬順; 高欣; 曾一平; 李晉閩; 李思淵 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-09-08

54 可用于Ⅲ族氮化物生長(zhǎng)的50mm 3C-SiC/Si(111)襯底的制備(英文) 孫國(guó)勝; 張永興; 高欣; 王軍喜; 王雷; 趙萬順; 王曉亮; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-10-08

55 4H-SiC低壓熱壁CVD同質(zhì)外延生長(zhǎng)及特性(英文) 孫國(guó)勝; 高欣; 張永興; 王雷; 趙萬順; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-12-08

56 n型和p型4H-SiC的二級(jí)喇曼譜(英文) 高欣; 孫國(guó)勝; 李晉閩; 王雷; 趙萬順; 張永新; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-12-08

57 厚表層Si柔性絕緣襯底上SiC薄膜的外延生長(zhǎng) 王曉峰; 王雷; 趙萬順; 孫國(guó)勝; 黃風(fēng)義; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2004-12-08

58 一種新材料結(jié)構(gòu)的RTD器件的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)(英文) 王建林; 王良臣; 曾一平; 劉忠立; 楊富華; 白云霞 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-01-08

59 RTD與PHEMT集成的幾個(gè)關(guān)鍵工藝 王建林; 劉忠立; 王良臣; 曾一平; 楊富華; 白云霞 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-02-08

60 MOCVD生長(zhǎng)Mg摻雜GaN的退火研究 冉軍學(xué); 王曉亮; 胡國(guó)新; 王軍喜; 李建平; 曾一平; 李晉閩 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-03-08

61 硅基微電子新材料SGOI薄膜研究進(jìn)展 高興國(guó); 劉超; 李建平; 曾一平; 李晉閩 微電子學(xué) 2005-02-20

62 水平冷壁CVD生長(zhǎng)4H-SiC同質(zhì)外延膜的研究 高欣; 孫國(guó)勝; 李晉閩; 趙萬順; 王雷; 張永興; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005-05-08

63 MBE生長(zhǎng)的InAs薄膜Hall器件 周宏偉; 曾一平; 李歧旺; 王紅梅; 潘量; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1999-10-08

64 質(zhì)子輻照對(duì)GaAs/AlGaAs多量子阱材料光學(xué)性質(zhì)的影響 黃萬霞; 林理彬; 曾一平; 潘量 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1999-11-08

65 襯底溫度和生長(zhǎng)速率對(duì)MBE自組織生長(zhǎng)In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影響 于磊; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 李晉閩; 李靈霄; 周宏偉 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2000-07-08

66 GSMBE生長(zhǎng)的高質(zhì)量氮化鎵材料 孫殿照; 王曉亮; 王軍喜; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 侯洵; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2000-07-08

67 MBE生長(zhǎng)的高質(zhì)量AlGaAs/InGaAs雙δ摻雜PHEMT結(jié)構(gòu)的材料 曹昕; 曾一平; 孔梅影; 王保強(qiáng); 潘量; 張昉昉; 朱戰(zhàn)萍 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2000-09-08

68 高質(zhì)量氮化鎵材料的光致發(fā)光研究 王軍喜; 孫殿照; 王曉亮; 劉宏新; 劉成海; 曾一平; 李晉閩; 侯洵; 林蘭英 應(yīng)用光學(xué) 2001-04-25

69 Si(100)襯底上高質(zhì)量3C-SiC的改良外延生長(zhǎng)(英文) 孫國(guó)勝; 王雷; 羅木昌; 趙萬順; 孫殿照; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2002-08-08

70 GaAs基分子束外延材料的市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)化 孔梅影; 曾一平 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2002-06-30

71 非原生摻雜半絕緣磷化銦(InP)及其應(yīng)用對(duì)比 董宏偉; 趙有文; 焦景華; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 科學(xué)通報(bào) 2002-12-15

72 MBE生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs／AlGaAs量子阱激光器 楊國(guó)文; 肖建偉; 徐遵圖; 張敬明; 徐俊英; 鄭婉華; 曾一平; 陳良惠 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1994-09-08

73 分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究 閻春輝; 鄭海群; 范緹文; 孔梅影; 曾一平; 黃運(yùn)衡; 朱世榮; 孫殿照 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1994-10-08

74 具有寬帶響應(yīng)的GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測(cè)器 李晉閩; 鄭海群; 曾一平; 孔梅影 紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1994-10-25

75 晶格匹配型單量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半導(dǎo)體電極的光電化學(xué)行為 劉堯; 肖緒瑞; 李學(xué)萍; 閻春輝; 曾一平; 孫殿照; 鄭海群; 國(guó)紅熙 科學(xué)通報(bào) 1994-08-23

76 進(jìn)一步提高我國(guó)分子束外延技術(shù)的探討 孔梅影; 梁基本; 曾一平 高技術(shù)通訊 1994-01-28

77 GaAs／AlGaAs多量子阱二維面陣紅外探測(cè)器 李晉閩; 鄭海群; 曾一平; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1995-01-08

78 高質(zhì)量GaAs－AlGaAs材料MBE生長(zhǎng)研究及其應(yīng)用 楊國(guó)文; 肖建偉; 徐遵圖; 鄭婉華; 曾一平; 徐俊英; 張敬明; 陳良惠 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1995-08-08

79 多量子阱GaAs／Al_xGa_（1－x）As電極的瞬態(tài)光電流行為 劉堯; 肖緒瑞; 林原; 曾一平; 孫殿照; 鄭海群 電化學(xué) 1995-02-25

80 GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱電極／非水溶液界面性能的研究 劉堯; 肖緒瑞; 曾一平; 孫殿照; 閻春輝; 鄭海群 電化學(xué) 1995-05-25

81 氣態(tài)源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料 袁瑞霞; 閻春輝; 國(guó)紅熙; 李曉兵; 朱世榮; 曾一平; 李靈霄; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1996-01-08

82 匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生長(zhǎng)及特性分析 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 候洵; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-06-08

83 光柵耦合量子阱紅外探測(cè)器一維光柵的光譜響應(yīng) 潘棟; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-06-08

84 50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs應(yīng)變超晶格的生長(zhǎng) 潘棟; 曾一平; 吳巨; 王紅梅; 李晉閩; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-06-08

85 In_xGa_(1-x)As/InP應(yīng)變多量子阱P-i-N結(jié)構(gòu)的GSMBE生長(zhǎng)及X射線雙晶衍射研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-07-08

86 壓應(yīng)變In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP單量子阱的變溫光致發(fā)光研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-09-08

87 高質(zhì)量GaN材料的GSMBE生長(zhǎng) 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 張劍平; 付榮輝; 朱世榮; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1997-12-08

88 MBE生長(zhǎng)溫度對(duì)InGaAs/GaAs應(yīng)變單量子阱激光器性能的影響 曾一平; 孔梅影; 王曉亮; 朱世榮; 李靈霄; 李晉閩 電子顯微學(xué)報(bào) 1997-08-25

89 分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格緩沖層量子阱材料的研究 宋珂; 張福厚; 邢建平; 曾一平 光電子•激光 1997-06-30

90 In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP壓應(yīng)變量子阱的GSMBE生長(zhǎng)及特性研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平; 李建平; 李靈霄; 朱世榮 紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1997-02-25

91 晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱電極光電轉(zhuǎn)換性能的研究 劉堯; 肖緒瑞; 曾一平; 閻春輝; 鄭海群; 孫殿照 中國(guó)科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué)) 1997-03-15

92 具有超晶格緩沖層的量子阱激光器的研制 張福厚; 宋珂; 邢建平; 郝修田; 曾一平 中國(guó)激光 1997-02-25

93 分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格緩沖層的量子阱材料 宋珂; 張福厚; 邢建平; 曾一平 科技通報(bào) 1997-11-20

94 In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子點(diǎn)超晶格的生長(zhǎng) 潘棟; 曾一平; 吳巨; 孔梅影 科學(xué)通報(bào) 1997-08-08

95 GaN材料的GSMBE生長(zhǎng) 王曉亮; 孫殿照; 李曉兵; 黃運(yùn)衡; 朱世榮; 曾一平; 李晉閩; 孔梅影; 林蘭英 高技術(shù)通訊 1997-03-28

96 量子阱激光器超晶格緩沖層的研究 張福厚; 陳江華; 李樹強(qiáng); 于復(fù)生; 曾一平 半導(dǎo)體光電 1998-06-30

97 InAs薄膜Hall器件的材料生長(zhǎng)與特性研究 王紅梅; 曾一平; 周宏偉; 董建榮; 潘棟; 潘量; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1998-06-15

98 In_xGa_(1-x)As/InP應(yīng)變量子阱中激子躍遷能量隨In組分的變化 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1998-06-15

99 MBE生長(zhǎng)InAs薄膜輸運(yùn)性質(zhì)的研究 周宏偉; 董建榮; 王紅梅; 曾一平; 朱占萍; 潘量; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1998-09-15

100 GSMBE GaN膜的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究 王曉亮; 孫殿照; 孔梅影; 張劍平; 曾一平; 李晉閩; 林蘭英 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1998-12-15

101 InGaAs/GaAs垂直對(duì)準(zhǔn)量子點(diǎn)超晶格的正入射紅外吸收 莊乾東; 李晉閩; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 林蘭英 紅外與毫米波學(xué)報(bào) 1998-12-25

102 分子束外延低溫生長(zhǎng)GaAs緩沖層及性能研究 梁基本; 孔梅影; 王占國(guó); 朱戰(zhàn)萍; 段維新; 王春艷; 張學(xué)淵; 曾一平 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1993-12-27

103 InSb/GaAs界面的高分辨電鏡研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吳玉琨; 電子顯微學(xué)報(bào) 1993-05-01

104 GaAs-GaAlAs多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光的激子性質(zhì)和溫度特性 徐仲英; 梁基本; 許繼宗; 鄭寶真; 李玉璋; 徐俊英; 曾一平; 葛惟錕 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1987-04-01

105 優(yōu)質(zhì)量子阱的MBE生長(zhǎng)和性能研究 孔梅影; 孫殿照; 梁基本; 黃運(yùn)衡; 曾一平 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1988-04-01

106 有并聯(lián)電導(dǎo)的調(diào)制摻雜N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs異質(zhì)結(jié) 朱詠堂; 周海平; 董謀群; 江丕桓; 孫殿照; 陳宗圭; 曾一平 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 1988-04-01

107 分子束外延高質(zhì)量GaAs-AlGaAs量子阱結(jié)構(gòu) 梁基本; 孔梅影; 孫殿照; 曾一平; 黃運(yùn)衡 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1988-03-01

108 GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As異質(zhì)結(jié)界面二維空穴的量子輸運(yùn)特性 周海平; 鄭厚植; 楊富華; 曾一平; 蘇愛民 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1989-03-02

109 GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收譜 曾安; 吳榮漢; 曾一平; 孔梅影; 王啟明 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1989-11-27

110 AlGaAs/GaAs多量子阱激光器 徐俊英; 李立康; 張敬明; 曾安; 傅方正; 陳良惠; 曾一平; 孫殿照; 孔梅影 中國(guó)激光 1990-12-31

111 GaAs MISHFET的研制 楊沁清; 高俊華; 曾一平; 孔梅影; 孫殿照 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1990-07-30

112 GaAs/GaAlAs量子限制Stark效應(yīng)及自電光雙穩(wěn)現(xiàn)象的實(shí)驗(yàn)研究 吳榮漢; 段海龍; 曾一平; 王啟明; 林世鳴; 孔梅影; 張權(quán)生; 江德生; 謝茂海 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1990-09-28

113 量子阱材料的電子顯微鏡及光致發(fā)光研究 范緹文; 張永航; 曾一平; 陳良惠; 徐統(tǒng) 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1990-09-28

114 分子束外延反射式高能電子衍射的強(qiáng)度振蕩采集系統(tǒng)及其應(yīng)用 張曉秋; 朱戰(zhàn)萍; 孫殿照; 孔梅影; 曾一平; 鄭海群; 閻春輝 真空科學(xué)與技術(shù) 1990-06-30

115 GaAs/GaAlAs多量子阱自電光效應(yīng)光學(xué)雙穩(wěn)態(tài) 吳榮漢; 段海龍; 王啟明; 曾一平; 孔梅影; 潘鐘; 張權(quán)生; 林世鳴 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1991-03-02

116 GaAs/AlGaAs多量子阱室溫光電流譜 段海龍; 王啟明; 吳榮漢; 曾一平; 孔梅影 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 1991-07-30

117 化學(xué)束外延生長(zhǎng)GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 孫殿照; 閻春輝; 國(guó)紅熙; 朱世榮; 黃運(yùn)衡; 曾一平; 孔梅影; 半導(dǎo)體情報(bào) 1991-06-30

118 InP基共振遂穿二極管隔離層厚度對(duì)器件I-V特性影響的研究 韓春林; 張楊; 曾一平; 高建峰; 薛舫時(shí); 陳辰; 2007年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)） 2007-10-01

119 藍(lán)寶石(0001)襯底上p-3C-SiC歐姆接觸的研究 孫艷玲; 孫國(guó)勝; 劉肅; 王雷; 趙萬順; 羅木昌; 曾一平; 林蘭英; 2002年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展（下）——2002年中國(guó)材料研討會(huì)論文集 2002-10-01

120 化學(xué)氣相沉積4H-SiC同質(zhì)外延膜的生長(zhǎng)及其特征研究 高欣; 孫國(guó)勝; 趙萬順; 王雷; 李晉閩; 曾一平; 羅木昌; TFC’03全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集 2003-09-01

121 低溫生長(zhǎng)的砷化鎵太赫茲透射與發(fā)射光譜的研究 李淼; 趙國(guó)忠; 崔利杰; 曾一平; 光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)光電技術(shù)專業(yè)委員會(huì)成立二十周年暨第十一屆全國(guó)光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 2005-08-01

122 MBE生長(zhǎng)溫度對(duì)InGaAs/GaAs應(yīng)變單量子阱激光器性能的影響 曾一平; 孔梅影; 王曉亮; 朱世榮; 李靈霄; 李晉閩; 1996年中國(guó)青年學(xué)者物理學(xué)討論會(huì)——薄膜材料與物理論文集 1996-06-01

123 InSb/GaAs界面的高分辨電鏡研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吳玉琨; 第七次全國(guó)電子顯微學(xué)會(huì)議論文摘要集 1993-04-01

124 三勢(shì)壘雙阱隧穿結(jié)構(gòu)中調(diào)控發(fā)射阱中的電子積累對(duì)電子共振隧穿特性的影響 朱匯; 鄭厚植; 李桂榮; 牛智川; 曾一平; 張飛; 孫曉明; 談笑天; 第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集 2007-09-01

125 三勢(shì)壘隧穿結(jié)構(gòu)中的高峰谷比光生空穴共振隧穿 朱匯; 鄭厚植; 李桂榮; 牛智川; 曾一平; 張飛; 孫曉明; 談笑天; 第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集 2007-09-01

榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)：

2007年度中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

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