專家信息：

劉忠立， 1940年生，武漢市人，1964年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專業(yè)。歷任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、研究員、博士生導(dǎo)師、博士后合作導(dǎo)師、所學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任、學(xué)位委員會(huì)委員、國家傳感技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，創(chuàng)新重大項(xiàng)目“特種半導(dǎo)體器件及電路”負(fù)責(zé)人等�，F(xiàn)任中國科學(xué)院微電子研究所特聘研究員，傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、北京市傳感技術(shù)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、中國電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專委會(huì)委員、中國國際工程咨詢公司項(xiàng)目評(píng)估專家等職，微電子學(xué)雜志編委會(huì)委員，科學(xué)出版社“半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書” 編委會(huì)委員。

已在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文120余篇，撰寫專著4本，譯著2本，擁有國家發(fā)明專利8項(xiàng)，指導(dǎo)已畢業(yè)的博士生12名，博士后1名，指導(dǎo)已畢業(yè)的碩士生12名。

教育及工作經(jīng)歷：

1964年畢業(yè)于清華大學(xué)半導(dǎo)材料及器件專業(yè)。

1964-2010年在中科院半導(dǎo)體研究所工作，2011年起被中科院微電子研究所 聘為教授繼續(xù)工作。

1980-1982年曾作為訪問學(xué)者在聯(lián)邦德國多特蒙德大學(xué)從事新CMOS器件研究。

1990-1991年在聯(lián)邦德國HMI研究任客座教授所事MOS器件輻射加固物理研究。

學(xué)術(shù)兼職：

1、傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。

2、北京市傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。

3、中國電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專委會(huì)專家委員。

4、中科院軍工項(xiàng)目監(jiān)理部監(jiān)理。

5、“微電子學(xué) ”雜志編委會(huì)委員。

6、科學(xué)出版社半導(dǎo)體技術(shù)書籍編委會(huì)委員。

6、中國國際工程咨詢公司項(xiàng)目評(píng)估專家。

7、中電集團(tuán)SOICMOS技術(shù)研發(fā)中心專家委員會(huì)專家。

科學(xué)研究：

研究方向：

主要從事從事半導(dǎo)體器件、電路、微傳感器的設(shè)計(jì)、制造及輻射加固研究，近年來重點(diǎn)研究抗輻射SOICMOS SRAM、抗輻射SOICMOS FPGA及寬帶隙半導(dǎo)體SiC 功率器件。

承擔(dān)的科研項(xiàng)目情況：

長(zhǎng)期從事輻射加固集成電路、微傳感器及半導(dǎo)體功率器件研究，是我國最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人員之一。20世紀(jì)60年代后期至70年代中期，在高質(zhì)量SiO₂ 生長(zhǎng)、檢測(cè)以及MOS器件穩(wěn)定性和可靠性方面，做出了很多有意義的開拓性研究成果，1974年負(fù)責(zé)研制成功CMOS指針式電子手表電路，榮獲北京市科技二等獎(jiǎng)。1980－1982年，作為訪問學(xué)者在德國多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng)性地提出并負(fù)責(zé)研制成功離子注入氮形成隱埋Si₃N₄的CMOS/SOI器件，得到國際同行的認(rèn)可。1990-1991年，在德國HMI核研究所任客座教授從事MOS器件輻射物理研究，取得有意義的成果。1982年-1989年，負(fù)責(zé)研制成功“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長(zhǎng)壽命衛(wèi)星抗輻射集成電路”，電路的抗輻射指標(biāo)達(dá)到國際上相應(yīng)電路的最好水平，分別獲1987年及1991年中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)；1992年獲國防科工委光華基金二等獎(jiǎng)；1993年獲國家政府特殊津貼及中科院優(yōu)秀教師稱號(hào)； 1995負(fù)責(zé)研制成功重點(diǎn)工程CMOS/SOS抗輻射CMOS/SOS集成電路，獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)�！鞍宋濉� 、“九五”及“十五”期間，負(fù)責(zé)多項(xiàng)國家重大研究課題，均已通過驗(yàn)收，其中同中科院微電子所合作完成的”64K抗輻射CMOS/SOI SRAM”院重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目，同中電集團(tuán)58所合作完成的十五預(yù)研項(xiàng)目”128K抗輻射CMOS/SOI SRAM”,開拓了我國抗輻射CMOS/SOI輻射加固集成電路的研究領(lǐng)域。此外，“九五”至“十五”期間還負(fù)責(zé)研制成功高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiC MOS管等國內(nèi)一流的研究成果，十一五責(zé)研制成功5萬門抗輻射CMOS/SOI FPGA電路已通過驗(yàn)收，輻射指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平。

科研成果：

1、1974年負(fù)責(zé)研制成功我國第一個(gè)CMOS指針式電子手表電路，獲北京市科技二等獎(jiǎng)。

2、1980年提出并研制成功的離子注入氮形成隱埋的Si₃N₄層不用處延硅的CMOS/SOI器件是國際上開創(chuàng)性的工作。

3、負(fù)責(zé)的“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長(zhǎng)壽命衛(wèi)星用抗輻射集成電路”研究項(xiàng)目分別獲1987年及1991年中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

4、負(fù)責(zé)的國防重點(diǎn)工程抗輻射加固CMOS/SOS集成電路1995年獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。

發(fā)明專利：

1、集成電路的保護(hù)結(jié)構(gòu)， 劉忠立，劉榮環(huán)， 和致經(jīng)， 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 1990-01-31。

2、一種功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路， 高峰， 李春寄，劉忠立，于芳 ，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 2007-10-17。

3、一種幅度調(diào)制隔離反饋控制電路，高峰， 李春寄， 劉忠立，于芳，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 ，2007-10-17。

4 、一種可重構(gòu)的乘法器， 余洪敏， 陳陵都， 劉忠立，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 2010-01-13。

5、針對(duì)多模式邏輯單元可編程門陣列的工藝映射方法， 張琨，周華兵， 陳陵都， 劉忠立，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 2010-02-24。

6、全集成高線性三角波發(fā)生器， 李霄鹍， 石寅， 劉忠立， 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 ，2006-06-21。

7、形成于PD SOI 襯底上的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其制作方法，趙凱， 劉忠立， 姜凡， 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 2007-07-04。

8、改進(jìn)的部分耗盡絕緣體上硅靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元， 趙凱， 劉忠立， 于芳， 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所， 2009-05-27 。

論文專著：

已在國內(nèi)外主要刊物上發(fā)表了90余篇論文，著有30萬字專著《CMOS集成電路原理、制造及應(yīng)用》一本。

出版專著：

1. 《CMOS集成電路原理制造及應(yīng)用》，劉忠立，電子工業(yè)出版社，1990年。

2. 《研究生專業(yè)參考教程第一卷》，本書共六章，劉忠立著第六章：“微電子學(xué)中的半導(dǎo)體器件”，1995年，中科院半導(dǎo)體所內(nèi)部發(fā)行。

3. 《電子器件抗輻射加固技術(shù)》，本書共九章，劉忠立著第七章：“CMOS/SOS 及 CMOS/SOI 集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)”，裝備部出版, 2001年。

4. 《特高頻射頻識(shí)別技術(shù)及應(yīng)用》，李全圣，劉忠立，吳里江，國防工業(yè)出版社，2001年。

出版譯著：

1. 《半導(dǎo)體輻射探測(cè)器》，劉忠立譯，國防工業(yè)出版社， 2004年。

2. 《先進(jìn)半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)》，劉忠立譯，國防工業(yè)出版社， 2008年。

發(fā)表論文：

1. 劉忠立，論N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管，半導(dǎo)體通訊，1973，No.3, pp1-7.

2. 劉忠立，用于鈍化鈉離子的摻HCL氧化方法，全國半導(dǎo)體表面鈍化會(huì)議，1975，pp126-130.

3. 劉忠立，P溝Si柵N溝Al柵CMOS手表電路，半導(dǎo)體通訊，1976, No.3, pp1-10.

4. 劉忠立，一種簡(jiǎn)易的監(jiān)控Si-SiO₂界面質(zhì)量的水銀探針，物理學(xué)報(bào)，1977, Vol.26, No.3, pp281-284.

5. 劉忠立，用于MOS器件閾值電壓設(shè)計(jì)的諾摸圖，無線電技術(shù)，1977, pp44-45.

6. Liu Zhongli, et al, CMOS Devices Buried Silicon Nitride Formed by Nitrogen Implantation, Proceeding of 12^th ESSDERC, Sept.1982, pp172.

7. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, Buried Silicon-Nitride Layers Formed by Nitrogen-Ion Implantation and High-Temperature Annealing, Ion Implantation Equipment and Technology (H.Ryssel and H.Glawishs), 1983, pp426-432.

8. Zimmer G, Neubert E, Zetzmann, W, Liu, Z, CMOS-DEVICES ISOLATED BY ION-IMPLANTED BURIED SILICON NITRIDE, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1982, pp 789-790.

9. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, CMOS Technologie auf Vergrabennen Ziliziumnitrid, MTG-Fachtagung Grossintegration, 1982, pp130-133.

10. 劉忠立等，離子注入氮化硅隔離的CMOS器件，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1983, Vol.4，No.6，pp601-605.

11. 劉忠立，N阱全離子注入硅柵CMOS工藝中短和窄溝MOS晶體管的某些實(shí)驗(yàn)特性，第三屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集，1983, pp282-283.

12. Liu Zhongli, et al, High Performance Radiation Tolerant CMOS/SOS ICs, Institute of Semiconductors, Academy Sinica,Research Progress Report, 1985-1986, Vol.5, pp38-40.

13. 劉忠立等， SOS/CMOS集成電路的研制及其在存儲(chǔ)電路中的應(yīng)用展望，第五屆信息存儲(chǔ)技術(shù)學(xué)會(huì)論文集， 1986.

14. 劉忠立等，加固至抗γ總劑量達(dá)10⁷ Rad(Si)的SOS/CMOS ICs，抗核加固，1987, Vol.4, No.1.

15. 劉忠立等，高水平抗輻射SOS/CMOS集成電路，第五屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集，pp139-141.

16. 劉忠立等，CMOS/SOS集成電路輸入保護(hù)電路設(shè)計(jì)，“抗核輻射電子學(xué)會(huì)論文集”，1987.

17. Liu Zhongli, et al, An Excellent High Voltage NMOS/SOS Driver, the Proceeding of the Second International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 1989, pp 449-451.

18. 劉忠立等，一種優(yōu)良的NMOS/SOS驅(qū)動(dòng)器，第六屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集，1989, pp216-217.

19. 劉忠立等，用于通信衛(wèi)星上的CMOS/SOS集成電路， 抗核加固，1990, No.3.

20. 劉榮寰，劉忠立等，加固的CMOS/SOS集成電路抗γ瞬態(tài)輻射的最新結(jié)果，抗核加固，1990, No.3.

21. 劉忠立等，多晶硅摻雜方式對(duì)MOS電容器電離輻射特性的影響，抗核加固技術(shù)研究，1992年部分成果集，國防預(yù)研抗輻射加固項(xiàng)目辦公室編，1992, pp 130-132.

22. 和致經(jīng)，劉忠立等，SOS 結(jié)構(gòu)條形柵MOS管島邊效應(yīng)的加固技術(shù)，第五屆全國抗輻射電子學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議，1993，pp 72-75.

23. 劉忠立，MOS電容器中電離輻射產(chǎn)生的界面態(tài)同SiO₂內(nèi)被陷阱俘獲的空穴電荷之間的關(guān)系， 第五屆全國抗輻射電子學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議，1993, pp69-71.

24. 劉忠立，軍用CMOS/ SOS的可靠性及發(fā)展動(dòng)態(tài)，軍用電子元器件可靠性論文選，國防科工委軍用電子元器件可靠性專業(yè)組編，1994, pp32-36.

25. Zhongli Liu, et al, Improvement of CMOS/SOS Devices Characteristics by a Modified Solid Phase Epitaxy, Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology , 1998, pp191-194.

26. Jiping Nie, Zhongli Liu, et al, JFET/SOS Devices: Processing and Gamma Radiation Effects, Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1998, pp67-70.

27. Wenyu Gao, Zhongli Liu, et al, Dependence of Ultra Thing Gate Oxide Reliability on Surface Clealing Approach, the Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology，1998, pp291-294.

28. 高文鈺，劉忠立等，硅表面清洗對(duì)熱氧化13nm SiO₂可靠性的影響，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1999, Vol.20, No.5, pp383-388.

29. 聶紀(jì)平，劉忠立等，輻射加固的JFET/SOS:工藝及γ輻射效應(yīng)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1999, Vol.20, No.8, pp676-681.

30. 劉忠立等，利用改進(jìn)的固相外延技術(shù)改善CMOS/SOS器件的特性，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1999, Vol.20, No.5, pp433-437.

31. 高文鈺，劉忠立等，硅表面清洗對(duì)7nm熱 SiO₂柵介質(zhì)可靠性的影響，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1999, Vol.20, No.10, pp930-935.

32. 魏紅振，余金中，劉忠立，王啟明，硅基光波導(dǎo)及光波導(dǎo)開關(guān)的研究進(jìn)展，半導(dǎo)體光電，1999, Vol.20, pp369-376.

33. 高文鈺，劉忠立等，硼擴(kuò)散引起的SiO₂柵介質(zhì)的性能退化，電子學(xué)報(bào)，1999, Vol.27, No.8, pp144.

34. 魏紅振，余金中，張小峰，劉忠立等，SOI光波導(dǎo)分束器，第四屆SOI技術(shù)研討會(huì)論文集，2000, pp147-149.

35. 劉新宇，劉忠立，吳德馨等，0.8-1.2µm SOI/ CMOS 工藝研究，第四屆SOI技術(shù)研討會(huì)論文集，2000, pp78-82.

36. 劉新宇，劉忠立，吳德馨等，一種40nm的SOI 64k CMOS SRAM研究, 第四屆SOI技術(shù)研討會(huì)論文集，2000, pp34-38.

37. 王延峰，劉忠立等，閃爍存儲(chǔ)器分類及其應(yīng)用，集成電路設(shè)計(jì)，2000, No.2.

38. 劉忠立， 信息領(lǐng)域中的主要新型元器件（上），電子產(chǎn)品世界，2000, N o.4，pp52-53.

39. 劉忠立，信息領(lǐng)域中的主要新型元器件（下），電子產(chǎn)品世界，2000，No.5，pp73-74.

40. Wang Qiyuan, Nie Jiping, Liu Zhongli, Growth of Thin Silicon on Sapphire (SOS) Film Materials and Device Applications, Chinese Journal of Semiconductors, 2000, Vol.21, No.6, pp521-528.

41. Wei H.Z.,YJ.Z.,Liu Z.L.,Wang Q.M.,Fang C.S.,1x4 MMI Splitter Based on Rib SOI Waveguide, ChineseJournal of Lasers B(English Edition), Vol.9,No.6,December,pp525-530.

42. Wei H.Z.,YJ.Z.,Liu Z.L.,Zhang C.H.,SOI Based 3db MMI Splitter, Chinese Journal of Semiconductors, 2000, Vol.21,No.11,November,pp1111-1115.

43. Hongzhen Wei, Jinzhong Yu, Zhongli Liu, et al, Fabrication of 2x2 Tapered Multimode Interference Coupler, Electronics Letters, 2000, Vol.36, No.19 , pp1618-161.

44. Wei Hongzhen, Liu Zhongli, et.al, Integrated Multimode Interference Couplers in Silicon-on Insulator, In Optical,Interconnects for Telecommunication and Data communications, Proceedings of SPIE, 2000, pp124-127.

45. 王姝睿，, 劉忠立， SiC器件工藝的發(fā)展?fàn)顩r,微電子學(xué)，2000, Vol. 30, No. 6, pp422-425.

46. 王延峰，劉忠立， 離子注入氮化薄柵SiO₂的特性，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2001, Vol.22, No.7, pp881-884.

47. 劉忠立， 薄SiO₂ MOS電容電離輻射陷阱電荷研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2001, Vol.22, No.7, pp904-907.

48. 王姝睿，劉忠立, 6H-SiC高反壓臺(tái)面pn結(jié)二極管，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2001, Vol.22, No.4, pp507-510.

49. 王姝睿， 劉忠立等, 6H-SiC高壓肖特基勢(shì)壘二極管，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2001, Vol.22, No.8, pp1052-1056.

50. Liu zhongli et al, Ti Schottky Barrier Diodes on n-type 6H-SiC, the Proceedings of the 6^th International Conference on Solid-State and Integrated circuit Technology, 2001, pp1183-1186.

51. Hongzhen Wei, Jinzhong Yu, Zhongli Liu, Fabrication of 4x4 tapered multimode interference coupler, IEEE Photon.Technol.Lett.,2001, Vol.13, No.5, pp466-468.

52. H. Wei, J. Yu Yu, Z. Liu, et al, Signal bandwidth of general NxN Multimode Interference couplers, J.of Light wave Technol., 2001, Vol.13, No.5, pp466-468.

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54. Wei, H. Z., Yu J. Z., Zhang X.F.,Liu Z.L., Wang Q.M.,Modeling of Multimode Interference Mach-ZehnderInterferometerOpticalSwitches,ActaOpticSinica,2001,Vol.21,No.3,March,pp367-370.

55. Wei Hongzhen, Yu Jinzhong , Liu Zhongli, et al, 1x4 MMI Splitter Based on Rib SOI Waveguide, J.of Chinese Lasers, 2000, B9, No.6, pp523-530.

56. 劉忠立， 超大規(guī)模集成電路中的離子注入技術(shù), 第十一屆全國電子束﹑離子束﹑光子束學(xué)術(shù)年會(huì)論文集，2001, pp 148.

57. 魏紅振，余金中，劉忠立，王啟明，硅基光波導(dǎo)及光開關(guān)研究進(jìn)展，半導(dǎo)體光電，Vol.22, No.1 , 2001,pp7-11.

58. 王姝睿，劉忠立等， N型6H-SiC MOS 電容的電學(xué)特性，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)， Vol.22, No.6, 2001,pp755-759.

59. 劉忠立，用真空紫外光（VUV）研究Si- SiO₂結(jié)構(gòu)的電離輻射效應(yīng)，第七屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集，2001，pp195-197.

60. 劉忠立，于芳，和致經(jīng)等，加固的2000門陣CMOS/SOS集成電路的輻射試驗(yàn)結(jié)果，第七屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集，2001，pp20-26.

61. 劉忠立，于芳，和致經(jīng)等，具有優(yōu)良輻射加固特性的CMOS/SOS 54HCS電路，第七屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集，2001，pp27-32.

62. Wei H.Z, Yu J.Z, Zhang X.F, Liu Z.L, et al, Simple method for estimating minimum bend radii of SOI single mode curved rib waveguides, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2001, Vol 20, No. 5, pp 398-400.

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64. Wang Shurri , Liu Zhongli,Li Guohua ,Yu Fang,and Liu Huanzhang,High-Voltage Ti/6HSiC Schottky Barrier Diodes,Chinese Journal of Semiconductors, 2001, Vol 22,No.8,pp962-966

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